JIS Z 4721:2000 医用Ｘ線イメージインテンシファイア | ページ 4

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b) 目視測定値を数値として表示する。
    例    中心解像度          4.0Lp/mm
          周辺解像度 (90%)    3.2Lp/mm
                                       図8 解像度の測定
7.9   量子検出効率 (DQE)
7.9.1  一般条件 7.3.1を適用する。
7.9.2  入射放射線源
a) 入射放射線源は,59.5keVの       を放出する放射線核種241Amとする。
b) 線源の出力は,241Amの崩壊とは異なる量子を含んでいてもよい。例えば,ネプツニウムのL-X線,
    線源,その容器を構成するのに用いられる材料からの蛍光X線が挙げられる。
  1) 59.5keV以外のエネルギーをもつ量子の放出比は,59.5keVの量子放出比の1%以下にしなければな
      らない。0.5mmの銅フィルタを用いることで必要なスペクトル純度を得ることができるが,本フィ
      ルタによって,59.5keVの光量子数は約半分に減る。
  2) 付加フィルタは可能な限り線源に近づけて置かなければならない。
c) 7.9.3.2の幾何学的条件の元,入射口径の位置で毎秒50500個の59.5keVの光量子が必要であり,こ
    のため,線源は約107Bqの放射能強度が必要である。
7.9.3  DQE測定用の試験器具
7.9.3.1  入射口径
a)   . I. 及び参照検出器に入射する放射線ビームの断面は,同じでなければならない。
b) 入力蛍光面の膜厚の変動を避けるため,入射口径の直径は4mmを超えてはならない。
c) 参照検出器に井戸形検出器を用いる場合は,入射口径はその底面積より小さく絞る必要があり,かつ,
    入射ビームがその壁に衝突しないようにしなければならない。
d) 入射口径は,少なくとも3mm以上の厚さの鉛板で作られなければならない。
7.9.3.2  試験器具の幾何学的配置
a)        の入射角度が振れることによってI. I. の入力蛍光面での  吸収量が変動したり,実効口径が見掛
    け上大きくなることを防ぐため,図9に示す角度            以下にしなければならない。ここに         次

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    の式によって求められる。
                          燿 tan−1 [(d0+d1) /2L]
                      ここに, d0 :  線源の直径
                                d1 :  入射口径の直径
                                 L :  線源と入射口径との距離
b) 参照検出器とI. I. の測定時には,同じd0,d1,Lを用いなければならない。
c) 入射口径は,入射面にできるだけ近づけて置かなければならない。
                                    図9 入射口径と実効口径
7.9.4  DQE測定用測定装置
7.9.4.1  光電子増倍管 (PMT)    I. I. の発光及び参照検出器にシンチレータを使用して光子を検出する場
合は,次の事項に注意してPMTを使用する。
a)   MTの高圧電源は,PMTが線形応答する範囲に調整されていなければならない。また,PMTの応答
    を安定させるためには,測定開始前,少なくとも30分間以上,PMTに電源供給したほうがよい。
b)   MTとI. I. は,周りの光が混入しないよう,また,その光を検出しないように遮光しなければならな
    い。
c) 蛍光波高スペクトルを測定するため,I. I. 発光の少なくとも5%以上がPMTに達するようにすべきで
    ある。通常,I. I. の出力窓に直接PMTを置くか,十分に大きい口径をもつ(F値2より明るいレンズ)
    リレーレンズを用いるとよい。
d) リレーレンズを用いる場合は,PMTの光電陰極には感度の不均一性があるため,光学的な焦点をずら
    してI. I. の出力像をPMTの光電陰極に結像させたほうがよい。
e) 入射口径に対応する出力像以外の領域で発光するバックグラウンド光を除去するために,PMTには適
    当な遮光が必要であり,その口径は,実効口径に対応する出力像径の少なくとも2倍の領域内からの
    発光を遮光しないようにする。
7.9.4.2  参照検出器 参照検出器は,入射面に入射する59.5keVの光量子束を測定するのに用いられる。
このエネルギーでの参照検出器の量子吸収効率は,十分に高い必要がある。測定誤差は,絶対値で少なく
とも±2%以下でなければならない。
7.9.5  DQEの測定(図10参照)
7.9.5.1  入射      のフルエンス率の測定
a) 7.9.3.2で示す位置関係に配置して参照検出器に       を入射させ,e)の精度が維持できるエネルギー範囲
    での計数率Rtを計測する。Rtには線源からの計数率にバックグラウンドの計数率が含まれている。な

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    お,参照検出器からの信号のうち,10keV以下のエネルギーに相当する信号は,計数しない。
b) 放射線源を取り除き,バックグラウンドの計数率Rbを決定し,全体の計数率Rtから引き算する。
c) 全体の計数時間        3)は, (Rt−Rb) ×         なくとも100 000になるように決める。
    注(3)          計数している時間を示し,計測している時間から測定系が信号を受け付けない時間分,短
          くなる。
d)   t−Rbを参照検出器の59.5keVの光量子に対する量子吸収効率で補正することで,線源の計数率Rsを
    算出することができる。
e)   sの測定は,±1%以下の誤差で行われなければならない。
                                      図10 幾何学的配置
7.9.5.2  蛍光波高スペクトルの測定
a)   . I. に上記で計測した同じ     を入射させ,単      光子パルスによるスペクトルを測定する。
b) データ収集時間           4)は,d)で得られるスペクトルに含まれる総カウント数が,少なくとも100 000とな
    るように決める必要がある。
    注(4)             カウントしている時間を示し,計測している時間から測定系が信号を受け付けない時間
          分,短い。
c) 放射線源を取り除き,    湧             バックグラウンドのスペクトルを測定する。
d) バックグラウンドのスペクトルをa)のスペクトルから引き算することで,各々の単     光子パルスレベ
    ルEjに対する正味のカウント数Njのスペクトルを得る。
e) 025keVのエネルギ間でスペクトルが最小値を示すところのエネルギでもって,それ以下の低エネル
    ギを除去する(図11参照)。
  なお,この低エネルギのしきい値におけるパルス数は,59.5keVの,すなわち光電ピークでのパルス数
の20%を超えてはならない。

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                                   図11 蛍光波高スペクトル
7.9.6  DQEの計算
a)   QEは,次の式で計算される。
                        DQE=AQ×I
      ここに,Iは,次の式で定義される蛍光効率である。
                                  2
                              M1
                         I
                            M2   M0
      なお,Miは,蛍光波高スペクトルのi番目のモーメントであり,次の式で与えられる。
                        M1=       一     (Ej)   
      ここで,Njは,Ejの強度をもつパルスの数である。
      なお,ここでの計算におけるEjの最小値は7.9.5.2e)で決定したしきい値に相当するものでなければ
    ならない。また,AQは,I. I. の量子吸収効率であり,次の式で示される。
                              M0   x
                         AQ
                                Rs
                      ここに, M0 :  上の式で定義
                                           7.9.5.2b)で決められた時間
                                 Rs :  7.9.5.1で定義
b) 算出は,絶対値で±2%の誤差で行われなければならない。
7.9.7  DQEの表示 DQEの計算結果をパーセントで表示する。
7.10 変調伝達関数 (MTF)
7.10.1 一般条件 7.3.1及び表3を適用する。
                                    表3 MTF測定時の条件
                           項目                         条件
                   電磁場の影響         非磁性材料使用によって,遮へいする。
                   外光                遮へいする。
                   測定装置の機械的安定性 10     下とする。
                   I. I. の集束電極電圧 中心が最適フォーカスになるように調整する。
                                        0.1%以下にする。
                   I. I. の印加電圧リプル
7.10.2 X線ビーム

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a) 7.3.2a),b),7.7.2b)による。
b)   線管の焦点の呼びは,0.6以下とする。もしこの条件に合わない(例えば,信号が低すぎることによ
    るなど)ときは,実際に使用された焦点のMTFの補正を行い。実際に使用された焦点の呼びを結果
    に表示する。
c)   線強度の相対的変動は,2%以内にする。
7.10.3 MTFの試験器具
a) 試験器具のスリットの幅は,0.5×fm−1以下とする。ここでfm−1は測定結果として表示できる最大空間
    周波数であり,単位はmm−1である。
b) スリットの幅は,スリット全長にわたり,5%以上の変化をしてはならない。
c) スリットの長さは,同一化平面領域の範囲を超えないように,10mm程度とする。
d) 試験器具の材料は,例えば,タングステン,プラチナ,ウラニウムなど重金属元素を単層又は数層,
    重ねて製作し,厚さは1.0mm以上とする。
7.10.4 MTFの測定 I. I. のMTFの測定方法は,表4の方法による(図12参照)。
                                   表4 MTFの測定法の種類
             空間フィルタ法スリット像を1次元の空間フィルタで走査し,光電子増倍管 (PMT)
                           を用いて信号検出する。
             LSF法         スリット像を1次元のサンプリングスリットとPMTを用いて走査する。又は
                           スリット像を,2次元カメラ(CCDカメラ)を用いて検出する。
a)   TF分析器を用いて出力面全体を分析できる光学系を少なくとも一つ,準備する。
b)   TF分析器に組み込まれている光検出器(PMT,CCDカメラ)は,線形応答する。
c) 試験器具は,入射面に平行にかつ中心軸上に設置し,かつ,入射面から10mm以内に置く。
d) 中心拡大率の測定誤差は,1%以下にする。
e) 測定は,次の二つの方法が考えられる。そのいずれかの方法を選択してもよい。
  1) 空間フィルタ法
1.1)  空間フィルタは,スリット像の長軸方向に対して設置され,少なくともスリットの長軸方向に1回
      転以上,回転する。
1.2)  空間フィルタを通過した光の強度は,光電子増倍管によって検出する。
1.3)  空間フィルタによる空間周波数fiで測定されたMTFは,次の式で表す。
                                   INTmax  INTmin
                         MTFM  fi
                                   INTmax  INTmin
        ここでINTは光強度を示す。この測定は必要とされる空間周波数全体で繰り返す。
    備考 異なった空間フィルタの代わりに調整できる空間周波数をもつフィルタによって数種類の空間
          周波数でのMTFを決定することができる。
  2) 線広がり関数法(以下,LSF法という。)
2.1)  少なくとも6けたの輝度レベルが測定できるダイナミックレンジをもつ。
    備考1. このダイナミックレンジが得られない場合は,測定を複数回,実施し,暗電流信号の補正は
            個々に分けて行う。
         2. CCDカメラを用いる場合には,低雑音と広いダイナミックレンジをもつ冷却型センサを推奨
            する。
2.2)  画素数は,1ライン当たり1 000程度もつ。

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