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ISO 17560:2014 表面化学分析—二次イオン質量分析—シリコン中のホウ素の深さプロファイリングの方法

ISO 17560:2014の概要

ISO17560:2014の規格概要

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Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Method for depth profiling of boron in silicon

ISO 17560:2014は、シリコン中のホウ素の深さプロファイリングに磁気セクターまたは四重極質量分析計を使用し、深さスケールのキャリブレーションにスタイラスプロフィロメトリーまたは光干渉法を使用する二次イオン質量分析法を指定しています。

※一部、英文及び仏文を自動翻訳した日本語訳を使用しています。

ISO17560:2014 国際規格 情報

ISO 国際規格番号
ISO 17560:2014
ISO 国際規格名称
Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Method for depth profiling of boron in silicon
ISO 規格名称 日本語訳
表面化学分析 — 二次イオン質量分析 — シリコン中のホウ素の深さプロファイリングの方法
発行日 (Publication date)
2014-09-10
更新日：確認日 (Update date,Date confirmed)
2020-01-21
状態 (Status)
公開中,公開済み (Published)
改訂 (Edition)
2
PDF ページ数 (Number of pages)
10
TC（専門委員会）:Technical Committee
ISO/TC 201/SC 6：二次イオン質量分析法 (Secondary ion mass spectrometry)
ICS：International Classification for Standards（国際規格分類）
71.040.40：化学分析 (Chemical analysis)
ISO 対応 JIS 規格
ICS 対応 JIS 規格
ICS > 71 > 71.040 > 71.040.40

ISO 17560:2014 関連規格 履歴一覧

ISO17560:2014 対応 JIS 規格一覧

ISO17560:2014 ICS 対応 JIS 規格

ICS > 71：化学技術  > 71.040：分析化学  > 71.040.40：化学分析

正誤表/修正 一覧 (Corrigenda/Amendments)

改訂 一覧 (Revised)

SDGs 情報

この規格は、以下の持続可能な開発目標 (Sustainable Development Goal)に貢献します。