JIS C 8930:2017 太陽電池モジュールの塩水噴霧試験

                                                                                   C 8930 : 2017

pdf 目 次

ページ

•  序文・・・・[1]
•  1 適用範囲・・・・[1]
•  2 引用規格・・・・[2]
•  3 供試品・・・・[2]
•  4 試験方法・・・・[3]
•  4.1 一般・・・・[3]
•  4.2 バイパスダイオード機能性試験・・・・[3]
•  5 試験前処理・・・・[4]
•  6 初期測定・・・・[4]
•  6.1 一般・・・・[4]
•  6.2 結晶シリコン・・・・[4]
•  6.3 薄膜・・・・[4]
•  6.4 集光形太陽電池(CPV)モジュール・・・・[4]
•  7 塩水噴霧試験方法・・・・[5]
•  8 洗浄及び回復・・・・[5]
•  9 最終測定・・・・[5]
•  9.1 一般・・・・[5]
•  9.2 結晶シリコン・・・・[5]
•  9.3 薄膜・・・・[5]
•  9.4 集光形太陽電池(CPV)モジュール・・・・[6]
•  10 要求事項・・・・[6]
•  10.1 一般・・・・[6]
•  10.2 結晶シリコン・・・・[6]
•  10.3 薄膜・・・・[6]
•  10.4 集光形太陽電池(CPV)モジュール・・・・[7]
•  11 試験報告書・・・・[7]
•  附属書JA(参考)JISと対応国際規格との対比表・・・・[11]

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――――― [JIS C 8930 pdf 1] ―――――

C 8930 : 2017

まえがき

  この規格は,工業標準化法第12条第1項の規定に基づき,一般社団法人日本電機工業会(JEMA)から,
工業標準原案を具して日本工業規格(日本産業規格)を制定すべきとの申出があり,日本工業標準調査会の審議を経て,経
済産業大臣が制定した日本工業規格(日本産業規格)である。これによって,JIS C 8917:2005及びJIS C 8938:2005は廃止
され,これらの一部を分割・統合して制定したこの規格に置き換えられた。
  この規格は,著作権法で保護対象となっている著作物である。
  この規格の一部が,特許権,出願公開後の特許出願又は実用新案権に抵触する可能性があることに注意
を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は,このような特許権,出願公開後の特許出願及び実
用新案権に関わる確認について,責任はもたない。

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――――― [JIS C 8930 pdf 2] ―――――

                                       日本工業規格(日本産業規格)                             JIS
                                                                              C 8930 : 2017

太陽電池モジュールの塩水噴霧試験

Salt mist corrosion testing of photovoltaic (PV) odules

序文

  この規格は,2011年に第2版として発行されたIEC 61701を基とし,試験の正確性及び具体性を確保す
るため,技術的内容を変更して作成した日本工業規格(日本産業規格)である。
  なお,この規格で側線を施してある箇所は,対応国際規格を変更している事項である。変更の一覧表に
その説明を付けて,附属書JAに示す。

1 適用範囲

  この規格は,太陽電池(PV)モジュール(以下,PVモジュールという。)の塩霧による腐食に対する耐
候性を測定するための試験方法について規定する。
  PVモジュールは,耐用期間中,継続的な屋外暴露を受けることを見込んで開発される電気装置である。
海洋環境など侵食性の強い湿潤大気は,最終的にPVモジュール部品の幾つかを劣化させ(保護コーティ
ング,プラスチックなどの非金属部品の特性劣化,塩分の吸収による金属部品の腐食など),機能を損なう
おそれのある永久的な損傷を引き起こす可能性がある。冬期に街路又は道路の氷成分を溶かすために塩が
用いられる場所でも,一時的な腐食性大気は存在する。
  この規格では,様々なPVモジュールの,Cl−(NaCl,MgCl2など)を含む塩霧による腐食に対する耐候
力を測定するのに役立つ試験手順を記載する。この手順に含まれる全ての試験は,バイパスダイオード機
能性試験を除き,JIS C 8990,JIS C 8991,IEC 62108,JIS C 8992-2及びJIS C 60068-2-52で詳細に規定さ
れている。これらの試験は,この規格に組み込まれ,高濃度の溶解塩(NaCl)を含む湿潤大気下で運転し
た場合に,PVモジュールに生じる可能性のある故障について,評価する手段を提供する。JIS C 60068-2-52
では,実際の運転でPVモジュールがさらされる周囲の大気の性質に応じて,幾つかの試験の厳しさを適
用することができる。例えば,厳しさ(1)では,海洋環境又は海のごく近くで用いられるPVモジュール
への適用を意図している。厳しさ(3)(6)は,例えば氷成分を溶かすために塩が用いられる場所など,
含塩大気と乾燥大気との間の変化が起こる可能性のある場所で運転するPVモジュールへの適用を意図し
ている。厳しさ(2)は,試験条件が弱すぎるためPVモジュールには適さない[この厳しさは本来,通常
はきょう(筐)体によって保護され,時々,腐食環境にさらされる製品への適用を意図している。]ため,
この規格への適用は避けなければならない。
  なお,この規格は,平板形PVモジュール及び集光形PVモジュールの両方,並びにこれらの組立品に
適用することができる。
    注記 この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を,次に示す。
          IEC 61701:2011,Salt mist corrosion testing of photovoltaic (PV)   odules(MOD)
            なお,対応の程度を表す記号“MOD”は,ISO/IEC Guide 21-1に基づき,“修正している”

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C 8930 : 2017
          ことを示す。

2 引用規格

  次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成する。これらの
引用規格のうちで,西暦年を付記してあるものは,記載の年の版を適用し,その後の改正版(追補を含む。)
は適用しない。西暦年の付記がない引用規格は,その最新版(追補を含む。)を適用する。
    JIS C 8990 地上設置の結晶シリコン太陽電池(PV)モジュール−設計適格性確認及び形式認証のた
        めの要求事項
      注記 対応国際規格 : IEC 61215:2005,Crystalline silicon terrestrial photovoltaic (PV)   odules−Design
             qualification and type approval(IDT)
    JIS C 8991 地上設置の薄膜太陽電池(PV)モジュール−設計適格性確認試験及び形式認証のための
        要求事項
      注記 対応国際規格 : IEC 61646:2008,Thin-film terrestrial photovoltaic (PV)   odules−Design
             qualification and type approval(IDT)
    JIS C 8992-2 太陽電池モジュールの安全適格性確認−第2部 : 試験に関する要求事項
      注記 対応国際規格 : IEC 61730-2:2004,Photovoltaic (PV)   odule safety qualification−Part 2:
             Requirements for testing(IDT)
    JIS C 60068-2-52 環境試験方法−電気・電子−塩水噴霧(サイクル)試験方法(塩化ナトリウム水溶
        液)
      注記 対応国際規格 : IEC 60068-2-52,Environmental testing−Part 2: Tests−Test Kb: Salt mist, cyclic
             (sodium, chloride solution)(IDT)
    JIS Q 17025 試験所及び校正機関の能力に関する一般要求事項
      注記 対応国際規格 : ISO/IEC 17025,General requirements for the competence of testing and calibration
             laboratories(IDT)
    IEC 62108:2007,Concentrator photovoltaic (CPV)   odules and assemblies−Design qualification and type
        approval

3 供試品

  関心のあるPVモジュール又は組立品のモデルの三つの同じ試料について,考慮されるPVモジュール
技術,すなわち,結晶シリコン,薄膜,又は集光形太陽電池(以下,CPVという。)のそれぞれに応じ,
図1,図2又は図3に示す試験手順のいずれかに従って試験する。図示するように,これらの供試品のう
ちの一つはコントロールモジュールとして用いることが望ましい。コントロールモジュールは,塩水噴霧
試験の影響を評価するため,供試品の電気的特性を測定するたびに測定系の再現性確認用として用いるこ
とが望ましい。
  CPVの場合,試料の選択に際して様々な状況が発生する可能性がある。設置場所で焦点を調整する必要
のないCPVシステム又はCPVモジュールでは,図3に示す試験手順を完了するのに,三つのPVモジュ
ールが必要となる。設置場所で焦点を調整する必要があるCPVシステム,又は光学系及び発電部が一体と
なっておらず,設置現場で組み立てる必要があるCPVシステムでは,図3に示す試験手順を完了するのに,
三つのレシーバー(該当する場合,2次光学系を含む)及び三つの1次光学系が必要となる。CPVモジュ
ール,光学系及び発電部が一体となっておらず,設置現場で組み立てる必要があるCPVシステムの様々な

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                                                                                              3
                                                                                   C 8930 : 2017
タイプ及び部品の詳細は,IEC 62108を参照する。
  実物大の試料が大き過ぎて塩水噴霧試験装置に入らない場合,この試験のため小さな代表試料を特別に
設計し,製造することができる。代表試料は,実物大のものと同じ故障メカニズムを示すことができるよ
う,慎重に設計することが望ましい。さらに,代表試料の製造プロセスは,できる限り実物大のものの製
造プロセスと一致することが望ましい。試験が実物大の試料ではなく代表試料で行った場合は,箇条11
のg)に従い,試験報告書に記載し,報告する(箇条11を参照)。
  PVモジュールに接地手段が備わっている場合,それらは試料の部分とする。

4 試験方法

4.1 一般

  図1,図2又は図3に示す全ての試験は,バイパスダイオード機能性試験を除き,引用規格に記載する
JIS又はIEC規格に詳細(目的,装置,手順及び要件を含む)に規定されている(図の注記を参照)。図1,
図2又は図3に示す試験は,規定の順序で行う。CPVについて,この規格に規定する幾つかの試験方法が
特定の設計形状であるために適用できない場合,製造業者は,この件について,試験所と議論し,この規
格に規定する原理に基づいて同等の試験プログラムを作成することが望ましい。変更及び逸脱は,箇条11
のl)に従い,詳細に記録し,報告する。

4.2 バイパスダイオード機能性試験

4.2.1  目的
  供試品のバイパスダイオードが,塩水噴霧試験後も機能を損なわないことを検証する。
    注記 供試品にバイパスダイオードがない又は金属部分をもたないバイパスダイオードである場合,
          この試験は省略される。
4.2.2  装置
  装置は,次による。
a) 供試品の標準状態(STC)での短絡電流の1.25倍までの電流を流すことができる直流電源,及び試験
    中に供試品の電流がモニターできる手段
b) 供試品の電圧を読取値の±0.5 %の精度で測定する装置
c) 試験電流を読取値の±0.5 %の精度で測定する装置
4.2.3  手順
  手順は,次による。この手順は25 ℃±10 ℃の大気温度で実施する。試験中,供試品は照明にさらさな
い。
a) 供試品に組み込まれた逆流防止ダイオードを短絡させる。
b) 供試品の銘板ラベル又は製品仕様書から,供試品のSTCの短絡電流を決定する。
c) 製造業者が推奨する最低限の配線を用いて,直流電流の正極出力を供試品の負極リード線に,及び直
    流電流の負極出力を供試品の正極リード線に,それぞれ接続する。配線区画への配線入力は,製造業
    者の推奨値に従う。この設定において,電流はセルの逆方向に,ダイオードの順方向に流れる。
    注記 あるPVモジュールにおいて,バイパスダイオード回路がオーバーラップしている場合がある。
          この場合,全ての電流が確実に一つのバイパスダイオードを通って流れるようにするため,ジ
          ャンパーケーブルの取付けが必要になることがある。
d) 供試品のSTCの短絡電流の1.25倍(±5 %)に等しい電流を1時間流す。
4.2.4  要求事項

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