JIS C 6704:2017 人工水晶

                                                                                   C 6704 : 2017

pdf 目 次

ページ

•  序文・・・・[1]
•  1 適用範囲・・・・[1]
•  2 引用規格・・・・[1]
•  3 用語及び定義・・・・[1]
•  4 人工水晶の仕様・・・・[6]
•  4.1 標準仕様・・・・[6]
•  4.2 要求事項及び試験方法・・・・[8]
•  4.3 表示及び納入条件・・・・[16]
•  5 ランバード人工水晶・・・・[17]
•  5.1 標準値・・・・[17]
•  5.2 要求事項及び試験方法・・・・[20]
•  5.3 納入条件・・・・[20]
•  6 アズグロウン人工水晶及びランバード人工水晶の検査基準・・・・[21]
•  6.1 アズグロウン人工水晶の検査基準・・・・[21]
•  6.2 ランバード人工水晶の検査基準・・・・[22]
•  7 人工水晶使用の指針・・・・[22]
•  7.1 概要・・・・[22]
•  7.2 人工水晶の形状及び寸法・・・・[23]
•  7.3 一般試験による人工水晶の品質評価・・・・[25]
•  7.4 その他の人工水晶品質評価方法・・・・[26]
•  7.5 人工水晶のα値等級・・・・[27]

7.6 人工水晶の異物及びエッチチャンネルの等級選択(要求があるときだけ適用),アルミニウム含有量
     並びにスエプトクォーツ  27

•  7.7 発注・・・・[29]
•  附属書A(参考)よく用いる異物密度サンプリングの手順・・・・[31]
•  附属書B(参考)異物密度サンプリングの実例・・・・[33]
•  附属書C(参考)限度見本の選定・・・・[34]
•  附属書D(参考)ネックノギスの詳細・・・・[35]
•  附属書E(参考)α値測定装置の補正法・・・・[36]
•  附属書F(参考)水晶の座標系に関するこの規格とIEEE規格との相違・・・・[39]

附属書G(参考)分散型赤外分光光度計とフーリエ変換赤外分光光度計(FT-IR)とのα値測定における
     整合性  42

•  附属書JA(参考)JISと対応国際規格との対比表・・・・[45]

(pdf 一覧ページ番号 1)

――――― [JIS C 6704 pdf 1] ―――――

C 6704 : 2017

まえがき

  この規格は,工業標準化法第14条によって準用する第12条第1項の規定に基づき,日本水晶デバイス
工業会(QIAJ)及び一般財団法人日本規格協会(JSA)から,工業標準原案を具して日本工業規格(日本産業規格)を改正
すべきとの申出があり,日本工業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が改正した日本工業規格(日本産業規格)である。
これによって,JIS C 6704:2009は改正され,この規格に置き換えられた。
  この規格は,著作権法で保護対象となっている著作物である。
  この規格の一部が,特許権,出願公開後の特許出願又は実用新案権に抵触する可能性があることに注意
を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は,このような特許権,出願公開後の特許出願及び実
用新案権に関わる確認について,責任はもたない。

(pdf 一覧ページ番号 2)

――――― [JIS C 6704 pdf 2] ―――――

                                       日本工業規格(日本産業規格)                             JIS
                                                                              C 6704 : 2017

人工水晶

Synthetic quartz crystal

序文

  この規格は,2016年に第5版として発行されたIEC 60758を基とし,我が国の実情を反映させるため,
技術的内容を変更して作成した日本工業規格(日本産業規格)である。
  なお,この規格で側線又は点線の下線を施してある箇所は,対応国際規格を変更している事項である。
変更の一覧表にその説明を付けて,附属書JAに示す。

1 適用範囲

  この規格は,周波数制御及び選択用の水晶振動子製造並びに光学製品に用いる,単結晶の人工水晶(以
下,人工水晶という。)について規定する。
    注記 この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を,次に示す。
          IEC 60758:2016,Synthetic quartz crystal−Specifications and guidelines for use(MOD)
            なお,対応の程度を表す記号“MOD”は,ISO/IEC Guide 21-1に基づき,“修正している”
          ことを示す。

2 引用規格

  次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成する。これらの
引用規格は,その最新版(追補を含む。)を適用する。
    JIS C 6701 水晶振動子通則
      注記 対応国際規格 : IEC 60122-1:2002,Quartz crystal units of assessed quality−Part 1: Generic
             specification(IDT)
    JIS Z 9015-1 計数値検査に対する抜取検査手順−第1部 : ロットごとの検査に対するAQL指標型抜
        取検査方式
      注記 この規格の対応国際規格で引用するIEC 60410,Sampling plans and procedures for inspection by
             attributesは,対応JISが制定されていない。この規格での引用事項は,JIS Z 9015-1の規定
             事項と同等である。

3 用語及び定義

  この規格で用いる主な用語及び定義は,次による。
3.1
水熱合成法(hydrothermal crystal growth)
  高温及び高圧の条件下で水を介在させ,地殻中の成長と同じプロセスで結晶を育成する方法。

――――― [JIS C 6704 pdf 3] ―――――

2
C 6704 : 2017
  人工水晶では,円筒形のオートクレーブでアルカリ水溶液を溶媒として用い,上部に種結晶を,下部に
石英原料を置いて容器を高温(330400 ℃)及び高圧(68.6196 MPa)に保ち,下部を上部よりも高温
にし,温度差を付けて結晶を育成する。
    注記 (対応国際規格の注記を,定義文にした。)
3.2
人工水晶(synthetic quartz crystal)
  水熱合成法によって育成した,アルファ水晶の単結晶。人工水晶は,右水晶又は左水晶のいずれかであ
って,アズグロウン人工水晶及びランバード人工水晶がある。
    注記 アルファ水晶とは,573 ℃以下でできた低温型水晶である。
3.3
アズグロウン人工水晶(as-grown synthetic quartz crystal)
  育成後の未加工人工水晶。
3.4
アズグロウンY棒水晶(as-grown Y-bar)
  Y方向に長い棒状の種結晶を用いて育成した,アズグロウン人工水晶。
3.5
アズグロウンZ板水晶(as-grown Z-bar)
  Y方向に長いZ面を主面とする板状の種結晶を用いて育成した,アズグロウン人工水晶。
3.6
人工水晶のロット(synthetic quartz crystal batch)
  同一オートクレーブ内で同一期間に育成した,人工水晶の集まり。以下,ロットという。
3.7
種結晶(seed)
  人工水晶の育成に結晶核として用いる,棒状又は板状の水晶結晶。
3.8
成長領域(growth zones)
  それぞれの結晶方位に沿って成長して生じた,人工水晶の領域[図2のa) 及びb) 参照]。
3.9
人工水晶の方位(orientation of a synthetic quartz crystal)
  直交軸に関する種結晶の方位。
3.10
直交座標系(orthogonal axial system of α quartz crystal)
  図1に示すように,それぞれ直交に交わったX軸,Y軸及びZ軸。
    注記1 X軸を中心にして,Y軸及びZ軸をそれぞれθ°傾けた場合は,X軸,Y´軸及びZ´軸になる。
            ただし,Zカット種結晶の場合は,Y軸に対して20°以内の方向にずれて位置するとき,X
            軸,Y´軸及びZ´軸になる。
    注記2 X軸は,その軸に沿って圧縮したとき,正の電荷が発生する方向は+X,負の電荷が発生す
            る方向は−Xとなる。
    注記3 右水晶には右手直交座標系を,左水晶には左手直交座標系を用いている。
    注記4 IEEE規格では,この規格と軸の取り方が異なる。附属書F参照。

――――― [JIS C 6704 pdf 4] ―――――

                                                                                              3
                                                                                   C 6704 : 2017
3.11
ATカット板(AT-cut plate)
  主面がX軸に平行で,Z軸から約+35°,r面から約−3°傾いた水晶板。図3 a) 参照。
    注記 主面がX軸に平行で,Z軸から約+35°,r面から約−3°傾いた面方位での切断をATカット
          という。
3.12
Xカット板(X-cut plate)
  X軸に垂直な水晶板。図3 b) 参照。
    注記 X軸に垂直な面方位での切断を,Xカットという。
3.13
Yカット板(Y-cut plate)
  Y軸に垂直な水晶板。図3 b) 参照。
    注記 Y軸に垂直な面方位での切断を,Yカットという。
3.14
Zカット板(Z-cut plate)
  Z軸に垂直な水晶板。図3 b) 参照。
    注記 Z軸に垂直な面方位での切断を,Zカットという。
3.15
rカット板(r-cut plate)
  r面に平行な水晶板。図3 a) 参照。
    注記 r面に平行な方位での切断を,rカットという。
3.16
寸法(dimensions)
  X軸を中心として,Y軸からの回転角が20°以内のZカットの種結晶を用いて育成した結晶の寸法。
3.17
有効Z寸法,又は有効Z´寸法(effective Z-dimension)
  Z軸(θ=0°)又はZ´軸方向での最小寸法。Zeff又はZ´effで表す。図2 c) 参照。
3.18
最小Z寸法,又は最小Z´寸法(minimum Z-dimension)
  種結晶表面からZ面又はZ´軸方向への最小距離。Zmin又はZ´minで表す。図2 d) 参照。
3.19
異物(inclusions)
  屈折率が人工水晶に近い液体中で,散乱光によって観察できる包有物。
    注記 一般的な包有物として,主にきり(錐)輝石(acmite),大隅石(emeleusite)などの鉱物が観察
          できる。
3.20
シードベール(seed veil)
  種結晶の表面に見られる異物の配列。
3.21
エッチチャンネル(etch channel)

――――― [JIS C 6704 pdf 5] ―――――

次のページ PDF 6