JIS C 5944:2005 光伝送用半導体レーザモジュール通則 | ページ 3

10
C 5944 : 2005
                     表 8 特性を規定する測定条件として与える繰返し周波数
                                                       単位       ×10n         A
            繰返し周波数   1   1.25    1.5   2   2.5   3  4   5   6   7   8   9
            備考 nは,整数とする。
8.2   環境及び耐久性に対する性能 半導体レーザモジュールの環境及び耐久性に対する性能性能の規定
は,表9による。個別規格における環境及び耐久性に対する規定様式は附属書2を推奨する。
                                表 9 環境試験 及び 耐久性試験
                                                        適用       抜取方式
      項目                      試験条件                                            適用規格
                                                         (15)  検査水準 AQL
 はんだ耐熱性    温度 _ ± _ ℃                                               JIS C 60068-2-20
 温度サイクル    低温 _ ℃,高温 _ ℃                                         JIS C 0025
                 保持時間 _ min,
                 移動時間 _ min,回数 _ 回
 熱衝撃          高温 _ ℃,保持時間 _ min,                                  JIS C 0025
                 低温 _ ℃,保持時間 _ min,
                 移動時間 _ s,回数 _ 回
 温湿度サイクル 高温 _ ℃,高温側相対湿度 _ %,                              JIS C 60068-2-38
                 保持時間 _ min,
                 低温 _ ℃ 低温側相対湿度 _ %,
                 保持時間 _ min,
                 移動時間 _ min,回数 _ 回
 気密性          加圧圧力 _ Pa,                                               JIS C 60068-2-17
                 加圧時間 _ h(必要がある場合)
 自然落下 (16)   高さ _ cm,回数 _ 回                                         JIS C 60068-2-32
 衝撃   (16)     方向 _ ,最高加速度 _ m/s2,                                 JIS C 60068-2-27
                 パルス幅 _ ms,回数 _ 回
 定加速度        方向 _ ,加速度 _ m/s2,                                     JIS C 60068-2-7
                 パルス幅 _ ms,回数 _ 回
                 周波数 __ Hz,
 振動            全振幅 又は 加速度 _m/s2,                                    JIS C 60068-2-6
                 方向 _ ,時間 _ h
 端子強度        荷重 _ N,回数 _ 回                                          JIS C 60068-2-21
 塩水噴霧        時間 _ h                                                      JIS C 60068-2-11
 高温保存        温度 _ ℃,時間 _ h                                          JIS C 60068-2-2
 低温保存        温度 _ ℃,時間 _ h                                          JIS C 60068-2-1
 動作寿命        ケース温度(又は周囲温度)_ ℃,
                 定光出力動作 光出力 _ mW,
                 時間 _ h
 ピグテイル強度  引張力_ N, 曲げ半径_ cm

(pdf 一覧ページ番号 )

 耐湿性          温度 _ ℃,相対湿度 _ %,                                   JIS C 60068-2-3
                 時間 _ h

――――― [JIS C 5944 pdf 11] ―――――

                                                                                             11
                                                                                   C 5944 : 2005
    注(15) 合否判定基準を適用する項目に○印を記入する。
      (16) 自然落下又は衝撃のいずれかを規定する。
      (17) 光ファイバピグテイル形に適用する。
    備考 試験条件の欄で下線の部分は条件値を記入する。
9. 外形 外形は個別の規定による。
10. 測定 半導体レーザモジュールの測定は,個別仕様書に規定がない限り,JIS C 5945による。
11. 表示 半導体レーザモジュールには,次の項目を表示しなければならない。ただし,個々の半導体レ
ーザモジュールに表示することが困難な場合には,包装に表示してもよい。
a) 形名(製造業者の指定による。)
b) 製造業者名又はその略号
c) 製造年月又は製造ロット番号若しくはそれらの略号
d) 静電気によって破壊のおそれがあり, 取扱い上, 注意を必要とするデバイスであることを表示する
    記号。なお,静電破壊の注意を必要とするデバイスであることを表示する場合は,附属書4を推奨す
    る。
e)   IS C 6802  に基づく表示
12. 取扱い上の注意事項 静電気破壊のおそれがある半導体レーザモジュールに対しては,次の事項に注
意する。
a) 移送,保管及び放置の際は,静電気導電材料,帯電防止処理材料などを用い,静電気の帯電を防止す
    る。
b) 測定は,静電気の発生しない場所で行う。相対湿度は,50%程度が望ましい。また,静電気の発生を
    防ぐためには,取扱者,工具及び測定器類の電位と被測定半導体レーザモジュールを同電位にするこ
    とが望ましい。

――――― [JIS C 5944 pdf 12] ―――――

12
C 5944 : 2005
   附属書1(参考)光伝送用半導体レーザモジュールの個別仕様書の様式
1 適用範囲 この半導体レーザモジュールは,光出力取出し部としてaを備え, bの結晶材料からなる
半導体レーザを備えた, モニタフォトダイオード,電子冷却素子,アイソレータc形の半導体レーザモ
ジュールで,主にd伝送用に設計されたものである。
                 分類例 a:光ファイバピグテイル,レセプタクル
                    b: AlGaAs/GaAs,InGaAsP/InPなど
                     c:内蔵,非内蔵
                     d: 高速ディジタル,低速アナログなど
2 一般事項 一般事項は,本体による。
3 外形及び電極接続
3.1 外形    外形図
3.2 電極接続              リード又は端子       端子名
                                    1
                                    2
                                    3
                                    4
                               ケース
4 絶対最大定格
附属書1表 1 絶対最大定格(特に指定のない限り,周囲温度,ケース温度又はサブマウント温度は25℃
                                            とする)
                    項目                      記号           条件          最大定格値   単位
                    保存温度                  Tstg                         −_+_       ℃
                    動作温度                  Top                          −_+_       ℃
       温度
                    はんだ付け温度            Tsld   はんだ付け時間を規         _       ℃
                                                     定
            電圧    直流逆電圧                Vrl                              _        V
  レーザ    電流    直流順電流                 Ifl   (4)                       _       mA
            光出力  光ファイバ端出力           Pf    (4)                       _       mW
  モニタ用フォト    直流逆電圧(1)             Vrd                              _        V
  ダイオード
                    順電流(1)                  Ifd                             _        mA
  ペルチェクーラ    ペルチェ電圧(2)           VPE                               _        V
                    ペルチェ電流(2)            IPE                             _         A
  サーミスタ        消費電力(2)                Ptot                            _        W
                    供給電圧(2)               Vsupp                            _         V
  光ファイバ        光ファイバ許容曲げ半径    Rmin                             _       mm

(pdf 一覧ページ番号 )

                    光ファイバ引張強度(3)      F                               _        N
    注(1) モニタ用フォトダイオードを内蔵している場合に適用する。
      (2) ペルチェ電圧,ペルチェ電流は温度制御用ペルチェクーラを内蔵している場合に適用する。

――――― [JIS C 5944 pdf 13] ―――――

                                                                                             13
                                                                                   C 5944 : 2005
      (3) 光ファイバピグテイル形に適用する。
      (4)   W規定。必要に応じて変調時にて規定する。
    備考 絶対最大定格値の欄で下線の部分は,通常記入する。
5 電気的特性,光学的特性
                                  附属書1表 2 デジタル伝送用
  (特に指定のない限り,周囲温度,ケース温度又はサブマウント温度は25℃とする)
           項目             記号            試験条件          最小値 標準値 最大値      単位
 しきい値電流                Ith   CW                                                   mA
 動作電流                    Iop   CW又は変調(5)                                        mA
 スロープ効率                ηd                                                       mW/m
                                                                                         A
 動作電圧                   Vop    CW又は変調(5),If=Iop                                 V
 光ファイバ端出力            Pf    CW又は変調(5),If=Iop                                mW
 しきい値光出力(6)           Pth   CW                                                   mW
 ピーク発振波長(7)           λp   CW又は変調(5),If=Iop                                 nm
 中心発振波長(7)             λc   CW又は変調(5),If=Iop                                 nm
 スペクトル幅(8)           Δλw   CW又は変調(5),If=Iop                                 nm
 スペクトル半値幅(8)        Δλ   CW又は変調(5),If=Iop                                 nm
 サイドモード抑圧比(6)     SMSR CW又は変調(5),If=Iop                                    dB
 発振波長電流依存変動係     Δλc  CW又は変調(5),                                     nm/m
 数                                If =    mA                                            A
 発振波長温度依存性         ΔλT  CW又は変調(5),                                     nm/℃
                                    Pf=     mW
 波長チャープ(6)             Δf    変調(5),If=Iop                                      Hz
 上昇時間(9)                  tr    Ib=                                                  ns
 下降時間(9)                  tf    Ib=                                                  ns
 遮断周波数(9)                fc    If=Iop                                              GHz
 C/N比(5), (10)            C/N                                                          dB
 相対強度雑音(6), (10)     RIN CW,If=Iop                                             dB/Hz
 モニタ用フォトダイオー      Id    Vrd=                                                  A
 ド暗電流(11)
 モニタ用フォトダイオー      Im     CW又は変調(4),                                      μA
 ド出力電流(11)                     Pf=     mW
 モニタ用フォトダイオー      Ct     Vrd=,f =                                            pF
 ド端子間静電容量(11)
 トラッキングエラー(11) ,   Er     Top(c)又はTop(sub)=                                  dB
 (12)                                                                                    %
                           Er1/ Er2
 サーミスタ抵抗(13)           R                                                          kΩ
 サーミスタB定数(13)          B                                                           K
 ペルチェ電流(14)            Ipe    ΔT=                                                  A
 ペルチェ電圧(14)            Vpe    ΔT=                                                  V

――――― [JIS C 5944 pdf 14] ―――――

14
C 5944 : 2005
                                  附属書1表 3 アナログ伝送用
    (特に指定のない限り,周囲温度,ケース温度又はサブマウント温度は25℃とする)
           項目             記号            試験条件           最小値 標準値 最大値     単位
 しきい値電流                Ith    CW                                                  mA
 動作電流                    Iop    CW又は変調(5)                                       mA
 スロープ効率                ηd                                                       mW/m
                                                                                         A
 動作電圧                    Vop    CW又は変調(5),If=Iop                                V
 光ファイバ端出力             Pf    CW又は変調(5),If=Iop                               mW
 ピーク発振波長(7)           λp    CW又は変調(5),If=Iop                                nm
 中心発振波長(7)             λc    CW又は変調(5),If=Iop                                nm
 スペクトル線幅(6)          ΔλL   CW又は変調(5),If=Iop                               MHz
 サイドモード抑圧比(6)     SMSR CW又は変調(5),If=Iop                                    dB
 相対強度雑音(6),(10)      RIN    CW,If=Iop                                         dB/Hz
 複合2次ひずみ              CSO f =,If=Iop                                            dBc
 複合3次ひずみ              CTB m=,Rmodule=                                             dBc
 2次相互変調ひずみ          IMD2 Pf=mW,f =Hz,m=%                                       dB
 3次相互変調ひずみ          IMD3    Pf=mW,f =Hz,m=%                                    dB
 モニタ用フォトダイオー       Id    Vrd=                                                  A
 ド暗電流(11)
 モニタ用フォトダイオー      Im     CW又は変調(5), If=Iop,                             μA
 ド出力電流(11)                     Vrd=
 モニタ用フォトダイオー      Ct     Vrd=,f =                                            pF
 ド端子間静電容量(10)
 トラッキングエラー(11),    Er     Top(c)又はTop(sub)=                                  dB
 (12)                                                                                    %
                           Er1/ Er2
 サーミスタ抵抗(13)           R                                                          kΩ
 サーミスタB定数(13)          B                                                           K
 冷却温度差(14)              ΔT    Top(c)又はTop(sub)=                                  ℃
 ペルチェ電流(14)            Ipe    ΔT=                                                 A
 ペルチェ電圧(14)            Vpe    ΔT=                                                 V
    注(5) 変調条件は, 個別に規定する。
      (6) 用途によって選択する。
      (7) ピーク発振波長又は中心発振波長のいずれかの選択でよい。また,測定方法も包絡線法,N-dB
          法又はRMS法のいずれかの選択でよいが,測定方法を明記する。
      (8) スペクトル幅又はスペクトル半値幅のいずれかの選択でよい。また,測定方法も包絡線法,N-dB
          法又はRMS法のいずれかの選択でよいが,測定方法を明記する。
      (9) 発振波長電流依存変動係数又は発振波長光出力依存係数のいずれか一項目を適用する。
      (10) 上昇時間と下降時間のセット,又は遮断周波数のいずれかの選択でよい。
      (11) キャリアノイズ比(CN比)又は相対雑音強度のいずれかの選択でよい。
      (12) モニタ用フォトダイオード内蔵形に適用する。
      (13) 測定方法を明記する。
      (14) サーミスタを内蔵している場合に適用する。

――――― [JIS C 5944 pdf 15] ―――――

次のページ PDF 16