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C 6760 : 2014
図11−測定回路
図12−測定装置
11.2 電極
電極の大きさ及び形状の一例を,表4及び図13に示す。
表4−電極の大きさ
単位 mm
−電極の直径 +電極の直径
D1 D2 d D3
80±0.5 70±0.5 50±0.5 100±0.5
――――― [JIS C 6760 pdf 21] ―――――
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−電極 保護電極
断面図
+電極
上面図 下面図
−電極 保護電極 +電極
d
D2 D3
D1
図13−電極の形状
11.3 体積抵抗率
ウェハの体積抵抗率ρvは,次の式によって計算する。
d2
v R
4t
ここに, ρv : 体積抵抗率(Ω・cm)
d : −側の内電極径
t : ウェハの厚さ
R : 体積抵抗(Ω)
V
R
I
V : 直流電圧(V)
I : 電流(A)
12 目視検査
12.1 鏡面検査法
信頼性のあるSAWデバイスを製作するためには,ウェハ表面の鏡面仕上げが必要である。出荷検査で
は,次の欠陥について目視検査を行う。
・ キズ
・ カケ
・ クラック
・ 汚れ
――――― [JIS C 6760 pdf 22] ―――――
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・ ディンプル,ピット,オレンジピールなど
目視検査の合否限界は,次によって判定する。
a) 数量計測
b) 品質の記載
c) 見て分かるドキュメント(写真,イラストなど)
d) キズ,カケ,クラック,汚れ,ディンプル,ピット及びオレンジピールの外観合否限度サンプル
検査記録は,受入基準に対して,合格又は不合格を明記する。
ウェハは,通常,高輝度白色光源の下で目視検査を行う。さらに,幾つかのウェハに対しては,より細
かな欠陥を調べるため顕微鏡検査を行う。検査状況によっては,明視野,暗視野,ノマルスキー顕微鏡な
ど,異なる顕微鏡を用いる。目視検査は,周囲からの迷光の影響がないように,暗室内のクリーンベンチ
で行う。
検査員の判定の偏り及びばらつきを抑えるため,検査見本を用いることが望ましい。製造ラインでの検
査では,定期的な無作為の抜取りを行う。ウェハ表面の検査範囲,又は光源の詳細(光源の種類,照度,
照射角度など)は,あらかじめ製造業者と顧客との間で取り決めておく。
――――― [JIS C 6760 pdf 23] ―――――
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附属書A
(規定)
圧電単結晶のオイラ角による面方位表示法
A.1 オイラ角によるウェハの面方位表示法
圧電単結晶の材料定数(例えば,圧電定数,弾性定数,誘電率など)は,結晶軸に合わせたX,Y及び
Z座標軸で説明できる。SAWデバイスを製造する上でのウェハ切断は,回転角を用いる。オイラ角は,一
般にSAW伝搬方向と一致するウェハ表面法線及びオリエンテーションフラット(OF)方向を,結晶学的
方位で表す。
図A.1に,結晶軸(X,Y,Z)を,図A.2に示すウェハの座標系(χ1,χ2,χ3)に変換する三つの回転の
様子,及びそれぞれの回転角を示す。
図A.1−結晶軸(X,Y,Z)をウェハの座標系(χ1,χ2,χ3)に変換するオイラ角表示
図A.2−SAWウェハの座標系
SAWの伝搬方向は通常χ1方向とし,表面の垂線方向はχ3方向とする。ウェハの表面(+χ3方向で示す。)
は研磨した表面で,電極を形成する。χ2方向は,他の二つのベクトル(χ1,χ3)とそれぞれ直交する右手系
の座標系で定義する。オイラ角回転を具体的に説明するために,まず結晶軸(X,Y,Z)を考える。
第一の回転はZ軸まわりで,図A.1で示す方向の角度φである。φの角度は0°360°の値を取ること
ができる。この回転によって,元のX軸はχrotに変換することができる。次の回転は,χrotとして新しく定
――――― [JIS C 6760 pdf 24] ―――――
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義した軸まわりの回転の,角度θである。この回転は,0°180°の値に制限を受ける。この回転によっ
て,Z軸はχ3という,表面に垂直な面に変換することができる。最後の回転は,χ3まわりの回転の,角度
Ψである。この角度は0°360°の値を取り,χrot軸はχ1軸に変換して,その方向はウェハのOF方位と一
致する。これらの角度(φ,θ,Ψ)をオイラ角といい,ここで説明した値の範囲内でこれらを用いると,
任意のウェハ方位を表現することができる。また,いずれのウェハ面を研磨するかも特定できる。例えば,
ニオブ酸リチウム(LN)において,Zカット面が分極面であるため,フッ酸によるエッチング速度は,ウ
ェハの表面と裏面とで異なる。(0°,90°,90°)のオイラ角は−Y面が研磨面で,ウェハの+Z軸方向
の端にOFがある。(180°,90°,90°)のオイラ角も+Y面が研磨面で+Z軸の端にOFがあるウェハを
示す。SAWの伝搬特性は,通常ウェハのいずれの面が研磨面であっても変わらないが,焦電荷が増えるか
又は減るかのような他の特性によっては,どの研磨面かを特定することが重要である。
表A.1−SAWウェハの略語及び定義
略語 カットアングル及び伝搬(方位) 化学式及びオイラ角表示
127.86°回転YカットX伝搬LN基板 LiNbO3
128°Y-X
127.86°Rotated Y cut X SAW propagation Lithium niobate
LN (0°,37.86°,0°)
substrate
Y-Z YカットZ伝搬LN基板 LiNbO3
LN Y cut Z SAW propagation Lithium niobate substrate (180°,90°,90°)
64°Y-X 64°回転YカットX伝搬LN基板 LiNbO3
LN 64°Rotated Y cut X SAW propagation Lithium niobate substrate
(0°,154°,0°)
Xカット112.2°回転Y伝搬LT基板 LiTaO3
X−112°Y
X cut 112.2°Rotated Y SAW propagation Lithium tantalate
LT (90°,90°,112.2°)
substrate
36°Y-X 36°回転YカットX伝搬LT基板 LiTaO3
LT 36°Rotated Y cut X SAW propagation Lithium tantalate substrate
(0°,126°,0°)
42°Y-X 42°回転YカットX伝搬LT基板 LiTaO3
LT 42°Rotated Y cut X SAW propagation Lithium tantalate substrate
(0°,132°,0°)
45°回転XカットZ伝搬LBO基板 Li2B4O7
45°X-Z
45°Rotated X cut Z SAW propagation Lithium tetraborate
LBO (45°,90°,90°)
substrate
ST-X STカットX伝搬水晶基板 SiO2(α-Quartz)
α- Quartz ST cut X SAW propagation α-Quartz Crystal (0°,132.75°,0°)
48.5°回転Yカット26.6°回転X伝搬LGS基板 La3Ga5SiO14
yxlt/48.5°/26.6°
48.5°rotated Y cut 26.6°rotated X SAW propagation Lanthanum
(0°,138.5°,26.6°)
LGS
gallium silicate substrate
――――― [JIS C 6760 pdf 25] ―――――
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JIS C 6760:2014の引用国際規格 ISO 一覧
- IEC 62276:2012(MOD)
JIS C 6760:2014の国際規格 ICS 分類一覧
- 31 : エレクトロニクス > 31.140 : 圧電素子及び誘電素子
JIS C 6760:2014の関連規格と引用規格一覧
- 規格番号
- 規格名称
- JISZ9015-1:2006
- 計数値検査に対する抜取検査手順―第1部:ロットごとの検査に対するAQL指標型抜取検査方式