JIS K 7350-2:2008 プラスチック―実験室光源による暴露試験方法―第２部：キセノンアークランプ

                                                                                 K 7350-2 : 2008

pdf 目 次

ページ

•  序文・・・・[1]
•  1 適用範囲・・・・[1]
•  2 引用規格・・・・[1]
•  3 原理・・・・[2]
•  4 装置・・・・[2]
•  5 試験片・・・・[5]
•  6 試験条件・・・・[6]
•  6.1 放射照度・・・・[6]
•  6.2 温度・・・・[6]
•  6.3 試験槽内空気の相対湿度・・・・[6]
•  6.4 噴霧サイクル・・・・[8]
•  6.5 暗黒期間を含むサイクル・・・・[8]
•  6.6 暴露条件の設定・・・・[8]
•  7 操作・・・・[9]
•  7.1 一般・・・・[9]
•  7.2 試験片の取付け・・・・[9]
•  7.3 暴露・・・・[9]
•  7.4 放射露光量の測定・・・・[9]
•  7.5 暴露後の特性変化の測定・・・・[9]
•  8 試験報告書・・・・[9]
•  附属書A(参考)フィルタを組み合わせたキセノンアークランプ放射-分光分布・・・・[11]
•  附属書JA(参考)JISと対応する国際規格との対比表・・・・[12]

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――――― [JIS K 7350-2 pdf 1] ―――――

K 7350-2 : 2008

まえがき

  この規格は,工業標準化法第14条によって準用する第12条第1項の規定に基づき,日本プラスチック
工業連盟(JPIF)及び財団法人日本規格協会(JSA)から,工業標準原案を具して日本工業規格(日本産業規格)を改正すべきと
の申出があり,日本工業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が改正した日本工業規格(日本産業規格)である。これに
よって,JIS K 7350-2:1995は改正され,この規格に置き換えられた。
  この規格は,著作権法で保護対象となっている著作物である。
  この規格の一部が,特許権,出願公開後の特許出願,実用新案権又は出願公開後の実用新案登録出願に
抵触する可能性があることに注意を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は,このような特許
権,出願公開後の特許出願,実用新案権又は出願公開後の実用新案登録出願に係る確認について,責任は
もたない。
  JIS K 7350の規格群には,次に示す部編成がある。
    JIS K 7350-1 第1部 : 通則
    JIS K 7350-2 第2部 : キセノンアークランプ
    JIS K 7350-3 第3部 : 紫外線蛍光ランプ
    JIS K 7350-4 第4部 : オープンフレームカーボンアークランプ

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――――― [JIS K 7350-2 pdf 2] ―――――

                                       日本工業規格(日本産業規格)                             JIS
                                                                           K 7350-2 : 2008

プラスチック−実験室光源による暴露試験方法−第2部 : キセノンアークランプ

Plastics-Methods of exposure to laboratory light sources- Part 2 : Xenon-arc lamps

序文

  この規格は,2006年に第2版として発行されたISO 4892-2及びAmendment 1 (2007)を基に,技術的内容
を変更して作成した日本工業規格(日本産業規格)である。ただし,追補(Amendment)については,編集し,一体とした。
  なお,この規格で側線又は点線の下線を施してある箇所は,対応国際規格を変更している事項である。
変更の一覧表にその説明を付けて,附属書JAに示す。
警告
  この規格の利用者は,通常の実験室での作業に精通しているものとする。この規格は,その使用に関連
して起こるすべての安全性の問題を取り扱おうとするものではない。この規格の利用者は,各自の責任に
おいて安全及び健康に対する適切な措置を取らなければならない。

1 適用範囲

  この規格は,材料を実際の使用環境で昼光又は窓ガラス越しの昼光に暴露したときに生じる現象を再現
するために,試験片を,水分の存在下で,キセノンアークランプで暴露する方法について規定する。
  試験片は,制御した条件(温度,水分など)で,フィルタを通したキセノンアークランプで暴露する。
異なった試験条件を行うためには,種々のキセノンアークランプ及びフィルタの組合せを用いる。特定の
材料に関する,試験片の作製及び試験結果の評価は,該当規格による。
  なお,試験についての全体的な指針は,JIS K 7350-1による。
    注記1 塗料及びワニスのキセノンアークランプによる暴露試験方法は,JIS K 5600-7-7に規定して
            いる。
    注記2 この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を,次に示す。
             ISO 4892-2:2006,Plastics−Methods of exposure to laboratory light sources−Part 2: Xenon-arc
             lamps 及びAmendment 1 (2007) (MOD)
              なお,対応の程度を表す記号(MOD)は,ISO/IEC Guide 21に基づき,修正していることを
            示す。

2 引用規格

  次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成する。これらの
引用規格のうちで,西暦年を付記してあるものは,記載の年の版を適用し,その後の改正版(追補を含む。)

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2
K 7350-2 : 2008
は適用しない。西暦年の付記がない引用規格は,その最新版(追補を含む。)を適用する。
    JIS K 7350-1:1995 プラスチック−実験室光源による暴露試験方法  第1部 : 通則
      注記 JIS K 7350-1:1995には,対応するISO 4892-1:1994,Plastics−Methods of exposure to laboratory
             light sources−Part 1: General guidanceがあり,この規格の対応国際規格で引用しているISO
             4892-1:1999には対応していないが,技術的差異はない。
    JIS K 7362 プラスチック−アンダーグラス屋外暴露,直接屋外暴露又は実験室光源による暴露後の
        色変化及び特性変化の測定方法
      注記 対応国際規格 : ISO 4582,Plastics−Determination of changes in colour and variations in properties
             after exposure to daylight under glass,natural weathering or laboratory light sources (MOD)

3 原理

3.1 キセノンアークランプは,適切なフィルタを用い,かつ,維持管理を行うことによって,放射の紫外
及び可視領域での地表上の太陽光の分光分布を近似できる。
3.2 規定の条件で,試験片を,様々な強度の光,熱,湿度及び水(3.4参照)に暴露する。
3.3 暴露条件は,次の項目について設定する。
a) フィルタの種類
b) 放射照度
c) 暴露温度
d) 湿度制御が必要な暴露条件では,照射時及び暗黒時の槽内相対湿度
e) 試験片への湿潤方法(3.4参照)
f)  水温及び湿潤サイクル
g) 照射時間及び暗黒時間
3.4 湿潤は,通常脱塩水又は脱イオン水の噴霧,水中への浸せき,又は試験片の表面への水の凝縮によっ
て得られる。
3.5 操作には,試験片の表面での放射照度及び放射露光量の測定を含むことがある。
3.6 試験片とともに,性能既知の類似材料を比較用(コントロール)として同時に暴露するのがよい。
3.7 試験材料について,試験装置間での統計的な関係が得られていない限り,異なる試験装置で暴露した
試験片で得た試験結果は,相互比較しないほうがよい。

4 装置

4.1   実験室光源
4.1.1  一般
  光源は,270 nm未満から紫外,可視及び赤外までの波長範囲の光を放射する一つ又はそれ以上の石英管
封止のキセノンアークランプを用いる。昼光をシミュレートする場合は,短波長紫外放射を除去するため
にフィルタ(デイライトフィルタ)を用いる(表1のA法参照)。窓ガラス越しの昼光をシミュレートす
る場合は,310 nm以下の放射照度を最小限に抑えるフィルタ(窓ガラスフィルタ)を用いる(表2のB法
参照)。さらに,屋外暴露では起こらない熱劣化を引き起こす非現実的な試験片への加熱を防ぐために,赤
外放射を取り除くフィルタを用いてもよい。
    注記 代表的な大気条件での太陽光分光放射照度は,CIE No.85に記載されている。この規格で用い
          る基準の昼光は,CIE No.85の表4で定義する。

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4.1.2  デイライトフィルタを通したキセノンアークランプの分光放射照度
  昼光をシミュレートするフィルタを通したキセノンアークランプの紫外部の相対分光放射照度の許容範
囲を,表1に示す(附属書A参照)。
    表1−デイライトフィルタを通したキセノンアークランプの相対分光放射照度の比較a) , b)(A法)
         分光波長域               最小値c)          CIE No.85の表4 d) , e)      最大値c)
        λ : 波長 (nm)                %                      %                      %
             λ<290                −                     −                     0.15
         290≦λ≦320               2.6                    5.4                    7.9
         320<λ≦360               28.2                  38.2                   39.8
         360<λ≦400              54.2                   56.4                   67.5
  注a) この表は,指定の波長域における放射照度を,290 nm400 nmの放射照度に対する百分率で示す。特殊フ
       ィルタを通したキセノンアークランプの相対分光放射照度を求めるには,250 nm400 nmの分光放射照度
       を測定する。この測定は,通常2 nmごとに行う。次いで,個々の波長域の放射照度を集計し,290 nm400
       nmの放射照度で除す。
     b) この表の最小値及び最大値は,異なる製造ロット及び各種経時変化したデイライトフィルタを通した,製
       造業者の推奨する水冷及び空冷のキセノンアークランプの100以上の分光放射照度分布のデータを基にし
       ている(参考文献[3]参照)。さらに,多くの分光放射照度分布が得られれば,許容範囲の小規模な変更は可
       能である。最小値及び最大値は,すべての測定値の平均値から3 σ以内である。
     c) 最小値及び最大値の欄は,測定値の最小値及び最大値を記載しているので,合計は必ずしも100 %にならな
       い。個々の相対分光放射照度分布の百分率の合計は,この表の波長域で計算すると100 %になる。個々のデ
       イライトフィルタを通したキセノンアークランプの放射照度の,各波長域中の計算された割合は,この表
       の最小値と最大値との間に入ることを確認する。許容範囲と異なる相対分光放射照度分布のキセノンアー
       ク装置での試験結果は,異なることがある。用いたキセノンアークランプ及びフィルタの相対分光放射照
       度分布のデータについては,試験装置の製造業者から入手する。
     d)   IE No.85の表4の値は,エアマス1.0,標準気圧での大気オゾン含有量0.34 cm,下降水量1.42 cm及び500
       nmでの混濁係数0.1のときにおける水平面全天放射照度である。これらは,デイライトフィルタを通した
       キセノンアークランプの目標値である。これらの値を比較のために示す。
     e)   IE No.85の表4に代表される太陽光について,290 nm800 nmの放射照度との百分率で示すと,紫外放
       射(290 nm400 nm)は11 %で,可視放射(400 nm800 nm)は89 %である。キセノンアークランプで暴
       露される試験片上の紫外放射照度及び可視放射照度の割合は,暴露される試験片の数及び反射特性によっ
       て異なることがある。

――――― [JIS K 7350-2 pdf 5] ―――――

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