JIS K 0141:2000 表面化学分析―データ転送フォーマット | ページ 10

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スペクトル領域数=1以上の整数;
1以上の整数=整数
      (*「1以上の整数」の数値は,0より大きくなければならない。*);
測定者識別子=テキスト行;
データ値=実数;
実数=十進数,['E',[符号],[数字]−],改行
      (*「実数」の値は−1E37以上−1E−37以下,0,又は1E−37以上1E37以下である。
      空項が続く負号は,それが存在するならば,その後の指数部に少なくとも一つの数値が必要なこ
      とを示す。
      *);
測定試料識別子=テキスト行;
測定試料法線極角=実数;
測定試料法線方位角=実数;
測定試料回転角=実数;
秒時刻=整数;
符号='+' | '−';
1掃引当たり積算時間=実数;
信号モード= ('analogue' | 'pulse counting'),改行
      (*ディジタルで記録されているかどうかは別に,アナログ信号は符号とブロックコメントに記
      録されるであろうゲインの値をもつ。パルスカウントによる信号は,0又はそれ以上の整数である。
      *);
1掃引当たり積算時間補正=実数;
化学種ラベル=テキスト行;
スパッタイオン又はスパッタ原子の原子番号=1以上の整数;
スパッタイオン又はスパッタ原子の符号付き電荷=1以上の整数;
スパッタモード= ('continuous' | 'cyclic'),改行;
スパッタ源入射方位角=実数;
スパッタビーム電流=実数;
スパッタエネルギー=実数;
スパッタ源入射極角=実数;
スパッタ幅x=実数;
スパッタ幅y=実数;
測定試料バイアス電圧=実数;
測定手法=     ('AES diff' | 'AES dir' | 'EDX' | 'ELS' | 'FABMS' | 'FABMS energy spec' | 'ISS' | 'SIMS' | 'SIMS
               energy spec' | 'SNMS' | 'SNMS energy spec' | 'UPS' | 'XPS' | 'XRF'),改行;
テキスト行=80*[文字],改行;
遷移記号又は準位記号=テキスト行;
単位= ('c/s' | 'd' | 'degree' | 'eV' | 'K' | 'micro C' | 'micro m' | 'm/s' | 'n' | 'nA' | 'ps' | 's' | 'u' | 'V'),改行
      (*これらの記号は,次の単位の略号である。
             'c/c'         カウント毎秒

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K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)
             'd'           無次元−ただの数値,例,チャンネル当たりカウント数
             'degree'      角度
             'eV'          電子ボルト
             'K'           ケルビン
             'micro C'     マイクロクーロン
             'micro m'     マイクロメートル
             'm/s'         メートル毎秒
             'n'           ここでは無定義−ラベルに記入してもよい
             'nA'          ナノアンペア
             'ps'          ピコ秒
             's'           秒
             'u'           原子質量単位
             'V'           ボルト
      *);
実験変数値=実数;
西暦年=整数;
ゼロ以上の整数=整数
      (*「ゼロ以上の整数」の値は0以上でなければならない。*);
C.4 AES, EDX又はSIMSなどの一測定手法に関して異なる元素の強度で記述される幾つかのマップを含
む実験。一つのマップは (1, 1) から始まるX軸−走査で構成され,かつ一つの実験変数によって変化する。
B.2.3からの例がここに示されている。
実験=     フォーマット識別子,
           機関識別子,
           装置型式識別子,
           測定者識別子,
           実験識別子,
           注釈行数,
          {注釈行}
              (*「注釈行数」の数値によって「注釈行」の数が規定される。
              注釈は最新の装置校正についての詳細を含んでもよい。*),
              'MAPSV',改行,
              'MAPPING',改行,
              '1',改行,
              実験変数ラベル,
              実験変数単位,
              '0',改行,
              '0',改行,
              '0',改行,
              '0',改行,

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              ブロック数,
              {ブロック}−
                  (*上記の空白が続いているマイナス符号の意味は,少なくとも一つはブロックが
                  存在しなければならないことを示す。
                  「ブロック」数の数値によって,「ブロック」の数を規定する。*),
              実験終了符;
ブロック=    ブロック識別子,
              試料識別子,
              西暦年
                  (*グレゴリオ暦で省略せず記入。例 : '1998' *),
              月時刻,
              カレンダー日,
              時,
              分時刻,
              秒時刻
                  (*上の六つの値のどれかが不明な場合,ダミーとして−1の値を入れなければなら
                  ない。*),
              グリニジ標準時差,
              ブロック注釈行数,
              {注釈行}
                  (*上記「注釈行数」の数値によって「注釈行」の数を規定する。*),
              測定手法,
              実験変数の値
                  (*「実験変数の値」は,例えば,秒単位の合計時間や,秒単位の合計スパッタ時
                  間,単位m2当たり照射イオン量で表した合計スパッタ量,ケルビン単位の温度,eV
                  単位のエネルギー,原子質量単位の質量などを表すことができる。この値が時間と
                  ともに滑らかに変化する場合,「実験変数ラベル」に特記しない限り,ブロックデ
                  ータの記録を始めた点における値とする。*),
              分析線源ラベル,
              [スパッタイオン又はスパッタ原子の原子番号,
              スパッタイオン又はスパッタ原子の原子数,
              スパッタイオン又はスパッタ原子の符号付き電荷]
                  (*この3個は「測定手法」が 'FABMS', 'FABMS energy spec', 'ISS', 'SIMS', 'SIMS
                  energyspec', 'SNMS', 'SNMS energy spec' のいずれかである場合には必すで,その
                  場合に限り挿入する。*),
              分析線源特性エネルギー
                  (*eV単位のエネルギー。*),
              分析線源強度
                  (*XPSとXRFではW単位の出力,AES,EDX,ISS,SIMS,SNMSではnA単位
                  のビーム電流,FABMSではビーム等価量。*),

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K 0141 : 2000 (ISO 14976 : 1998)
              分析線源ビーム幅x
                  (*マイクロメータ単位の,試料位置で励起ビームに垂直な平面内における幅。*),
              分析線源ビーム幅y
                  (*マイクロメータ単位の,試料位置で励起ビームに垂直な平面内における幅。*),
              視野幅x
                  (*マイクロメータ単位。*),
              視野幅y
                  (*マイクロメータ単位。*),
              '1',改行,
              '1',改行,
              初走査線の開始x座標,
              '1',改行,
              最終走査線の終了x座標,
              最終走査線の終了y座標
                  (*上の六つの入力項目は,「実験モード」が 'MAPSV', 'MAPSVDP',又は 'SEM'
                  の場合に必すで,その場合に限り挿入する。これらは,マップのサイズと形を規定
                  し,試料上の位置と走査シーケンスを関係づけるのに必要である。下に示したよう
                  に,用いられる座標系は,x値は1から始まりフレームの左端から右端に向かって増
                  加し,y値は1から始まりフレームの上から下に向かって増加する。
                  *),
              分析線源入射極角
                  (*度単位の,試料ステージで定義された座標系の上方向z軸からの角度。*),
              分析線源方位角
                  (*度単位の,試料ステージで定義された座標系のy軸から時計周りの角度。*),
              分光器モード,
              分光器通過エネルギー,減速比,又は質量分解能
                  (*エネルギーはeV単位,質量はamu単位。*),
              [微分幅]
                  (*正弦波変調又はコンピュータでの数値微分のピーク間をeVで表記する。
                  「微分幅」は,「測定手法」が 'AES diff' のときだけ挿入する。*),
              分光器投射レンズの倍率,
              分光器仕事関数,原子,又はイオンの取り込みエネルギー
                  (*AES,ELS,ISS,UPS,XPSに対しては仕事関数の正の値をeVで表記する。
                  FABMS,SIMS,SNMSに対しては,イオンの取り込みエネルギーとは質量分析器の
                  付属するエネルギーフィルタにおけるパスエネルギーのことである。*),

――――― [JIS K 0141 pdf 49] ―――――

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              測定試料バイアス
                  (*「測定試料バイアス」は,符号を含めV単位で。*),
              分析領域幅x
                  (*「分析領域幅x」は,FABMS,FABMS energy spec,ISS,SIMS,SIMS energy spec,
                  SNMS,SNMS energy specに対しては,ビームに垂直な平面における線源の幅をx方
                  向に投影した信号幅,AES diff,AES dir,ELS,UPS,XPSに対しては,分光器スリ
                  ット長さを分光器投射レンズのスリットに対する倍率で割ったもの,EDXとXRFに
                  対しては,線源の幅のx方向成分とする。
                  「分析領域幅x」はマイクロメータ単位。*),
              分析領域幅y
                  (*y方向について「分析領域幅x」と同様。*),
              分光器軸極角
                  (*度単位の,試料ステージで定義された座標系の上方向z軸からの角度。*),
              分光器軸方位角
                  (*度単位の,試料ステージで定義された座標系のy軸から時計周りの角度。*),
              化学種ラベル
                  (*元素記号又は分子式。*),
              遷移記号又は準位記号
                  (*例 : AESの場合 'KLL',XPSの場合 '1s',SIMSの場合 '−1'。*),
              検出粒子電荷
                  (*例 : AES及びXPSの場合−1,正電荷SIMSの場合+1。*),
              対応変数の数
                  (*もしデータが二つ以上の変数に対応するデータセットの形になっている場合に
                  は,「対応変数の数」は変数の数と同じでなければならない。そうでない場合は1。
                  *),
             {対応変数ラベル,
              対応変数単位}
                  (*「対応変数の数」の数値によって,上の入力項目対の数が規定される。*),
              信号モード,
              1掃引当たり積算時間
                  (*個々のチャンネル又は一連の測定点のそれぞれに対して,1回のスキャン時にお
                  ける計数時間で,秒で記述される。XRF及びEDXの場合は全スペクトルの測定時間
                  とする。*),
              ブロックのデータ測定繰返し回数,
              1掃引当たり積算時間補正
                  (*EDX,XRF以外に対しては系の不感時間のことである。EDX,XRFの場合には,
                  寿命補正済み測定時間である。不感時間の場合,正の値ならば計数率は(1−単位時
                  間当たり計数量×不感時間)で割り算しなければならないし,負の値ならば[exp(真
                  の計数量×不感時間)]で掛け算して補正しなければならない。もしスペクトルが
                  既に不感時間補正されている場合には,この項の値はゼロで,用いられた不感時間

――――― [JIS K 0141 pdf 50] ―――――

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