JIS C 61000-4-2:2012 電磁両立性―第４－２部：試験及び測定技術―静電気放電イミュニティ試験 | ページ 7

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                                                            C 61000-4-2 : 2012 (IEC 61000-4-2 : 2008)
    い。
− ターゲットを取り付けた中心から各辺まで0.6 m以上ある垂直校正板(図B.5参照)。
− 要求事項に対して十分な電力容量がある減衰器。
    注記 適切なターゲットの例は,附属書Cを参照。
B.4.3 ESD発生器の接触放電における校正手順
  ターゲットは,B.4.2を満足する垂直校正板の中央に取り付ける。ESD発生器の放電リターンケーブル
は,ターゲットの真下0.5 mの位置に接続する。放電リターンケーブルは,二等辺三角形を形成して,ケ
ーブルの中央を後方に引く。校正中に放電リターンケーブルは,床に接触してはならない。
  ESD発生器の電流波形が仕様内にあることを確認するために,表B.1に示す手順に従う。電流波形を記
録し,次の値を測定する。
Ip  : 放電電流のピーク値(A)
I30  : Ipの10 %に達した時点から30 ns後の電流値(A)
I60  : Ipの10 %に達した時点から60 ns後の電流値(A)
tr  : 電流の立上り時間(ns)
                                表B.1−接触放電における校正手順
  順番      項目                    手順                                 説明
    1    波形記録     表1で規定した各試験レベルを両方の極仕様は全て5回放電に合わせる。
                      性で5回放電し,各波形を記録する。
    2    測定                                            パラメータは各試験レベルで確認する。
                      各波形のIp,I30,I60及びtrを測定する。
    3    30 ns点での I30が表3に従った値であることを確認すパラメータは各試験レベルで確認する。
         電流確認    る。                                例えば,試験レベル1のときは,4 A±30 %と
                                                         なる。
    4    60 ns点での I60が表3に従った値であることを確認すパラメータは各試験レベルで確認する。
         電流確認    る。                                例えば,試験レベル1のときは,2 A±30 %と
                                                         なる。
    5    最大電流確認 Ipが表3に従った値であることを確認すパラメータは各試験レベルで確認する。
                      る。                               例えば,試験レベル1のときは,7.5 A±15 %
                                                         となる。
    6    立上り時間確trが0.8 ns±25 %となることを確認する。 パラメータは各試験レベルで確認する。
         認

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C 61000-4-2 : 2012 (IEC 61000-4-2 : 2008)
注記1 ESD発生器を,非金属で低損失な三脚又は支持台に設置する。
注記2 試験時と同様に,ESD発生器に電源を供給する。
注記3 この図とは逆に,ESD発生器及びターゲットを遮蔽きょう体の中に設置してもよい。
                            図B.5−ESD発生器の校正の代表的な配置例
  ESD発生器からの電磁放射による測定システムへの間接結合が,校正結果に影響しないことを証明でき
る場合,オシロスコープの遮蔽は不要とする。
  次の場合に,オシロスコープのトリガーが動作しないとき,測定システムは十分な耐性をもっている(す
なわち,遮蔽きょう体は不要)と判断できる。
− オシロスコープのトリガーレベルを最も低い校正レベルの10 %以下に設定する。
− ターゲットの(内側の電極の代わりに)外部導体にESD発生器を接触させ,最大校正レベルにして放
    電する。

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                                          附属書C
                                          (参考)
                  附属書Bの要求事項に適合するターゲットの例
  附属書Bの要求事項に適合するターゲットの詳細構造を図C.1図C.5に示す。このターゲットは,長
さ1 mの同軸ケーブル(RG400)を使用した場合,平たんな挿入損失特性を示すように設計している。多
重反射を防ぐために,20 dB以上の減衰器をターゲットの出力ポートに直接接続することを推奨する。
    注記 図C.1図C.5は一例であるので,寸法の許容差は指定していない。
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                  図C.1−ターゲットの構造図(1/5)(1 真ちゅう製の本体部品)

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C 61000-4-2 : 2012 (IEC 61000-4-2 : 2008)
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チップ抵抗  : 0805
抵抗値      : 例えば51 圀
配置        : テンプレートを用いて正確に放射状に配置してはんだ付け
材料        : 0.5 mm FR-4金めっき
スルーホール  : 抵抗の両側それぞれに2列のビアホール,及びプリント基板の外縁に近い部分に1列のスルーホール
            を設ける。約25個の抵抗が必要になる。
注記 合成抵抗値が2.1 Ω以下となるように,抵抗値及び個数を選択する必要がある。
                      図C.2−ターゲットの構造図(2/5)(2 プリント基板)

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                                                                                      単位 mm
   3 ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)製の絶縁部品I
                                                                4 PTFE製の絶縁部品II
             5 真ちゅう製の中心導体部品I
            7 ステンレス製の中心導体部品II
                                                                   6 SMAコネクタ
                               図C.3−ターゲットの構造図(3/5)

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