ISO 21859:2019 ファインセラミック(アドバンストセラミック、アドバンストテクニカルセラミック)—半導体製造装置におけるセラミック部品のプラズマ耐性の試験方法 | ページ 2

※一部、英文及び仏文を自動翻訳した日本語訳を使用しています。

序文

ISO (国際標準化機構) は、国家標準化団体 (ISO メンバー団体) の世界的な連合体です。国際規格の作成作業は通常、ISO 技術委員会を通じて行われます。技術委員会が設立された主題に関心のある各会員団体は、その委員会に代表される権利を有します。政府および非政府の国際機関も ISO と連携してこの作業に参加しています。 ISO は、電気技術の標準化に関するあらゆる事項について国際電気標準会議 (IEC) と緊密に協力しています。

この文書の作成に使用される手順と、そのさらなる保守を目的とした手順は、ISO/IEC 指令第 1 Part に記載されています。特に、さまざまなタイプの ISO 文書に必要なさまざまな承認基準に注意する必要があります。この文書は、ISO/IEC 指令Part の編集規則に従って起草されました ( www.iso.org/directives を参照)

この文書の要素の一部が特許権の対象となる可能性があることに注意してください。 ISO は、そのような特許権の一部またはすべてを特定する責任を負わないものとします。文書の作成中に特定された特許権の詳細は、序論および/または受け取った特許宣言の ISO リストに記載されます ( www.iso.org/patents を参照)

本書で使用されている商号は、ユーザーの便宜のために提供された情報であり、推奨を構成するものではありません。

規格の自主的な性質、適合性評価に関連する ISO 固有の用語と表現の意味、および貿易の技術的障壁 (TBT) における世界貿易機関 (WTO) 原則への ISO の準拠に関する情報については、以下を参照してください。 www.iso.org/iso/foreword.html

この文書は ISO/TC 206, ファインセラミックス技術委員会によって作成されました。

1 スコープ

この文書は、半導体製造装置におけるセラミック部品の耐プラズマ性の試験方法を規定しています。半導体製造におけるドライエッチングチャンバー内の耐プラズマ部品のセラミック部品に適用可能です。

2 規範的参照

以下の文書は、その内容の一部またはすべてがこの文書の要件を構成する形で本文中で参照されています。日付が記載された参考文献については、引用された版のみが適用されます。日付のない参照については、参照文書の最新版 (修正を含む) が適用されます。

  • ISO 3274, 幾何製品仕様書 (GPS) — 表面テクスチャー: プロファイル法 — 接触 (スタイラス) 機器の公称特性
  • ISO 4287, 幾何製品仕様書 (GPS) — 表面テクスチャー: プロファイル法 — 用語、定義、および表面テクスチャーパラメーター
  • ISO 18452, ファインセラミックス (アドバンストセラミックス、アドバンストテクニカルセラミックス) — 接触プローブ形状計によるセラミックフィルムの厚さの測定

3 用語と定義

この文書の目的上、次の用語と定義が適用されます。

ISO と IEC は、標準化に使用する用語データベースを次のアドレスで維持しています。

3.1

プラズマ耐性

半導体製造用の侵食性プラズマ源による材料の腐食から生じる粒子などの材料の侵食に対する耐性

3.2

セラミック部品

半導体製造におけるドライエッチングチャンバー内の静電チャック、リング、ガス注入用プレート、終点検出器、ガスインジェクター、ビューポートなどのセラミック部品

3.3

浸食深さ

非プラズマ照射部とプラズマ照射部の高さの差

Foreword

ISO (the International Organization for Standardization) is a worldwide federation of national standards bodies (ISO member bodies). The work of preparing International Standards is normally carried out through ISO technical committees. Each member body interested in a subject for which a technical committee has been established has the right to be represented on that committee. International organizations, governmental and non-governmental, in liaison with ISO, also take part in the work. ISO collaborates closely with the International Electrotechnical Commission (IEC) on all matters of electrotechnical standardization.

The procedures used to develop this document and those intended for its further maintenance are described in the ISO/IEC Directives, Part 1. In particular, the different approval criteria needed for the different types of ISO documents should be noted. This document was drafted in accordance with the editorial rules of the ISO/IEC Directives, Part 2 (see www.iso.org/directives ).

Attention is drawn to the possibility that some of the elements of this document may be the subject of patent rights. ISO shall not be held responsible for identifying any or all such patent rights. Details of any patent rights identified during the development of the document will be in the Introduction and/or on the ISO list of patent declarations received (see www.iso.org/patents ).

Any trade name used in this document is information given for the convenience of users and does not constitute an endorsement.

For an explanation of the voluntary nature of standards, the meaning of ISO specific terms and expressions related to conformity assessment, as well as information about ISO's adherence to the World Trade Organization (WTO) principles in the Technical Barriers to Trade (TBT), see www.iso.org/iso/foreword.html .

This document was prepared by Technical Committee ISO/TC 206, Fine ceramics.

1 Scope

This document specifies a test method for plasma resistance of ceramic components in semiconductor manufacturing equipment. It is applicable to ceramic components of plasma-resistant components in dry etching chambers used in semiconductor manufacturing.

2 Normative references

The following documents are referred to in the text in such a way that some or all of their content constitutes requirements of this document. For dated references, only the edition cited applies. For undated references, the latest edition of the referenced document (including any amendments) applies.

  • ISO 3274, Geometrical Product Specifications (GPS) — Surface texture: Profile method — Nominal characteristics of contact (stylus) instruments
  • ISO 4287, Geometrical Product Specifications (GPS) — Surface texture: Profile method — Terms, definitions and surface texture parameters
  • ISO 18452, Fine ceramics (advanced ceramics, advanced technical ceramics) — Determination of thickness of ceramic films by contact-probe profilometer

3 Terms and definitions

For the purposes of this document, the following terms and definitions apply.

ISO and IEC maintain terminological databases for use in standardization at the following addresses:

3.1

plasma resistance

resistance to erosion of the material such as particles which result from corrosion of the materials by erosive plasma source for semiconductor manufacturing

3.2

ceramic component

ceramic part, such as an electrostatic chuck, ring, plate for gas injection, end-point detector, gas injector or viewing port, in a dry etching chamber in semiconductor manufacturing

3.3

erosion depth

difference in height between non-plasma exposure area and plasma exposure area