JIS C 61000-4-6:2017 電磁両立性―第４－６部：試験及び測定技術―無線周波電磁界によって誘導する伝導妨害に対するイミュニティ

                                                            C 61000-4-6 : 2017 (IEC 61000-4-6 : 2013)

pdf 目 次

ページ

•  序文・・・・[1]
•  1 適用範囲・・・・[1]
•  2 引用規格・・・・[2]
•  3 用語及び定義・・・・[2]
•  4 一般・・・・[3]
•  5 試験レベル・・・・[5]
•  6 試験装置及びレベル調整手順・・・・[6]
•  6.1 試験信号発生器・・・・[6]
•  6.2 結合デバイス及び減結合デバイス・・・・[8]
•  6.3 結合デバイス及び減結合デバイスのEUTポートでのコモンインピーダンスの検証・・・・[15]
•  6.4 試験信号発生器の設定・・・・[17]
•  7 試験セットアップ及び注入方法・・・・[20]
•  7.1 試験セットアップ・・・・[20]
•  7.2 単一のユニットからなるEUT・・・・[20]
•  7.3 幾つかのユニットからなるEUT・・・・[21]
•  7.4 注入方法及び試験ポイントの選択・・・・[22]
•  7.5 CDN注入・・・・[24]
•  7.6 コモンモードインピーダンス要求条件に適合する場合のクランプ注入・・・・[25]
•  7.7 コモンモードインピーダンス要求条件に適合しない場合のクランプ注入・・・・[27]
•  7.8 直接注入・・・・[27]
•  8 試験手順・・・・[28]
•  9 試験結果の評価・・・・[28]
•  10 試験報告書・・・・[29]
•  附属書A(規定)EMクランプ及び減結合クランプ・・・・[30]
•  附属書B(参考)試験周波数範囲の選択基準・・・・[40]
•  附属書C(参考)試験レベルを選択するための指針・・・・[42]
•  附属書D(参考)CDNに関する情報・・・・[43]
•  附属書E(参考)試験信号発生器の仕様に関する情報・・・・[49]
•  附属書F(参考)大形EUTの試験セットアップ・・・・[50]
•  附属書G(参考)試験電圧レベルの測定不確かさ・・・・[53]
•  附属書H(参考)AEのインピーダンスの測定・・・・[64]
•  附属書I(参考)ポート間注入・・・・[68]
•  附属書J(参考)増幅器の圧縮及びノンリニアリティ・・・・[70]

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C 61000-4-6 : 2017 (IEC 61000-4-6 : 2013)

まえがき

  この規格は,工業標準化法第14条によって準用する第12条第1項の規定に基づき,一般社団法人電気
学会(IEEJ)及び一般財団法人日本規格協会(JSA)から,工業標準原案を具して日本工業規格(日本産業規格)を改正す
べきとの申出があり,日本工業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が改正した日本工業規格(日本産業規格)である。
  これによって,JIS C 61000-4-6:2006は改正され,この規格に置き換えられた。
  この規格は,著作権法で保護対象となっている著作物である。
  この規格の一部が,特許権,出願公開後の特許出願又は実用新案権に抵触する可能性があることに注意
を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は,このような特許権,出願公開後の特許出願及び実
用新案権に関わる確認について,責任はもたない。
  JIS C 61000の規格群には,次に示す部編成がある。
    JIS C 61000-3-2 第3-2部 : 限度値−高調波電流発生限度値(1相当たりの入力電流が20 A以下の機
        器)
    JIS C 61000-4-2 第4-2部 : 試験及び測定技術−静電気放電イミュニティ試験
    JIS C 61000-4-3 第4-3部 : 試験及び測定技術−放射無線周波電磁界イミュニティ試験
    JIS C 61000-4-4 第4-4部 : 試験及び測定技術−電気的ファストトランジェント/バーストイミュニ
        ティ試験
    JIS C 61000-4-5 第4-5部 : 試験及び測定技術−サージイミュニティ試験
    JIS C 61000-4-6 第4-6部 : 試験及び測定技術−無線周波電磁界によって誘導する伝導妨害に対する
        イミュニティ
    JIS C 61000-4-7 第4-7部 : 試験及び測定技術−電力供給システム及びこれに接続する機器のための
        高調波及び次数間高調波の測定方法及び計装に関する指針
    JIS C 61000-4-8 第4-8部 : 試験及び測定技術−電源周波数磁界イミュニティ試験
    JIS C 61000-4-11 第4-11部 : 試験及び測定技術−電圧ディップ,短時間停電及び電圧変動に対する
        イミュニティ試験
    JIS C 61000-4-14 第4部 : 試験及び測定技術−第14節 : 電圧変動イミュニティ試験
    JIS C 61000-4-16 第4-16部 : 試験及び測定技術−直流から150 kHzまでの伝導コモンモード妨害に
        対するイミュニティ試験
    JIS C 61000-4-17 第4部 : 試験及び測定技術−第17節 : 直流入力電源端子におけるリプルに対する
        イミュニティ試験
    JIS C 61000-4-20 第4-20部 : 試験及び測定技術−TEM(横方向電磁界)導波管のエミッション及び
        イミュニティ試験
    JIS C 61000-4-22 第4-22部 : 試験及び測定技術−全電波無響室(FAR)における放射エミッション
        及びイミュニティ試験
    JIS C 61000-4-34 第4-34部 : 試験及び測定技術−1相当たりの入力電力が16Aを超える電気機器の

電圧ディップ,短時間停電及び電圧変動に対するイミュニティ試験JIS C 61000-6-1 第6-1部 : 共通規格−住宅,商業及び軽工業環境におけるイミュニティ

    JIS C 61000-6-2 第6-2部 : 共通規格−工業環境におけるイミュニティ

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                                       日本工業規格(日本産業規格)                             JIS
                                                                      C 61000-4-6 : 2017
                                                                       (IEC 61000-4-6 : 2013)

電磁両立性−第4-6部 : 試験及び測定技術−無線周波電磁界によって誘導する伝導妨害に対するイミュニティ

Electromagnetic compatibility(EMC) -Part 4-6: Testing and measurementtechniques-Immunity to conducted disturbances, induced byradio-frequency fields

序文

  この規格は,2013年に第4版として発行されたIEC 61000-4-6を基に,技術的内容及び構成を変更する
ことなく作成した日本工業規格(日本産業規格)である。
  なお,この規格で側線又は点線の下線を施してある参考事項は,対応国際規格にはない事項である。

1 適用範囲

  この規格は,周波数範囲150 kHz80 MHzの意図する無線周波(RF)送信機から到来する電磁妨害に対
する電気・電子装置の伝導性イミュニティ要求事項について規定する。装置に妨害RF電磁界を結合させ
る伝導ワイヤ及び/又はケーブル(例えば,電源線,信号線又はグラウンド線)を一つももたない装置は,
この規格の適用範囲から除外する。
    注記1 電磁放射によって誘導する伝導妨害信号が,関連装置に及ぼす影響を評価する試験方法を,
            この規格の中で定めている。これらの伝導妨害のシミュレーション及び測定は,影響の定量
            的な決定のためには適切で正確なものとはいえない。影響の定量的分析のために,各種の設
            備での結果の適切な再現性を確立することを主要な目的として,この規格を構成している。
            この規格の目的は,RF電磁界によって誘起する伝導妨害に対して,電気・電子装置の機能的
            イミュニティを評価するための共通の引用規格を確立することである。この規格は,定義し
            た現象に対する,装置又はシステムのイミュニティを評価するための方法を規定している。
    注記2 この規格は,IEC Guide 107で記載しているように,製品規格を作成するときに用いる基本
            EMC規格である。また,製品規格原案作成委員会は,このイミュニティ試験規格を適用する
            かどうかを決定する責任をもつ。さらに,適用する場合,適切な試験レベル及び性能評価基
            準を決める責任がある。
    注記3 この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を,次に示す。
            IEC 61000-4-6:2013,Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 4-6: Testing and measurement
                techniques−Immunity to conducted disturbances, induced by radio-frequency fields(IDT)
              なお,対応の程度を表す記号“IDT”は,ISO/IEC Guide 21-1に基づき,“一致している”
            ことを示す。

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2
C 61000-4-6 : 2017 (IEC 61000-4-6 : 2013)

2 引用規格

  次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成する。この引用
規格は,その最新版(追補を含む。)を適用する。
    JIS C 60050-161 EMCに関するIEV用語
      注記 対応国際規格 : IEC 60050-161:1990,International Electrotechnical Vocabulary. Chapter 161 :
             Electromagnetic compatibility(IDT)

3 用語及び定義

  この規格で用いる主な用語及び定義は,JIS C 60050-161によるほか,次による。
3.1
擬似手(artificial hand)
  平均的な動作条件下での,大地と携帯用電気機器との間の人体のインピーダンスを模擬する電気回路網
(JIS C 60050-161-04-27)。
    注記 この構造は,CISPR 16-1-2に従うことが望ましい。
3.2
補助装置,AE(auxiliary equipment)
  供試装置(EUT)に,通常動作を行うのに必要な信号を供給するための装置,及びEUTの性能を確認す
るための装置。
3.3
クランプ注入(clamp injection)
  クランプ“電流”注入デバイスをケーブルに取り付けることによって行う注入。
3.4
クランプ注入デバイス(clamp injection device)
  クランプしたケーブルに“電流”を注入するためのデバイス。クランプ注入デバイスには,電流クラン
プ及びEMクランプがある。
3.4.1
電流クランプ(current clamp)
  電流を注入するケーブルを二次巻線とするトランス。
3.4.2
EMクランプ(electromagnetic clamp, EM clamp)
  容量結合及び誘導結合を組み合わせた注入デバイス。
3.5
コモンモードインピーダンス(common-mode impedance)
  あるポートにおけるコモンモード電流でコモンモード電圧を除した数値。
    注記 コモンモードインピーダンスは,そのポートの端子又はシールドと基準面(点)との間に単一
          のコモンモード電圧を印加することによって決定できる。その結果生じたコモンモード電流は,
          これらの端子又はシールドを流れる全ての電流のベクトル和として測定できる[図8 a) 及び図
          8 b) 参照]。
3.6
結合係数(coupling factor)

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                                                            C 61000-4-6 : 2017 (IEC 61000-4-6 : 2013)
  結合デバイス及び結合・減結合デバイス(結合デバイス及び減結合デバイスの両方の機能を備え合わせ
たもの)のEUTポートで得られる開回路電圧(e.m.f.)を,試験信号発生器の出力で得られる開回路電圧
で除して得られる比。
3.7
結合回路網(coupling network),結合デバイス(coupling device)
  エネルギーをある回路から他の回路へ規定のインピーダンスで伝達するための電気回路,及びデバイス。
    注記 結合回路網及び減結合回路網は,一つの箱[結合・減結合回路網(CDN)]に統合してもよい
          が,別々の回路網としてもよい。
3.8
結合・減結合回路網,CDN(coupling/decoupling network)
  結合回路網及び減結合回路網の両方を一つの箱に収めた電気回路。
3.9
減結合回路網(decoupling network),減結合デバイス(decoupling device)
  EUTに印加する試験信号がEUTでない他の機器,装置又はシステムに影響を及ぼすのを防ぐための電
気回路,及びデバイス。
3.10
試験信号発生器(test generator)
  所要の信号を発生することができる発生器(RF発振器,変調器,減衰器,広帯域電力増幅器及びフィル
タ)。
    注記 図3参照。
3.11
起電力,e.m.f.(electromotive force)
  能動素子を理想電圧源で表現するときの電圧源の端子における電圧。
3.12
測定結果,Umr(measurement result)
  測定装置の電圧の読み。
3.13
電圧定在波比,VSWR(voltage standing wave ratio)
  線路に沿った電圧の最大振幅と隣接する最小振幅との比。

4 一般

  この規格の対象となる妨害源は,通常,意図するRF送信機から到来し,設置している装置に接続する
ケーブルの全長にわたって作用する電磁界である。妨害を受ける装置は,ほとんどが大きなシステムの一
部であるが,その寸法は,妨害信号の波長に比べて短いと仮定できる。EUTの入出力線(例えば,電源線,
通信線,インターフェースケーブル)は,意図的及び非意図的信号に対して,受動的な受信アンテナ回路
網及び信号伝導路として働く。
  ケーブルネットワークでは,感受性のある装置はその装置を“通り抜ける”電流にさら(曝)される。
装置に接続するケーブルシステムは,共振モード(λ/4又はλ/2の開放形又は折り返しダイポール)にある
と仮定でき,それらは基準グラウンド面に対して150 Ωのコモンモードインピーダンスをもつ結合デバイ
ス及び減結合デバイスによって代表される。二つの150 Ωのコモンモードインピーダンス(一つはRF信

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