JIS C 7030:1993 トランジスタ測定方法 | ページ 3

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C 7030-1993
                            図9 エミッタ・ベース間遮断電流測定回路
(3) 手順 コレクタ・ベース間を規定の状態とし,エミッタ・ベース間に規定の電圧 (VEB) を印加して,
    エミッタ電流 (IE) [エミッタ・ベース間遮断電流 (IEB)]を測定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には,次の事項を規定する。
(4.1) コレクタ・ベース間のバイアス条件
  (a)   EBXの場合はコレクタ・ベース間電圧
  (b)   EBRの場合はコレクタ・ベース間に接続するRCBの抵抗値
  (c)   EBSの場合はコレクタ・ベース間を短絡すること。
  (d)   EBOの場合はコレクタ・ベース間を開放すること。
(4.2) エミッタ・ベース間電圧
(4.3) 周囲温度又は基準点温度

6.1.10 コレクタ・エミッタ間飽和電圧測定(直流方法)

 コレクタ・エミッタ間飽和電圧測定(直流方法)
は,次による。
(1) 目的 この測定方法は,規定条件で,供試トランジスタのコレクタ・エミッタ間飽和電圧を測定する
    ことを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を,図10に示す。
                    図10 コレクタ・エミッタ間飽和電圧測定回路(直流方法)
(3) 手順 規定のベース電流 (IB) を流し,コレクタ電流 (IC) を徐々に増していき,コレクタ電流 (IC) が
    規定値となったときのコレクタ・エミッタ間電圧 (VCE) 〔コレクタ・エミッタ間飽和電圧 [VCE (sat)   ]〕
    を測定する。コレクタ電流を与える電流源は電圧制限機能付電流源とし,その電圧は供試トランジス
    タのコレクタ・エミッタ間耐電圧以下に設定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には,次の事項を規定する。
  (a) コレクタ電流

――――― [JIS C 7030 pdf 11] ―――――

                                                                                              9
                                                                                    C 7030-1993
  (b) ベース電流
  (c) 周囲温度又は基準点温度

6.1.11 コレクタ・エミッタ間飽和電圧測定(パルス方法)

 コレクタ・エミッタ間飽和電圧測定(パルス
方法)は,次による。
(1) 目的 この測定方法は,規定条件で,供試トランジスタのコレクタ・エミッタ間飽和電圧を測定する
    ことを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を,図11に示す。
                   図11 コレクタ・エミッタ間飽和電圧測定回路(パルス方法)
(3) 手順 パルス発生器Gを規定のパルス条件に設定し,スイッチS1及びS2を同期的に開閉動作状態と
    した後,ベース電流 (IB) 及びコレクタ電流 (IC) を規定値に設定する。ベース電流及びコレクタ電流
    を供試トランジスタに与えている期間中に,パルス発生器でトリガーされたオシロスコープOによっ
    てコレクタ・エミッタ間電圧 (VCE) 〔コレクタ・エミッタ間飽和電圧 [VCE (sat)   ]〕を測定する。コレク
    タ電流を与える電流源は電圧制限機能付電流源とし,その電圧は供試トランジスタのコレクタ・エミ
    ッタ間耐圧以下に設定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には,次の事項を規定する。
  (a) コレクタ電流
  (b) ベース電流
  (c) パルス幅及びデューティサイクル
  (d) 周囲温度又は基準点温度

6.1.12 ベース・エミッタ間飽和電圧測定(直流方法)

 ベース・エミッタ間飽和電圧測定(直流方法)は,
次による。
(1) 目的 この測定方法は,規定条件で,供試トランジスタのベース・エミッタ間飽和電圧を測定するこ
    とを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を,図12に示す。

――――― [JIS C 7030 pdf 12] ―――――

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C 7030-1993
                     図12 ベース・エミッタ間飽和電圧測定回路(直流方法)
(3) 手順 規定のベース電流 (IB) を流し,コレクタ電流 (IC) を徐々に増していき,コレクタ電流 (IC) が
    規定値となったときのベース・エミッタ間電圧 (VBE) 〔ベース・エミッタ間飽和電圧 [VBE (sat)   ]〕を測
    定する。コレクタ電流を与える電流源は電圧制限機能付電流源とし,その電圧は供試トランジスタの
    コレクタ・エミッタ間耐圧以下に設定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には,次の事項を規定する。
  (a) コレクタ電流
  (b) ベース電流
  (c) 周囲温度又は基準点温度

6.1.13 ベース・エミッタ間飽和電圧測定(パルス方法)

 ベース・エミッタ間飽和電圧測定(パルス方法)
は,次による。
(1) 目的 この測定方法は,規定条件で,供試トランジスタのベース・エミッタ間飽和電圧を測定するこ
    とを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を,図13に示す。
                    図13 ベース・エミッタ間飽和電圧測定回路(パルス方法)
(3) 手順 パルス発生器Gを規定のパルス条件に設定し,スイッチS1及びS2を同期的に開閉動作状態と
    した後,ベース電流 (IB) 及びコレクタ電流 (IC) を規定値に設定する。ベース電流及びコレクタ電流
    を供試トランジスタに与えている期間中に,パルス発生器でトリガーされたオシロスコープOによっ
    てベース・エミッタ間電圧 (VBE) 〔ベース・エミッタ間飽和電圧 [VBE (sat)   ]〕を測定する。コレクタ電
    流を与える電流源は電圧制限機能付電流源とし,その電圧は供試トランジスタのコレクタ・エミッタ

――――― [JIS C 7030 pdf 13] ―――――

                                                                                             11
                                                                                    C 7030-1993
    間耐圧以下に設定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には,次の事項を規定する。
  (a) コレクタ電流
  (b) ベース電流
  (c) パルス幅及びデューティサイクル
  (d) 周囲温度又は基準点温度

6.1.14 ベース・エミッタ間電圧測定

 ベース・エミッタ間電圧測定は,次による。
(1) 目的 この測定方法は,規定条件で,供試トランジスタのベース・エミッタ間電圧を測定することを
    目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を,図14に示す。
                             図14 ベース・エミッタ間電圧測定回路
(3) 手順 コレクタ・エミッタ間電圧 (VCE) を規定値に設定し,コレクタ電流 (IC) が規定値となったと
    きのベース・エミッタ間電圧 (VBE) を測定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には,次の事項を規定する。
  (a) コレクタ・エミッタ間電圧
  (b) コレクタ電流
  (c) 周囲温度又は基準点温度

6.1.15 直流電流増幅率測定(直流方法)

 直流電流増幅率測定(直流方法)は,次による。
(1) 目的 この測定方法は,規定条件で,供試トランジスタの順電流増幅率を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を,図15に示す。
                           図15 直流電流増幅率測定回路(直流方法)
(3) 手順 コレクタ・エミッタ間電圧 (VCE) を規定値に設定し,ベース電流 (IB) を規定のコレクタ電流
    (IC) が得られるように調整する。このときの順電流増幅率 (hFE) を,次の式によって算出する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には,次の事項を規定する。

――――― [JIS C 7030 pdf 14] ―――――

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C 7030-1993
  (a) コレクタ・エミッタ間電圧
  (b) コレクタ電流
  (c) 周囲温度又は基準点温度

6.1.16 直流電流増幅率測定(パルス方法)

 直流電流増幅率測定(パルス方法)は,次による。
(1) 目的 この測定方法は,規定条件で,供試トランジスタの順電流増幅率を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を,図16に示す。
                          図16 直流電流増幅率測定回路(パルス方法)
(3) 手順 パルス発生器Gから,規定条件のパルスをスイッチSとオシロスコープO1及びオシロスコー
    プO2のトリガー入力端子とに供給する。
      オシロスコープO1を見ながら,定電圧源によってコレクタ・エミッタ間電圧 (VCE) を規定値に設
    定する。次に,オシロスコープO2を見ながらコレクタ電流 (IC) が規定値になるように,定電流源に
    よってベース電流 (IB) を調整する。このときの順電流増幅率 (hFE) を,次の式によって算出する。
                              IC
                        hFE
                              IB
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には,次の事項を規定する。
  (a) コレクタ・エミッタ間電圧
  (b) コレクタ電流
  (c) パルス幅及びデューティサイクル
  (d) 周囲温度又は基準点温度

6.1.17 閉路小信号入力インピーダンス測定

 閉路小信号入力インピーダンス測定は,次による。
(1) 目的 この測定方法は,規定条件で,供試トランジスタの閉路小信号入力インピーダンスを測定する
    ことを目的とする。
(2) 測定回路 エミッタ接地及びベース接地での測定回路の一例を,図17及び図18に示す。

――――― [JIS C 7030 pdf 15] ―――――

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