JIS C 61000-4-2:2012 電磁両立性―第４－２部：試験及び測定技術―静電気放電イミュニティ試験 | ページ 9

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                                                            C 61000-4-2 : 2012 (IEC 61000-4-2 : 2008)
     図D.1−0.1 mの距離で測定した,5 kVに帯電した金属を持つ実際の人体からの放電による電界
                              (垂直基準面との放電距離は0.7 mm)
  この電界は静電界が主である。この電界は,静電界の初期値から20 %まで減少し,その降下時間は電流
上昇時間と類似している(図D.1参照)。
  500 psの立上り時間の放電電流による磁界の波形の例を,図D.2に示す。
     図D.2−0.1 mの距離で測定した,5 kVに帯電した金属を持つ実際の人体からの放電による磁界
                          (人体と垂直基準面との放電距離は約0.5 mm)

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C 61000-4-2 : 2012 (IEC 61000-4-2 : 2008)
  磁界波形は,電流波形に従う。
  ESD発生器からの電磁界波形で考えられる問題は,リンギングである。ESD発生器からの電磁界は,ESD
発生器及びグラウンドケーブルが,電磁界センサに対して向いている角度に大きく依存し,人体と金属間
との間の放電の電磁界波形より,はるかに小さいか又ははるかに大きいことがある。
D.4 微小ループアンテナにおける誘導電圧
  ESDの過渡的な電磁界は,プリント基板上の配線に電圧を誘起する。微小ループアンテナをグラウンド
面に設置する場合,過渡電磁界の高周波成分の測定は,校正した広帯域電磁界センサを必要とせず,かつ,
それは配線への誘導のプロセスを,電磁界を測定するより直接的に反映できる。微小ループアンテナの構
造を,図D.3に示す。
                               図D.3−グラウンド面上の半円ループ
  図D.3で,ループ半径は,14 mmで,ワイヤ直径は,0.7 mmである。そのループは,ESD発生器から
0.1 mの距離に設置する。
  図D.3で示す半円ループで測定した約850 psの立上り時間の5 kVに帯電した人間と金属との間のESD
の典型的な誘導電圧を図D.4に示す(放電距離は約0.8 mm,半円ループの終端抵抗は,50 Ω)。

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                                                            C 61000-4-2 : 2012 (IEC 61000-4-2 : 2008)
                               図D.4−半円ループに誘導された電圧
D.5 市販の電磁界プローブ及びESD発生器を用いたESDによる放射電磁界の測定
  放射ESD電磁界を測定するための試験セットアップ例を,図D.5に示す。
                   図D.5−ESD放射電磁界を測定するための試験セットアップの例
  電界及び磁界を測定するために,次の機器を使用する。
− 2 GHz以上の帯域をもつデジタルメモリオシロスコープ
− 市販の(電界成分を受信しない構造の)微小シールドループアンテナ及び電界(小さいモノポール)
    アンテナのセット
− 50 Ωの同軸ケーブル

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C 61000-4-2 : 2012 (IEC 61000-4-2 : 2008)
− ESD発生器
  測定セットアップ(図D.5参照)を,次に示す。
− 測定は,遮蔽室で行うことが望ましい(重大な障害を発生しない環境では,必要としない)。
− ESD発生器は,5 kVに設定することが望ましい。
− ESD放電電流は,参考の数学的ESD波形(図2参照)との比較のために,この規格に示すセットア
    ップに従って測定する。
− デジタルオシロスコープは,遮蔽したきょう体の中に設置するのが望ましい。
− ループアンテナ及び/又は電界アンテナは,50 Ωの同軸ケーブルによってオシロスコープに接続し,
    図D.5に示すような遮蔽きょう体の縁に配置することが望ましい。
− 同軸ケーブルは,放射電磁界を受信する可能性を防ぐように配置することが望ましい(例えば,同軸
    ケーブルは,遮蔽きょう体に近接し,同軸ケーブルの外皮導体は,遮蔽きょう体に接続する。)。
− オシロスコープの50 Ω入力インピーダンスでの電圧を測定する。
− ESDは,遮蔽きょう体の大きな面に,接触モードで行うことが望ましい。
− ESD発生器は,ループアンテナ及び/又は電界アンテナから複数の距離で放射電磁界を測定するため
    に,移動することが望ましい。
  アンテナ負荷への誘起電圧測定による電界及び磁界の計算手順を,次に示す。
− ESD発生器によって発生する放射電磁界による50 Ωの負荷の電圧v(t)をデジタルオシロスコープ
    で測定する。
− v(t)をフーリエ変換したV(        を,計算する。
− 電磁界プローブを用いるための伝達関数T(        を,計算又は測定する。
− V(        /T(        の逆フーリエ変換によって,電界E(t)及び磁界H(t)を計算する。
  結果の例を図D.6及び図D.7に示す。数値シミュレーションデータは,有効性の確認と,及び測定した
電圧降下データをループアンテナに加えたときの磁界を計算する手順に用いる。
   図D.6−45 cmの距離でのループ上の電圧の測定(実線)と数値シミュレーション(点線)との比較

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                                                            C 61000-4-2 : 2012 (IEC 61000-4-2 : 2008)
 図D.7−45 cmの距離での測定データから計算した磁界H(実線)と数値シミュレーションによる磁界H
                                        (点線)との比較
D.6 ESD発生による放射電磁界及び誘起電圧を評価するための簡易手順
  ESD電流の測定によってESD発生器の放射電磁界を推測する手順を,次に示す。
− 標準化した又は測定したESD電流は,放電電極でのレベルを用いる。
− 影響を受ける回路は,電気的に短絡とみなし,かつ,最初の近似では,単位ごとのラインパラメータ
    は,無視できる。
− 時間領域で障害電磁界が分かれば,図D.8の等価回路で誘導する電圧を計算できる。
− 電界の影響は,少なくとも低インピーダンスの回路(例えば,高速デジタル装置)では,無視できる。
− 放電電極の電流と影響を受ける回路との距離をrとした場合,磁界は,簡易等価式H=I / (2         ‰   
    て計算する。ESD発生器のリレーの電流,変位電流,グラウンドケーブルなどの他の影響は,無視す
    る。
− 推測(最悪の場合)と試験セットアップで実際の結果とを比較し,違いを定量化する(例えば,磁界
    については図D.9参照)。
                              図D.8−放射電磁界及び等価回路の構造
  図D.8の等価回路による電圧VS及び電流ISの計算式を,次に示す。

――――― [JIS C 61000-4-2 pdf 45] ―――――

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