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ISO 12406:2010の概要
ISO12406:2010の規格概要
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Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Method for depth profiling of arsenic in silicon
ISO 12406:2010は、シリコン中のヒ素の深さプロファイリングに磁気セクターまたは四重極質量分析計を使用し、深さ校正にスタイラスプロフィロメトリーまたは光干渉法を使用する二次イオン質量分析法を指定しています。
※一部、英文及び仏文を自動翻訳した日本語訳を使用しています。
ISO12406:2010 国際規格 情報
- ISO 国際規格番号
- ISO 12406:2010
- ISO 国際規格名称
- Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Method for depth profiling of arsenic in silicon
- ISO 規格名称 日本語訳
- 表面化学分析 — 二次イオン質量分析 — シリコン中のヒ素の深さプロファイリングの方法
- 発行日 (Publication date)
- 2010-11-08
- 更新日：確認日 (Update date,Date confirmed)
- 2021-09-03
- 状態 (Status)
- 公開中,公開済み (Published)
- 改訂 (Edition)
- 1
- PDF ページ数 (Number of pages)
- 13
- TC（専門委員会）:Technical Committee
- ISO/TC 201/SC 6：二次イオン質量分析法 (Secondary ion mass spectrometry)
- ICS：International Classification for Standards（国際規格分類）
- 71.040.40：化学分析 (Chemical analysis)
- ISO 対応 JIS 規格
- ICS 対応 JIS 規格
- ICS > 71 > 71.040 > 71.040.40
ISO 12406:2010 関連規格 履歴一覧
ISO12406:2010 対応 JIS 規格一覧
ISO12406:2010 ICS 対応 JIS 規格
ICS > 71：化学技術 > 71.040：分析化学 > 71.040.40：化学分析
正誤表/修正 一覧 (Corrigenda/Amendments)
改訂 一覧 (Revised)
SDGs 情報
この規格は、以下の持続可能な開発目標 (Sustainable Development Goal)に貢献します。
- 目標 7 手ごろな価格でクリーンなエネルギー (Affordable and Clean Energy)
- 目標 9 産業、イノベーション、インフラストラクチャ (Industry, Innovation and Infrastructure)
- 17の目標 : [Sustainable Development Goal]
SDGsとは、「Sustainable Development Goals（持続可能な開発目標）」の略称で、2015年9月に国連で採択された2030年までの国際開発目標。
17の目標と169のターゲット達成により、「誰一人取り残さない」社会の実現に向け、途上国及び先進国で取り組むものです。