※一部、英文及び仏文を自動翻訳した日本語訳を使用しています。
3. 用語
3.1定義:
3.1.1
吸収線量
D
特定の物質の単位質量あたりに与えられる電離放射線エネルギーの量。
3.1.1.1
討論
| De | 入口面の缶 |
| Rオプト: | 曲線の下降部分の線量がDeに等しい深さ |
| R: | 線量が最大値の 50% に減少した深さ |
| R: | 線量がDeの 50% に減少した深度 |
| Rp | 下降曲線の外挿直線が深さ軸と交わる深さ |
3.1.20
定期監視位置
製品がプロセスに指定された吸収線量を受けていることを確認するために、通常の処理中に吸収線量が監視される位置。
3.1.20.1
討論
この位置は、プロセス負荷における最小線量または最大線量の位置である場合もあれば、この位置での線量と最小線量および最大線量との関係が確立されているプロセス負荷の中、上、または近くの別の便利な位置である場合もあります。
3.1.21
模擬製品
照射される製品、材料、または物質と同様の放射線吸収および散乱特性を持つ材料。
3.1.21.1
討論
シミュレートされた製品は、照射される実際の製品、材料、または物質の代わりとして、照射器の特性評価中に使用されます。製品の欠落を補うために日常的な生産工程で使用される場合、シミュレートされた製品は、補償ダミーと呼ばれることがあります。吸収線量マッピングに使用される場合、シミュレートされた製品はファントム物質と呼ばれることがあります。
3.1.22
標準化された深さ
z
単位面積あたりの質量として表される吸収材料の厚さ。これは、材料の深さtと密度 ρ の積に等しくなります。
3.1.22.1
討論
zの SI 単位は kg/m 2ですが、 tをセンチメートルで、ρ をグラム/cm 3で表すのが一般的です。その場合、 zはグラム/平方センチメートルで表されます。標準化された深さは、表面密度、面積密度、質量深さ、または質量厚さと呼ばれることもあります。
3.2この規格に固有の用語の定義:
3.2.1
ビームパワー
平均電子ビーム エネルギーと平均ビーム電流の積。
3.2.2
ビームスポット
基準面に入射する未走査電子ビームの形状。
3.2.3
連続減速近似 (CSDA)範囲
r0
荷電粒子が減速して静止するときに移動する平均経路長。連続減速近似法で計算されます。
3.2.3.1
討論
この概算では、トラックに沿ったすべてのポイントでのエネルギー損失率は、総停止力に等しいと想定されます。エネルギー損失の変動は無視されます。 CSDA 範囲は、総阻止能の逆数をエネルギーに対して積分することによって得られます。広い範囲の電子エネルギーと多くの材料に対するr0の値は、ICRU レポート 37 から取得できます。
3.2.4
デューティ サイクル (パルス アクセラレータの場合)
ビームが効果的にオンになっている時間の割合。
3.2.4.1
討論
デューティ サイクルは、秒単位のパルス幅 ( w ) とパルス/秒単位のパルス レート ( f ) の積です。
3.2.5
電子ビーム範囲
材料に入射する電子のビーム軸に沿った、特定の全吸収材料の侵入距離。
3.2.6
外挿電子範囲
R_
深さ線量分布のほぼ直線的な下降部分の最も急な点（変曲点）の接線が深さ軸と交わる点までの均質材料の深さ（附属書 A2 の図 A2.6 を参照）。
3.2.7
入り口の深さの半分
R_
吸収線量が材料の入射面での値の 50% に減少した均質材料内の深さ (図 4 を参照)
3.2.8
半値深さ
R_
吸収線量がその最大値の 50% に減少した均質材料内の深さ (図 4 を参照)
3.2.9
最適な厚さ
Rオプト
吸収線量が材料の入射面での値と等しくなる均質材料の深さ（図 4 を参照）。
3.2.10
実用電子範囲
Rp
深さ線量分布曲線のほぼ直線的な下降部分の最も急な点（変曲点）の接線が外挿された X 線バックグラウンドと出会う点までの均質材料の深さ（図 4 および図 A2.6 を参照）。付録 A2)
3.2.10.1
討論
浸透は、特定の材料の実験的な深部線量分布から測定できます。電子範囲の他の形態は、線量測定の文献に見られます。たとえば、深部線量データから導き出された外挿範囲や、連続減速近似範囲などです。電子の飛程は通常、単位面積あたりの質量 (kg m -2 ) で表されますが、特定の物質の厚さ (m) で表されることもあります。
3.2.11
パルスビーム電流、パルス加速器用
パルス電流波形の上部リップル (異常) で平均化されたビーム電流。
3.2.11.1
討論
その値は、 Iavg/ wfとして計算できます。ここで、 Iavgは平均ビーム電流、 wはパルス幅、 fはパルス レートです (図 5 を参照)
3.2.12
脈拍数（パルス加速器の場合）
f
ヘルツ単位のパルス繰り返し周波数、または 1 秒あたりのパルス。
3.2.12.1
討論
図。 5 — S バンド線形加速器からの典型的なパルス電流波形
横軸：時間、μs
縦軸：パルスビーム電流、mA
3.2.13
パルス幅 (パルス加速器の場合)
w
電流がそのピーク値の 50% であるパルス電流波形の前縁と後縁の 2 点間の時間間隔 (図 5 を参照)
3.2.14
走査ビーム
変化する磁場で前後に掃引される電子ビーム。
3.2.14.1
討論
.これは、1 つの次元 (ビーム幅) に沿って最も一般的に行われますが、高電流電子ビームでは 2 次元スキャン (ビーム幅と長さ) を使用して、加速器のビーム出口ウィンドウまたはスキャン ホーンの下の製品の過熱を避けることができます。
3.2.15
スキャン頻度
1 秒あたりの完全なスキャン サイクル数。
3.2.16
スキャンの均一性
スキャン方向に沿って測定された線量の均一度。
3.3定義
この規格で使用されている、放射線測定と線量測定に関連するその他の用語の定義は、ASTM 用語集 E170 に記載されています。 E170 の定義は ICRU 85a と互換性があります。したがって、そのドキュメントは代替参照として使用できます。
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3. Terminology
3.1 Definitions:
3.1.1
absorbed dose
D
quantity of ionizing radiation energy imparted per unit mass of a specified material.
3.1.1.1
Discussion
| De: | Dose at entrance surface |
| Ropt: | Depth at which dose at descending part of curve equals De |
| R50: | Depth at which dose has decreased to 50 % of its maximum value |
| R50e: | Depth at which dose has decreased to 50 % of De |
| Rp: | Depth where extrapolated straight line of descending curve meets depth axis |
3.1.20
routine monitoring position
position where absorbed dose is monitored during routine processing to ensure that the product is receiving the absorbed dose specified for the process.
3.1.20.1
Discussion
This position may be a location of minimum or maximum dose in the process load or it may be an alternate convenient location in, on or near the process load where the relationship of the dose at this position with the minimum and maximum dose has been established.
3.1.21
simulated product
material with radiation absorption and scattering properties similar to those of the product, material or substance to be irradiated.
3.1.21.1
Discussion
Simulated product is used during irradiator characterization as a substitute for the actual product, material or substance to be irradiated. When used in routine production runs in order to compensate for the absence of product, simulated product is sometimes referred to as compensating dummy. When used for absorbed-dose mapping, simulated product is sometimes referred to as phantom material.
3.1.22
standardized depth
z
thickness of the absorbing material expressed as the mass per unit area, which is equal to the product of depth in the material t and density ρ.
3.1.22.1
Discussion
The SI unit of z is in kg/m2, however, it is common practice to express t in centimetres and ρ in grams per cm3, then z is in grams per square centimetre. Standardized depth may also be referred to as surface density, area density, mass-depth or mass-thickness.
3.2 Definitions of Terms Specific to This Standard:
3.2.1
beam power
product of the average electron beam energy and the average beam current.
3.2.2
beam spot
shape of the unscanned electron beam incident on the reference plane.
3.2.3
continuous-slowing-down-approximation (CSDA)range
r0
average pathlength traveled by a charged particle as it slows down to rest, calculated in the continuous-slowing-down-approximation method.
3.2.3.1
Discussion
In this approximation, the rate of energy loss at every point along the track is assumed to be equal to the total stopping power. Energy-loss fluctuations are neglected. The CSDA range is obtained by integrating the reciprocal of the total stopping power with respect to energy. Values of r0 for a wide range of electron energies and for many materials can be obtained from ICRU Report 37.
3.2.4
duty cycle (for a pulsed accelerator)
fraction of time the beam is effectively on.
3.2.4.1
Discussion
Duty cycle is the product of the pulse width (w) in seconds and the pulse rate (f) in pulses per second.
3.2.5
electron beam range
penetration distance in a specific, totally absorbing material along the beam axis of the electrons incident on the material.
3.2.6
extrapolated electron range
Rex
depth in homogeneous material to the point where the tangent at the steepest point (the inflection point) on the almost straight descending portion of the depth-dose distribution meets the depth axis (see Fig. A2.6 in Annex A2).
3.2.7
half-entrance depth
R50e
depth in homogeneous material at which the absorbed dose has decreased to 50 % of its value at the entrance surface of the material (see Fig. 4).
3.2.8
half value depth
R50
depth in homogeneous material at which the absorbed dose has decreased to 50 % of its maximum value (see Fig. 4).
3.2.9
optimum thickness
Ropt
depth in homogeneous material at which the absorbed dose equals its value at the entrance surface of the material (see Fig. 4).
3.2.10
practical electron range
Rp
depth in homogeneous material to the point where the tangent at the steepest point (the inflection point) on the almost straight descending portion of the depth-dose distribution curve meets the extrapolated X-ray background (see Fig. 4 and Fig. A2.6 in Annex A2).
3.2.10.1
Discussion
Penetration can be measured from experimental depth-dose distributions in a given material. Other forms of electron range are found in the dosimetry literature, for example, extrapolated range derived from depth-dose data and the continuous-slowing-down-approximation range. Electron range is usually expressed in terms of mass per unit area (kg·m-2), but sometimes in terms of thickness (m) for a specified material.
3.2.11
pulse beam current, for a pulsed accelerator
beam current averaged over the top ripples (aberrations) of the pulse current waveform.
3.2.11.1
Discussion
Its value may be calculated as Iavg/wf, where Iavg is the average beam current, w is the pulse width, and f is the pulse rate (see Fig. 5).
3.2.12
pulse rate (for a pulsed accelerator)
f
pulse repetition frequency in hertz, or pulses per second.
3.2.12.1
Discussion
FIG. 5—Typical pulse current waveform from an S-Band linear accelerator
Horizontal axis: Time, µs
Vertical axis: Pulse beam current, mA
3.2.13
pulse width (for a pulsed accelerator)
w
time interval between two points on the leading and trailing edges of the pulse current waveform where the current is 50 % of its peak value (see Fig. 5).
3.2.14
scanned beam
electron beam that is swept back and forth with a varying magnetic field.
3.2.14.1
Discussion
. This is most commonly done along one dimension (beam width), although two-dimensional scanning (beam width and length) may be used with high-current electron beams to avoid overheating the beam exit window of the accelerator or product under the scan horn.
3.2.15
scan frequency
number of complete scanning cycles per second.
3.2.16
scan uniformity
degree of uniformity of the dose measured along the scan direction.
3.3 Definitions
Definitions of other terms used in this standard that pertain to radiation measurement and dosimetry may be found in ASTM Terminology E170. Definitions in E170 are compatible with ICRU 85a; that document, therefore, may be used as an alternative reference.
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