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Z 8000-12 : 2022 (ISO 80000-12 : 2019)
表1−凝縮体物理で用いる量及び単位(続き)
番号 量 単位 説明
名称 記号 定義 記号
12-21 ゼーベック係数,<物 Sab 熱電電圧の熱力学温度に対する導関数 V/K この用語は,熱電能ともいう。
(12-22) 質a,b間の> dEab kg m2 s−3 A−1 K−1
Sab
(Seebeck coefficient, dT
<for substances a and ここで, Eab : 物質a,b間の熱電電圧(番号12-
b>) 20)
T : 熱接点での熱力学温度(JIS Z
8000-5)
12-22 ペルチェ係数,<物質 Πab 接点で発生したペルチェ熱の仕事率(JIS Z 8000- V Πab=Πa−Πb
(12-23) a,bの> 5)を,物質aから物質bに流れる電流(JIS Z kg m2 s−3 A−1
ここで, Πa,Πb : 物質a,物質bの
(Peltier coefficient, <for 8000-6)で除した量 ペルチェ係数
substances a and b>)
12-23 トムソン係数 発生したトムソン熱の仕事率(JIS Z 8000-4)を, V/K 電流の方向に温度降下がある状態で
(12-24) (Thomson coefficient) 電流(JIS Z 8000-6)及び温度(JIS Z 8000-5)差 熱が発生すれば,
kg m2 s−3 A−1 K−1 ‰
で除した量
12-24.1 仕事関数 Φ 無限遠にある静止した電子と,物質内部のフェル J “エネルギー準位”という用語は,電
(12-25.2) (work function) ミエネルギー(番号12-27.1)準位にある電子と eV 子のエネルギーだけでなく,電子の状
のエネルギー(JIS Z 8000-5)の差 kg m2 s−2 態を表すためによく用いる。
12-24.2 イオン化エネルギー Ei 物質内部に存在するフェルミエネルギー(番号 J 物質a,b間の接触ポテンシャルの差
(12-25.3) (ionization energy) 12-27.1)準位の電子を,無限遠での静止状態に励 eV は,次の式で表す。
kg m2 s−2 ΦΦ
a−
Z8
起するのに必要なエネルギー(JIS Z 8000-5) VV b
a−b
e
0
無限遠にある静止した電子と,物質内部にある電
00
子のエネルギー(JIS Z 8000-5)である特定のエ ここで,e : 電気素量(JIS Z 8000-10)
-
12
ネルギー準位との差
: 2
実質上,連続的にエネルギーがある区
02
間を占める場合,そのエネルギー準位
2(I
全体を,エネルギー帯という。
SO8 0
半導体の場合,EdとEaとを,それぞ
000
れドナーとアクセプタとに用いる。
-12 : 2019
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)
――――― [JIS Z 8000 pdf 11] ―――――
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Z 8000-12 : 2022 (ISO 80000-12 : 2019)
Z8
1
表1−凝縮体物理で用いる量及び単位(続き)
0
00
番号 量 単位 説明
0-
1
名称 記号 定義 記号
2 : 2
12-25 電子親和力,<凝縮体 χ 絶縁体又は半導体内で無限遠に静止する電子と, J
02
(12-26) 物理> 伝導帯の最低準位にある電子とのエネルギー eV
2(
(electron affinity, (JIS Z 8000-5)の差 kg m2 s−2
ISO8
<condensed matter
physics>)
000
12-26 リチャードソン定数 A 次の式で用いられる係数である。ここで,Jは, A m−2 K−2
0-1
(12-27) (Richardson constant) 熱力学温度T(JIS Z 8000-5)において仕事関数Φ
2 : 2
(番号12-24.1)の状態にあるときの,金属から
0
の熱電子放出の電流密度(JIS Z 8000-6)である。
19)
JAT2exp
kT
ここで,k : ボルツマン定数(JIS Z 8000-1)
12-27.1 フェルミエネルギー EF 金属中,熱力学温度(JIS Z 8000-5)ゼロにおい J “エネルギー準位”という用語は,電
(12-28.1) (Fermi energy) て占められたエネルギー準位のうち,最も高いエ eV 子のエネルギーだけでなく,電子の状
ネルギー kg m2 s−2 態を表すためによく用いる。
12-27.2 ギャップエネルギー Eg 伝導帯の最低準位と熱力学温度(JIS Z 8000-5)
(12-28.2) (gap energy) ゼロにおける価電子帯の最上部準位とのエネル EFは,T=0 Kでの電子1個当たりの
ギー(JIS Z 8000-5)の差 化学ポテンシャルに等しい。
凝縮体物理において,エネルギーの参
照準位は,例えば,EF=0が選ばれる。
12-28 フェルミ温度 TF 自由電子模型において, フェルミエネルギー(番 K フェルミ温度は,次の式による。
(12-29) (Fermi temperature) 号12-27.1)をボルツマン定数(JIS Z 8000-1)で EF
TF
除した量 k
ここで, EF : フェルミエネルギー
(番号12.27.1)
k : ボルツマン定数(JIS Z
8000-1)
フェルミエネルギーEFは,占有状態の
最も低い状態に関連して計測する。
――――― [JIS Z 8000 pdf 12] ―――――
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Z 8000-12 : 2022 (ISO 80000-12 : 2019)
表1−凝縮体物理で用いる量及び単位(続き)
番号 量 単位 説明
名称 記号 定義 記号
12-29.1 電子数密度 n 伝導帯中の電子数を体積で除した商 m−3 多くの場合,添字のn,p又は−,+
(12-30.1) (electron density) は,それぞれ電子及び正孔を表すため
に用いる。また,p-n接合のn型領域
及びp型領域では,nn及びnpが電子
密度を,pn及びppが正孔密度をそれ
ぞれ示す。
12-29.2 正孔数密度 p 価電子帯中の正孔数を体積で除した商 m−3 多くの場合,添字のn,p又は−,+
(12-30.2) (hole density) は,それぞれ電子及び正孔を表すため
に用いる。また,p-n接合のn型領域
及びp型領域では,nn及びnpが電子
密度を,pn及びppが正孔密度をそれ
ぞれ示す。
12-29.3 固有キャリア密度 ni 次の式で表される量 m−3 多くの場合,添字のn,p又は−,+
in
(12-30.3) (intrinsic carrier np は,それぞれ電子及び正孔を表すため
density) ここで, n : 電子数密度(番号12-29.1) に用いる。また,p-n接合のn型領域
p : 正孔数密度(番号12-29.2) 及びp型領域では,nn及びnpが電子
密度を,pn及びppが正孔密度をそれ
ぞれ示す。
12-29.4 ドナー数密度 nd ドナーの数を体積で除した商 m−3
Z8
(12-30.4) (donor density)
0
12-29.5 アクセプタ数密度 na アクセプタの数を体積で除した商 m−3
00
(12-30.5) (acceptor density)
-
12
12-30 有効質量 m* 次の式で表される量 kg εがある極値を取る場合には,
: 2
(12-31) (effective mass) m*=2k/(dε/dk) m*=2/(d2ε/dk2)
022(
ここで, k : 波数(JIS Z 8000-3) ε=ε(k)に異方性がある場合には,有効
ISO8
ε : 物質内部の1個の電子のエネルギ 質量は一般化することが可能である。
ー(JIS Z 8000-5)
00
: 換算プランク定数(JIS Z 8000-1)
00-12 : 201
1
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1
)
――――― [JIS Z 8000 pdf 13] ―――――
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Z 8000-12 : 2022 (ISO 80000-12 : 2019)
Z8
1
表1−凝縮体物理で用いる量及び単位(続き)
2
00
番号 量 単位 説明
0-
1
名称 記号 定義 記号
2 : 2
12-31 易動度比 b 電子の易動度(JIS Z 8000-10)を正孔の易動度で 1 易動度比は,次の式による。
0
b n
2
(12-32) (mobility ratio) 除した商
2(I
p
SO8
ここで,μn,μp : それぞれ電子又は正
0
孔の易動度(JIS Z 8000-10)
000
12-32.1 緩和時間,<凝縮体物 τ 平衡状態に向かって指数関数的に減衰するとき s 金属中の電子においては,
-1
(12-33.1) 理> の時定数(JIS Z 8000-3) l
2
τv
: 2
(relaxation time, F
01
<condensed matter>) ここで, l : 平均自由行程(番号12-
9)
15.2)
νF : フェルミ面上の電子の
速さ(JIS Z 8000-3)
12-32.2 キャリア寿命,<半導 τ,τn,τp半導体中の少数荷電キャリアの再結合又はトラ s 添字のn,pは,それぞれ,負,正の
(12-33.2) 体> ップ時の時定数(JIS Z 8000-3) 電子キャリアを示す。正の電荷キャリ
(carrier lifetime, アは正孔の場合もある。
<semiconductors>)
12-33 拡散距離,<凝縮体物 L,Ln,Lp 拡散係数(JIS Z 8000-9)と寿命(JIS Z 8000-3) m 拡散距離は,次の式による。
(12-34) 理> との積の平方根 L Dτ
(diffusion length, ここで, D : 拡散係数(JIS Z 8000-
<condensed matter 9)
physics>) τ : 寿命(JIS Z 8000-3)
12-34 交換積分 K,J 物質中の近接電子のスピン間の相互作用エネル J “交換積分”に類似する“クーロン積
(12-35) (exchange integral) ギー(JIS Z 8000-5)のうち,電子波動関数の重 eV 分”の場合には,記号Jを用いる。
なり合いから生ずる部分 kg m2 s−2
――――― [JIS Z 8000 pdf 14] ―――――
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Z 8000-12 : 2022 (ISO 80000-12 : 2019)
表1−凝縮体物理で用いる量及び単位(続き)
番号 量 単位 説明
名称 記号 定義 記号
12-35.1 キュリー温度 TC 強磁性体の臨界温度(JIS Z 8000-5) K 臨界温度には,一般にTcrを用いる。
(12-36.1) (Curie temperature)
12-35.2 ネール温度 TN 反強磁性体の臨界温度(JIS Z 8000-5) K
(12-36.2) (Nel temperature)
12-35.3 超伝導転移温度 Tc 超伝導体の臨界温度(JIS Z 8000-5) K
(12-36.3) (superconduction
transition temperature)
12-36.1 熱力学的臨界磁束密度 Bc 次の式で表される量 T 第1種の超伝導体では,Bcは超伝導性
(12-37.1) (thermodynamic critical 2 0 Gn−Gs kg s−2 A−1 が消滅する臨界磁束密度である。
Bc
magnetic flux density) V 記号Bc3は,表面超伝導性が消滅する
ここで, Gn,Gs : それぞれ,通常の伝導体及び 臨界磁束密度である。
超伝導体の磁束密度(JIS Z
8000-6)ゼロにおけるギブズ
エネルギー(JIS Z 8000-5)
μ0 : 真空の透磁率(JIS Z 8000-6)
V : 体積(JIS Z 8000-3)
12-36.2 下限臨界磁束密度 Bc1 第2種超伝導体の場合に,この超伝導体に侵入す T
(12-37.2) (lower critical magnetic kg s−2 A−1
る磁束(JIS Z 8000-6)の磁束密度(JIS Z 8000-
flux density) 6)のしきい(閾)値
Z8
12-36.3 上限臨界磁束密度 Bc2 第2種超伝導体の場合に,バルク超伝導性が消滅 T
0
(12-37.3) (upper critical magnetic する磁束密度(JIS Z 8000-6)のしきい(閾)値kg s−2 A−1
00-
flux density)
12 : 2
12-37 超伝導体エネルギーギ 超伝導体の禁制エネルギー帯(番号12-24.2)の J
0
(12-38) ャップ 幅 eV
22(
(superconductor energy kg m2 s−2
ISO8
gap)
0000-12 : 201
1
9
3
)
――――― [JIS Z 8000 pdf 15] ―――――
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JIS Z 8000-12:2022の引用国際規格 ISO 一覧
- ISO 80000-12:2019(IDT)
JIS Z 8000-12:2022の国際規格 ICS 分類一覧
- 01 : 総論.用語.標準化.ドキュメンテーション > 01.060 : 量及び単位
JIS Z 8000-12:2022の関連規格と引用規格一覧
- 規格番号
- 規格名称
- JISZ8000-1:2014
- 量及び単位―第1部:一般
- JISZ8000-10:2015
- 量及び単位―第10部:原子物理学及び核物理学
- JISZ8000-10:2022
- 量及び単位―第10部:原子物理学及び核物理学
- JISZ8000-3:2014
- 量及び単位―第3部:空間及び時間
- JISZ8000-3:2022
- 量及び単位―第3部:空間及び時間
- JISZ8000-4:2014
- 量及び単位―第4部:力学
- JISZ8000-4:2022
- 量及び単位―第4部:力学
- JISZ8000-5:2014
- 量及び単位―第5部:熱力学
- JISZ8000-5:2022
- 量及び単位―第5部:熱力学
- JISZ8000-6:2014
- 量及び単位―第6部:電磁気
- JISZ8000-7:2014
- 量及び単位―第7部:光
- JISZ8000-7:2022
- 量及び単位―第7部:光及び放射
- JISZ8000-9:2015
- 量及び単位―第9部:物理化学及び分子物理学
- JISZ8000-9:2022
- 量及び単位―第9部:物理化学及び分子物理学