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いものであること。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には,次の事項を規定する。
(a) 順電流
(b) パルスの振幅,幅及び繰返し周波数
(c) 周囲温度又は基準点温度
6.8 検波電圧能率測定
検波電圧能率測定は,次による。
(1) 目的 この測定方法は,規定条件で,供試ダイオードの検波電圧能率を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 供試ダイオードにバイアス電流を流さない場合及び流す場合の測定回路の一例を,図10
及び図11にそれぞれ示す。
図10 検波電圧能率測定回路(バイアス電流を流さない場合)
図11 検波電圧能率測定回路(バイアス電流を流す場合)
(3) 手順 規定のバイアス条件とし,規定の周波数及び振幅 (v1) をもった交流信号を入力して直流出力電
圧 (V0) を測定する。または,順方向バイアス電圧を印加して,規定のバイアス電流を流し,交流信
号の有無による出力電流 (IL) 及び (I'L) を測定する。その変化分 IL−I'Lを求める。そのときの検
波電圧能率 ( ‰ 次の式によって算出する。
0
v (%) 100
1 2
IL RL
v (%) 100
1 2
ここに, v1 : 実効値
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には,次の事項を規定する。
(a) 負荷回路の回路定数 (RL, CL)
(b) バイアス電流
(c) 信号源の周波数及び電圧
(d) 周囲温度又は基準点温度
6.9 検波電力能率測定
検波電力能率測定は,次による。
――――― [JIS C 7031 pdf 11] ―――――
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(1) 目的 この測定方法は,規定条件で,供試ダイオードの検波電力能率を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を,図12に示す。
図12 検波電力能率測定回路
(3) 手順 供試ダイオードに規定の順方向電圧を印加してバイアス電流を流し,次に規定の周波数及び振
幅をもった交流信号の有無による出力電流 (IL) 及び (I'L) を測定する。その変化分 IL−I'Lを求め
る。そのときの検波電力能率 ( ‰ 次の式によって算出する。
(4 IL) 2 RLRg
p(%) 2
100
vg
ここに, vg : 実効値
備考1. 変成器は低損失のものを用い,その損失はRgに含めて計算する。
2. 変成器の巻線比は,RgとRLのインピーダンス整合がとれるように決める。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には,次の事項を規定する。
(a) 負荷回路の回路定数 (RL, CL)
(b) バイアス電流
(c) 信号源の周波数及び電圧
(d) 信号発生器のインピーダンス (Rg)
(e) 周囲温度又は基準点温度
6.10 整流電流測定
整流電流測定は,次による。
(1) 目的 この測定方法は,規定条件で,供試ダイオードの整流電流を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 測定回路の一例を,図13に示す。
図13 整流電流測定回路
備考 負荷抵抗器RLは,自己バイアス効果を低減するためにできるだけ小さくする(通常100 坎 下)。
(3) 手順 供試ダイオードを測定マウントに装着し,規定の順バイアス電流を通電し,かつ,規定の周波
――――― [JIS C 7031 pdf 12] ―――――
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数及び電力の高周波信号を入力して,負荷抵抗RLを流れる整流電流 (I0) を電流計又は高インピーダ
ンス電圧計で測定する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には,次の事項を規定する。
(a) バイアス条件
(b) 測定周波数
(c) 入力電力
(d) 負荷抵抗値
(e) 周囲温度又は基準点温度
6.11 雑音電流測定
雑音電流測定は,次による。
(1) 目的 この測定方法は,規定条件で,供試ダイオードの雑音電流を測定することを目的とする。
(2) 測定回路 雑音電流を測定する測定回路の一例を,図14に示す。
図14 雑音電流測定回路
(3) 手順 供試ダイオードに規定のバイアス電圧を印加する。ダイオードの雑音電流によって,負荷抵抗
器に生じる電圧降下を規定の周波数帯域及び利得をもつ低雑音増幅器で増幅し,規定の通過周波数帯
2
域をもつ帯域通過フィルタを通した後自乗電圧計で雑音電圧 ( ) を測定する。そのとき,増幅器,
(Vn )
負荷抵抗器及び直流電源が発生する雑音を無視できるとすれば,雑音電流 ( 2
) を,次の式によっ
(In )
て算出できる。
2
2 (Vn )
(In )
AVR
ここに, AV : フィルタも含めた増幅器の電圧増幅度
備考1. 増幅器などの発生する雑音が無視できない場合には,供試ダイオードを適切な抵抗で置き換
えて得られる雑音で補正する。
2. 雑音電流は,通常1Hzの帯域幅に換算する。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には,次の事項を規定する。
(a) バイアス条件
(b) 負荷抵抗値
(c) 低雑音増幅器の周波数帯域及び利得
(d) 帯域通過フィルタの通過周波数帯域(通常1 000±100Hz)
(e) 周囲温度又は基準点温度
6.12 中間周波インピーダンス測定
中間周波インピーダンス測定は,次による。
(1) 目的 この測定方法は,規定条件で,供試ダイオードの中間周波数インピーダンスを測定することを
――――― [JIS C 7031 pdf 13] ―――――
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目的とする。
(2) 測定回路 インピーダンス・ブリッジ方法及び置換方法の測定回路の一例を,図15及び図16に示す。
図15 中間周波インピーダンス測定回路(インピーダンス・ブリッジ方法)
図16 中間周波インピーダンス測定回路(置換方法)
(3) 手順
(a) インピーダンス・ブリッジ方法 供試ダイオードを測定マウントに装着し,バイアス電流を規定値
とする。
規定の周波数及び電力の高周波信号を入力し,規定の中間周波数に調整されたインピーダンス・
ブリッジで中間周波インピーダンス (Zif) を測定する。
備考 中間周波信号レベルは,それがインピーダンス・ブリッジに供給されたときにダイオードの整
流電流 (I0) の増加が1%以下であるように設定しなればならない。
(b) 置換方法 供試ダイオードをマウントに装着し,バイアス電流を規定値とする。
規定の周波数及び電力の高周波信号を入力し,スイッチSを供試ダイオード側として低周波信号
――――― [JIS C 7031 pdf 14] ―――――
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を加え,ダイオード両端の電圧 (vod) を交流電圧計で読み取る。次に,スイッチSを参照抵抗器R3
側として電圧 (vor) を交流電圧計で読み取る。そのときの中間周波インピーダンス (Zif) を,次の式
によって算出する。
vod
Zif R3
vor
備考 低周波信号レベルは,十分小信号とみなせる範囲に設定しなければならない。
(4) 個別規格に規定する事項 個別規格には,次の事項を規定する。
(a) 測定方法
(b) バイアス条件
(c) 高周波信号の周波数及び電力又はダイオード整流電流(インピーダンス・ブリッジ方法の場合)
(d) 中間周波信号の周波数
(e) 中間周波信号の電力及び低周波信号の周波数(置換方法の場合)
(f) 負荷抵抗値
(g) 周囲温度又は基準点温度
6.13 総合雑音指数測定
総合雑音指数測定は,次による。
(1) 目的 この測定方法は,規定条件で,供試ダイオードの総合雑音指数を測定することを目的とする。
備考 雑音指数 (F) は,次のように定義される。
Sin
Nin
F
Sout
Nout
Nout
kT0BG
ここに, Sin : 有能入力信号電力 (W)
Nin : 有能入力雑音電力 (W)
Sout : 有能出力信号電力 (W)
Nout : 有能出力雑音電力 (W)
k : ボルツマン定数 (1.38×10−23J/K)
T0 : 周囲温度(通常298K)
B : 回路網の実効周波数帯域幅 (Hz)
G : 回路網の有能電力利得
標準雑音源を回路網の入力端子に接続し,標準雑音源をOFF及びONの状態にした場合の出力雑音電力
をそれぞれN1及びN2とすると,
N1=F・kT0BG
N2=F・kT0BG+N'G
ここに, N' : 雑音源からの有能入力雑音電力
N'=kTB−kT0B
T
kT0B 1
T0
T : 雑音源の実効雑音温度
これらの式を整理してFを求めると,
――――― [JIS C 7031 pdf 15] ―――――
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JIS C 7031:1993の引用国際規格 ISO 一覧
- IEC 60747-3:1985(MOD)