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C 5953-5 : 2008
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表3−電気的特性及び光学的特性(続き)
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項目番号 項目 記号 要求値 単位 参照規格
-
5 : 2
最小 代表 最大
0
24 アラーム出力電圧(高レベル)d) 表6及び表7参照 JIS C 5954-2
08
25 アラーム出力電圧(低レベル)d) 表6及び表7参照 JIS C 5954-2
26 シャットダウン入力電圧(高レベル)e) 表8参照 JIS C 5954-2
27 シャットダウン入力電圧(低レベル)e) 表8参照 JIS C 5954-2
28 バイアス制御電圧(高レベル)f) VBiasH
29 バイアス制御電圧(低レベル)f) VBiasL
30 ライン符号 スクランブルドNRZ
31 無信号入力時ファイバ結合パワーg)
− Class B −40 dBm IEC 61280-1-1
− Class C −43 dBm
32 送信器反射戻り光耐性h) −15 dB
33 同一符号連続耐性b)
34 ジッタ・ジェネレーションb)
35 ジッタ耐力b)
36 ジッタ伝達b)
注a) TU-T G.983.1の8.2.6.3の内容に従い,擬似ランダム信号を送信器に入力する。
b) これらの項目は,ITU-T G.983.1の仕様に従わなければならない。
c) この項目は,参照規格に記載した測定方法に基づいて測定する(附属書A参照)。
d) アラーム出力は負論理である。アラーム機能の試験は,トランシーバに光信号入力がない場合には“低レベル”信号を出力し,項目番号11での規定値を超
える光信号入力がある場合には“高レベル”信号を出力しなければならない(附属書B参照)。
e) シャットダウン入力は,負論理である。シャットダウン機能の試験は,シャットダウン端子に“低レベル”信号を入力した場合,項目番号31で規定した値
以下のファイバ結合が得られ,かつ,シャットダウン端子に“高レベル”信号を入力した場合,項目番号2で規定した範囲内の光ファイバ結合パワーを得
なければならない(附属書B参照)。
f) 制御電圧のタイミング,パルス幅及び電圧レベルに関しては,製造業者と使用者との間で協定しなければならない。
g) この項目の定義図を図4に記載する。
h) この項目の測定系を図5に記載する。
C5 953-
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――――― [JIS C 5953-5 pdf 11] ―――――
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C 5953-5 : 2008
クロック及びデータ入出力インタフェースは,表4又は表5に示す仕様に従わなければならない。それ
ぞれの表に規定するインタフェース仕様は,標準的なPECL及びTLVTTLインタフェースによる。
表4−電気インタフェース特性(PECLタイプ)
項目 記号 要求値 単位
最小 代表 最大
クロック入力電圧(高レベル) VCINH−VSUP −1.17 − −0.88 V
クロック入力電圧(低レベル) VCINL−VSUP −1.81 − −1.43 V
データ入力電圧(高レベル) VDINH−VSUP −1.17 − −0.88 V
データ入力電圧(低レベル) VDINL−VSUP −1.81 − −1.43 V
クロック出力電圧(高レベル)a) COUTH−VSUP − −0.96 − V
クロック出力電圧(低レベル)a) COUTL−VSUP − −1.71 − V
データ出力電圧(高レベル)a) VDOUTH−VSUP − −0.96 − V
データ出力電圧(低レベル)a) VDOUTL−VSUP − −1.71 − V
注a) 出力端子は,電源電圧 (VSUP)−2 Vに終端する。
表5−電気インタフェース特性(TLVTTLタイプ)
項目 記号 要求値 単位
最小 代表 最大
クロック入力電圧(高レベル) VCINH VCINL+0.3 − VSUP V
クロック入力電圧(低レベル) VCINL − − VCINH−0.3 V
クロック入力電圧(振幅中心) VCcenter VSUP/2−0.1 − VSUP/2+0.1 V
データ入力電圧(高レベル) VDINH VDINL+0.3 − VSUP V
データ入力電圧(低レベル) VDINL − − VDINH−0.3 V
データ入力電圧(振幅中心) VDcenter VSUP/2−0.1 − VSUP/2+0.1 V
クロック出力電圧(高レベル)a) VCOUTH VTT+0.4 − − V
クロック出力電圧(低レベル)a) VCOUTL − − VTT−0.4 V
データ出力電圧(高レベル)a) VDOUTH VTT+0.4 − − V
データ出力電圧(低レベル)a) VDOUTL − − VTT−0.4 V
注a) TT=1.51.8 V
アラーム出力インタフェースは,表6又は表7に示す仕様に従わなければならない。これらのインタフ
ェース仕様は,電源電圧が表2で明確に規定していることを除き,EIA/JEDEC JESD8-Bによる。それぞ
れの表に規定するインタフェース仕様は,標準的なLVCMOS及びTLVTTLインタフェースによる。
表6−アラーム出力電圧の電気インタフェース特性(TLVTTLタイプ)
項目 記号 要求値 単位
最小値 代表値 最大値
アラーム出力電圧(高レベル)a) VALH 2.4 − − V
アラーム出力電圧(低レベル)a) VALL − − 0.4 V
注a) 3.1353.465 Vの電源電圧範囲において,高レベル及び低レベルでの出力電流が,それぞれ−2 μA及び2 μA
となる条件で試験する。
――――― [JIS C 5953-5 pdf 12] ―――――
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C 5953-5 : 2008
表7−アラーム出力電圧の電気インタフェース特性(LVCMOSタイプ)
項目 記号 要求値 単位
最小値 代表値 最大値
アラーム出力電圧(高レベル)a) VALH VSUP−0.2 − − V
アラーム出力電圧(低レベル)a) VALL − − 0.2 V
注a) 3.1353.465 Vの電源電圧範囲において,高レベル及び低レベルでの出力電流が,それぞれ−100 μA及び100
μAとなる条件で試験する。
シャットダウン入力インタフェースは,表8に示す特性に従わなければならない。これらのインタフェ
ース特性は,電源電圧が表2で明確に規定していることを除き,EIA/JEDEC JESD8-Bを参照。
表8−シャットダウン入力電圧の電気インタフェース特性(PECLタイプ及びTLVTTLタイプ)
項目 記号 要求値 単位
最小値 代表値 最大値
シャットダウン入力電圧(高レベル)a) SDH 2.0 − VSUP+0.3 V
シャットダウン入力電圧(低レベル)a) SDL −0.3 − 0.8 V
注a) 3.1353.465 Vの電源電圧範囲において試験する。
クロック信号とデータ信号との位相関係を図2に示す。データ信号は,クロック信号の下降エッジでラ
ッチする。
図2−クロック信号とデータ信号との位相関係
TLVTTLタイプインタフェースの推奨電気回路図例を,図3に示す。
――――― [JIS C 5953-5 pdf 13] ―――――
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C 5953-5 : 2008
図3−TLVTTLタイプインタフェースの推奨電気回路図(例)
無信号入力時のファイバ結合パワー(表3の項目番号31)の定義を,図4に示す。光パワーの測定方法
は,基本的にはIEC 61280-1-1によるが,詳細は,製造業者と顧客との間で取り決める。
図4−送信器無信号入力時のファイバ結合パワーの定義図
送信器反射戻り光耐性(表3の項目番号32)の測定系の一例を,図5に示す。反射器による反射戻り光
量は,ファイバ結合パワーの−15 dBとなるように設定する。波形モニタで観測した光出力波形が,表3
の項目番号4の送信器アイパターンマスクの規定を満足するか否かによって良否判定を行う。
――――― [JIS C 5953-5 pdf 14] ―――――
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C 5953-5 : 2008
図5−送信器反射戻り光耐性の測定系
6 試験
定期試験プログラムを実施することで,品質状態が維持されていることを確認する。特記事項がない限
り,すべての試験における温度条件は,25 ℃±2 ℃とする。
6.1 特性試験
6.1.1 送信器
送信器の特性試験は,表9に基づいて実施する。試験サンプル数は,各顧客向けの製造ロットから最低
11個選ぶ。試験ロットは,製造業者ごとに規定する。光トランシーバの設計に何らかの変更を施した場合
には,再度,この試験を実施しなければならない。
表9−送信器特性試験
試験条件
項目 各顧客向けの製造ロットから最低11個 判定規格 判定規格 単位
最小値
ケース温度 : (−5 ℃±2 ℃), (25 ℃±2 ℃), (75 ℃±2 ℃) 最大値
電源電圧 (Vcc) : (Vnom−5 %) , (Vnom) V, (Vnom+5 %)
平均ファイバ結合 シングルモード・ファイバ : 155.52 Mbit/s (RBS 223−1)
パワー −Class B −4.0 +2.0 dBm
−Class C −2.0 +4.0
中心波長 シングルモード・ファイバ : 155.52 Mbit/s (PRBS 223−1)
1 260 1 360 nm
スペクトル幅 シングルモード・ファイバ : 155.52 Mbit/s (PRBS 223−1)
−
−MLMレーザ 5.8 nm
−SLMレーザ 1.0
消光比 155.52 Mbit/s方形波 10 dB
アイダイアグラム・ −
4次ベッセル・トムソン・フィルタ(カットオフ周波数は, −
マスクテストa) 0.75×155.52 MHz) : 155.52 Mbit/s (PRBS 223−1)
ファイバ結合パワ 155.52 Mbit/s (PRBS 223−1) −
ーのシャットダウ シャットダウン入力電圧 : 低レベル
ン試験 −Class B −40 dBm
−Class C −43
注a) 上り及び下りのアイパターンマスクは,ITU-T G.983.1に規定している。
光波形は,これらのマスクにかかってはならない。
6.1.2 受信器
受信器の特性試験は,表10に基づいて実施する。試験サンプル数は,各顧客向けの製造ロットから最低
11個選ぶ。試験ロットは,製造業者ごとに規定する。光トランシーバの設計に何らかの変更を施した場合
には,再度,この試験を実施しなければならない。
――――― [JIS C 5953-5 pdf 15] ―――――
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JIS C 5953-5:2008の引用国際規格 ISO 一覧
- IEC 62149-5:2003(MOD)
JIS C 5953-5:2008の国際規格 ICS 分類一覧
- 33 : 電気通信工学.オーディオ及びビデオ工学 > 33.180 : 光ファイバ通信 > 33.180.20 : 光ファイバ接続装備
JIS C 5953-5:2008の関連規格と引用規格一覧
- 規格番号
- 規格名称
- JISC5901:2001
- 光伝送用受動部品試験方法
- JISC5952-1:2008
- 光伝送用能動部品―パッケージ及びインタフェース標準―第1部:総則
- JISC5952-6:2008
- 光伝送用能動部品―パッケージ及びインタフェース標準―第6部:ATM-PON用光トランシーバ
- JISC5954-2:2008
- 光伝送用能動部品―試験及び測定方法―第2部:ATM-PON用光トランシーバ
- JISC5961:2005
- 光ファイバコネクタ試験方法
- JISC60068-2-27:2011
- 環境試験方法―電気・電子―第2-27部:衝撃試験方法(試験記号:Ea)
- JISC60068-2-6:2010
- 環境試験方法―電気・電子―第2-6部:正弦波振動試験方法(試験記号:Fc)
- JISC6802:2014
- レーザ製品の安全基準