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R 1641 : 2007
IA0 : 挿入損失の測定値 (dB)
b) 比導電率 r
2
3
2 2 2 D
4 f0Qu j01 2
2H
r 3 (16)
2
2 D
0 0c2 j01
2H
ここに, 空洞共振器の比導電率
5.8×107 (S/m)
4 10−7 (H/m)
10. 試験試料の比誘電率 及び誘電正接tan 湮 定
10.1 試験試料
試料の平行度及び平たん度が測定精度に大きな影響を与えるので,試料は精度良く仕上
げる必要がある。試料は円板(直径d)又は角板(短い方の長さd)とし,その大きさはd>1.2 Dとする。
厚さtはt/D<0.1とする。
なお,tはマイクロメータによって,最小読取り0.001 mmまで測定する。
10.2 共振周波数f0の推定
空洞共振器の寸法,試験試料の厚みt,及び試験試料の比誘電率 の概略値か
ら,次の,式(17)(22)によってTE011モードの共振周波数f0を推定する。ただし,D=35 mm,H=25 mm
のときは計算を省略して,図9からf0の概略値を求めることができる。
なお, の概略値は低周波などであらかじめ測定しておくことが望ましい。
t
X tan X Y cot Y (17)
2M
t 2 2
X k0 kr , 0( X ) (18)
2 2
2 2
Y M k0 kr jY (19)
2 f0
k0 (20)
c
j01 .3831 7
kr (21)
R R
ただし,式(19)において根号内が負になる場合は,式(17)の代わりに次の式(22)を用いる。
t
X tan X Y coth Y (22)
2M
ここに, X,Y,Y : f0を計算するためのパラメータ
f0 : 共振周波数 (Hz) の推定値
M : 空洞共振器の高さHの1/2,M=H/2 (m)
j : 虚数単位
k0 : 自由空間波数
kr : 半径方向の波数
c : 2.997 9×108m/s
――――― [JIS R 1641 pdf 16] ―――――
R 1641 : 2007
pdf 目次
j 01 : 3.831 7
R : 空洞共振器の内径Dの1/2,R=D/2 (m)
13
11 ε=2
共
振
周 4
9
波 6
数
f0 8
7 10
(GHz)
15
5 20
30
40
3
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
t(mm)
図9 TE011モードの共振周波数 (D=35 mm, H=25 mm)
10.3 測定手順
測定手順は,次による。
a) 図3 d) の基準レベル測定ケーブルを図2の測定装置に接続し,測定する周波数範囲の透過減衰量を測
定し,基準レベル(全透過レベル)とする。
b) 図3 b) の試験試料を挟んだ空洞共振器を,図2の測定装置に接続する。
c) 10.2で求めたf0の推定値を参考に,ネットワークアナライザを調整し,TE011モードの共振ピークをデ
ィスプレイ上に表示させる。
d) 共振ピークの挿入損失IA0が約30 dBとなるように,結合ループの位置を調整する。このとき,試験
試料と左右の結合ループとの間の距離は互いに等しくなるようにする。
e) 0 (Hz),電力半値幅 Hz) 及びIA0 (dB)(図8参照)を測定する。ネットワークアナライザにマー
カ機能又はスイープアベレージング機能があれば,迅速に再現性の高い測定が可能になる。
10.4 比誘電率 の計算 比誘電率は,次の手順で計算し,有効数字5けたまで求める。
a) 0,kr
2πf0
k0 (23)
c
j01 .3831 7
kr (24)
R R
b) ,Y
k0>krのときは,式(25)によってYを計算する。
2 2r
Y M k0 k (25)
k02 2
Y M kr k0 (26)
――――― [JIS R 1641 pdf 17] ―――――
R 1641 : 2007
c) X
k0>krのときは,Yを次の特性方程式に代入してXを求める。
t
X tan X Y cot Y (27)
2M
k0t
X tan X Y coth Y (28)
2M
s 攀
d)
s
k0>krのときは,X,Yを式(29)に代入して
2 2
c 2 2 t
s X Y 1 (29)
tf 0 2M
k0s
2 2
c 2 2 t
s X Y 1 (30)
tf 0 2M
s 縁端効果を無視したときの比誘電率
ここに,
e)
s1
(pdf 一覧ページ番号 )
s
ここに, : 比誘電率
/ s : 縁端効果の補正項。図10参照。
10.5 比誘電率 の誤差の計算 の誤差を,式(32)によって計算する。
2 2 2 2 2
f t D H (32)
ここに, の誤差
Δ 攀 Δf : 0fの標準偏差f の誤差
f
Δ攀 Δt : tの標準偏差に の誤差
t
Δ攀 ΔD : 準偏差 の誤差
D
Δ攀 ΔH : Hの標準偏差 の誤差
H
10.6 誘電正接tan 算 tanδは,次の手順で計算し,有効数字4けたまで求める。
a) A
We2
A 1We1 (33)
――――― [JIS R 1641 pdf 18] ―――――
R 1641 : 2007
pdf 目次
2 2 sin 2X
We1 0 s
202
j01J0 ( j01 ) t 1 (34)
8 2X
k0>krのときは,式(35)からW2eを求める。
2 2 sin 2Y cos 2 X
We2 0
20 2
j01J0 j01 M 1 (35)
4 2Y sin 2 Y
k02 2 sinh 2Y cos 2 X
We2 0
20 2
j01J0 j01 M 1 (36)
4 2Y sinh 2 Y
ここに, A : tanを計算するためのパラメータ
δ
W1e : 試験試料内部の電界の蓄積エネルギー
W2e : 空洞部の電界の蓄積エネルギー
0ε : 真空の誘電率 (
0 .8854 0 10 12F/m)
0μ : 真空の透磁率 (
μ0 4 10 7
H/m)
ω : 共振角周波数 ( 2f0 )
0j
J( )
01
: ベッセル関数J0の値 [(
J0j 01 )
0.402 76]
b) B
Pcy1 Pcy 2Pend
B (37)
RsWe1
20 sin 2X
Pcy1 RsJ j'01 tRk4r 1 (38)
4 2X
k0>krのときは,式(39),(40)からPcy2,Pendを求める。
20 sin 2Y cos 2 X
Pcy2 Rs J j01 MRk4r 1 (39)
2 2Y sin 2 Y
2
2 20 Y cos 2 X
Pend Rs j01 J j01 (40)
2 M sin 2 Y
k02 sinh 2Y cos 2 X
Pcy2 Rs J0j01 MRk4r 1 (41)
2 2Y sinh 2 Y
2
Y cos 2 X
Pend Rs j01 2J02
j01 (42)
2 M sinh 2 Y
ここに, B : tanを計算するためのパラメータ
δ
Pcy1 : 共振器の内側面のうち試験試料挿入部の導体損失
Pcy2 : 共振器の内側面のうち空洞部の導体損失
Pend : 共振器の底面の導体損失
Rs : 共振器の内面の表面抵抗
(Rs 0 / 2 r 0)
0
国際標準軟銅の20 ℃における導電率
( σ0 8.5 10 7 S/m)
――――― [JIS R 1641 pdf 19] ―――――
R 1641 : 2007
r 0σに対する共振器の内側面の実効的な比導電率
c) u
f0
f0
Qu IA0
(pdf 一覧ページ番号 )
1 10 20
ここに, Qu : TE011モードの無負荷Q
d) tan
A A B
tan 1 RsB 1 (44)
Qu A B
ここに, tan :
δ 誘電正接
A/ A : 縁端効果の補正項,図11から求める。
B/ B : 縁端効果の補正項,図11から求める。
10.7 誘電正接tan 差の計算tanの誤差を,式(45)によって計算する。
δ
2 2 2
tan tanQ tanσ (45)
ここに, tanδ : tanの誤差
δ
tan : Quの標準偏差 儀田 δ
tanの誤
tan Q ΔQu
Qu 差
tan : 爰 準偏差 tanの誤
δ
tan σ r
r 差
――――― [JIS R 1641 pdf 20] ―――――
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JIS R 1641:2007の国際規格 ICS 分類一覧
- 81 : ガラス及びセラミック工業 > 81.060 : セラミックス > 81.060.30 : ニューセラミックス
- 31 : エレクトロニクス > 31.200 : 集積回路.マイクロエレクトロニクス
- 31 : エレクトロニクス > 31.140 : 圧電素子及び誘電素子
- 29 : 電気工学 > 29.035 : 絶縁材料 > 29.035.30 : セラミック及びガラス絶縁材料
JIS R 1641:2007の関連規格と引用規格一覧
- 規格番号
- 規格名称
- JISB0601:2013
- 製品の幾何特性仕様(GPS)―表面性状:輪郭曲線方式―用語,定義及び表面性状パラメータ
- JISB7502:2016
- マイクロメータ
- JISB7507:2016
- ノギス
- JISR1600:2011
- ファインセラミックス関連用語