JIS C 6575-3:2016 ミニチュアヒューズ―第3部:サブミニチュアヒューズリンク | ページ 2

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− 同形シリーズの最小定格電流を試験する場合,サブミニチュアヒューズリンクは,表5Bに示す試験
手順に従って試験を行う。この場合に必要なサブミニチュアヒューズリンクの数は27個であって,そ
の中で6個は予備とする。
− 特殊溶断の溶断試験は,定格電流及び最小溶断電流で行う。そのため,表5Aのヒューズリンク番号
4042及び表5Bのヒューズリンク番号2224のサブミニチュアヒューズリンクは予備とする。
7.2.2 追加[“7.2.1 d) の結果に基づいて”で始まる段落の“すなわち,”で始まる第2文の後に続けて,
次を追加する。]
ただし,スタンダードシートJ1及びJ2に規定するサブミニチュアヒューズリンクでは,電圧降下の大
きいものから順次一連番号を付ける必要はない。
7.3 試験用ヒューズベース 置換(7.3全て)
ヒューズリンクは,はんだ付けによって,図1に示す標準試験基板に実装しなければならない。
この標準試験基板は,図2の試験基板用標準試験ベースに取り付ける。基板は,JIS C 6484に規定する
ガラス布基材エポキシ樹脂銅張積層板とする。
基板の公称厚は,1.6 mmとする。
銅はく(箔)の公称厚は,定格電流が5 A以下の場合は0.035 mmとし,定格電流が5 Aを超える場合は
0.07 mmでなければならない。
ヒューズベースの金属部分は,銅の含有率が5870 %の黄銅製とする。接点部分には,銀めっきをしな
ければならない。
スタンダードシートによる相違は,次による。
a) スタンダードシート14に規定するサブミニチュアヒューズリンクの場合であって,2個以上のサブ
ミニチュアヒューズリンクを直列にして試験する場合,試験するそれぞれのヒューズリンクの間が50
mm以上離れるようにヒューズベースを配置しなければならない。ヒューズベース同士,ヒューズベ
ースと電流計,及びヒューズベースと電源とを接続する導体は,絶縁銅線でなければならない。各銅
線の長さは250 mm,断面積は約1 mm2とする。
b) スタンダードシートJ1又はJ2に規定するサブミニチュアヒューズリンクの場合であって,2個以上
のサブミニチュアヒューズリンクを直列にして試験する場合,試験するそれぞれのヒューズリンクの
間が150 mm以上離れるようにヒューズベースを配置しなければならない。定格電流が10 A以下のサ
ブミニチュアヒューズリンクを試験する場合は,断面積2 mm2の銅線を用いなければならない。定格
電流が10 Aを超えるサブミニチュアヒューズリンクを試験する場合は,断面積8 mm2の銅線を用いな
ければならない。各端子線の長さは,約1 mとする。

――――― [JIS C 6575-3 pdf 6] ―――――

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単位 mm
図1A
図1B
注記 最小ランドスペース(m)(nが2未満の場合)は,検討中。この場合,端子を通す孔の直径の“1.5 mm”を“1.0
mm”にすることが望ましい。
記号の説明
O : 厚さ0.035 mmの銅はく(箔)(定格電流が5 Aを超える場合,0.070 mm)
U : 電圧降下測定用接点
e : 2.54 mm
n : 1,2,3···(ヒューズリンクの長さに依存する。)
n1=1 (定格電流5 A以下のヒューズリンクの場合)
n1=2 (定格電流5 Aを超えるヒューズリンクの場合)
ただし,スタンダードシートJ1及びJ2で規定する定格電流が10 Aを超え,15 A以下のサブミニチュアヒュ
ーズリンクの場合には,銅はく(箔)の幅は7.5 mmとする。
図1−標準試験基板(7.3参照)

――――― [JIS C 6575-3 pdf 7] ―――――

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単位 mm
記号の説明
A : 熱伝導の低い材料のベース,厚さ10 mm
B : 10 mm角の黄銅電極
C : はんだ付けしたサブミニチュアヒューズリンク
D : 固定ねじ
E : 端子線を保持する接触ねじ
F : プリント回路基板(図1参照)
G : サブミニチュアヒューズリンクの本体と基板との間のスペース(ピン端子0.5±0.25 mm,リード線端子1 mm)
H : ベースと10 mm角の黄銅電極の平面図
図2−試験基板用標準試験ベース(7.3参照)

8 寸法及び構造

  寸法及び構造は,次を除き,JIS C 6575-1の箇条8(寸法及び構造)による。
8.2 構造 追加(本文末尾に,次を追加する。)
サブミニチュアヒューズリンクは,JIS C 6575-1の9.7(ヒューズリンクの温度)による耐熱性をもち,
更にJIS C 60695-11-5(ニードルフレーム試験)による耐火性をもっていなければならない。
試験炎の適用時間は,10秒とする。
ガラス又はセラミックには,適用しない。
適否は,9.7によって判定する。
この規格では,サブミニチュアヒューズリンクの本体が,ガラス,セラミック又は類似の非燃焼性の材
料で作られているという前提に基づいている。他の材料(例えば,スタンダードシート2,3又は4に示し
ている任意採用の絶縁スリーブ又はエポキシコーティング若しくは類似の材料)に関しては,追加の試験
を検討中である。
8.3 端子 追加(“接着強度の試験は,”で始まる段落の後に,次を追加する。)
サブミニチュアヒューズリンクの端子は,サブミニチュアヒューズリンクを破壊しない限り取り外せな

――――― [JIS C 6575-3 pdf 8] ―――――

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いほど強固に固定していることが望ましい。
サンプルは,前処理として1535 ℃の水中に24時間浸せきしておく。
端子は,通常使用中に発生する可能性のある機械的な力に耐えなければならない。サブミニチュアヒュ
ーズリンクを所定の位置に固定し,通常の周囲温度において,各端子に順次この規格で規定している力を
加える。これらの力は,徐々に加えなければならない。試験サンプルのグループを,当該スタンダートシ
ートに規定する端子試験に均等に振り分けなければならない。
注記 対応国際規格では,曲げ試験に対して,端子の軸方向に力を加える旨を規定しているが,端子
の軸方向への力を加えて行うことはできないことが自明であるため,この規格では,その旨の
規定を削除した。
試験は,JIS C 60068-2-21に従って行う。ただし,試験条件は,次による。
− 引張試験(Ua1) 引張力は,10 Nとする。
− 押込み試験(Ua2) 押込み力は,2 Nとする。
− 曲げ試験(Ub) 必要な場合,曲げ力は5 N,曲げ回数は1回とする。
試験後も,サブミニチュアヒューズリンクの端子は,強固に固定され,電圧降下は,当該スタンダード
シートに規定する最大許容値を超えてはならない。
8.4 端子のアライメント及び形状 置換(8.4全て)
サブミニチュアヒューズリンクの端子は,孔の中心間隔が2.54 mmのグリッドシステムのプリント基板,
又は2.54 mmのグリッドシステムに適合する端子間距離をもつヒューズベースに,容易に装着できるよう
に設計しなければならない。
注記 孔の中心間隔に2.54 mmを用いている場合,回路を開いた状態としては十分な沿面距離又は空
間距離にならないことがあることに注意が必要である(JIS C 6575-4の8.4の注記1参照)。

9 電気的要求事項

  電気的要求事項は,次を除き,JIS C 6575-1の箇条9(電気的要求事項)による。
9.1 電圧降下 追加(注記2の前に,次の本文を追加する。)
電圧降下の測定には,高インピーダンスの電圧計を用いることが望ましい。電圧降下は,図1のUで示
した箇所で測定しなければならない。
9.3 遮断容量
9.3.1 試験方法 追加(“ミニチュアヒューズの”で始まる最終段落の後に,次を追加する。)
スタンダードシート14に規定するサブミニチュアヒューズリンクの交流及び直流用標準試験回路を,
図3に示す。
当該スタンダードシートが交流の使用を定めている場合には,回路の力率は,0.95を超えるものとする。
この力率を得るために,回路電流は,インダクタンスを無視できる抵抗器を用いて調整しなければならな
い。
スタンダードシートJ1又はJ2に規定するサブミニチュアヒューズリンクの遮断試験は,図3Aに示す試
験回路を用いて,次の電流について行い,投入角はランダムとする。
− 低遮断容量サブミニチュアヒューズリンクは,定格遮断容量100 Aとする。
− 中遮断容量サブミニチュアヒューズリンクは,次による。
・ 消弧剤を用いないものは,定格遮断容量(300 A又は500 A)とする。
・ 消弧剤を用いるものは,定格遮断容量(300 A又は500 A)及び定格電流の5倍の電流とする。

――――― [JIS C 6575-3 pdf 9] ―――――

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定格遮断容量での試験回路の力率は0.70.8とし,定格遮断容量より小さい固有電流に対しては回路の
インダクタンスを一定に保ち,電流調整は抵抗だけを変化させて行う。
記号の説明
A : 電流チェック用,取外し可能なリンク
C : 投入スイッチ
D : 電源切離し用スイッチ
F : 供試ヒューズ
S : インピーダンスが回路の全インピーダンスの10 %未満の電源
R : 固有電流調整用直列抵抗
図3−低遮断容量サブミニチュアヒューズリンクの遮断容量試験用標準回路(9.3参照)
記号の説明
A 電流チェック用,取外し可能なリンク
C 投入スイッチ
D 電源切離し用サーキットブレーカ
F 供試ヒューズ
S インピーダンスが回路の全インピーダンスの10 %未満の電源
L インダクタンス
R 抵抗
図3A−遮断容量試験用標準回路
(スタンダードシートJ1又はJ2に規定するサブミニチュアヒューズリンクに適用)
9.3.2 合格判定基準 追加(注記の前に,次の本文を追加する。)
サブミニチュアヒューズリンクは,JIS C 6575-1に規定する不適合の基準に加え,各試験において,次
のような現象が生じることなく動作しなければならない。
− 接点又は端子との融着
− 試験後の表示判読不能
− 肉眼で見える外表面の孔あき

――――― [JIS C 6575-3 pdf 10] ―――――

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JIS C 6575-3:2016の引用国際規格 ISO 一覧

  • IEC 60127-3:2015(MOD)

JIS C 6575-3:2016の国際規格 ICS 分類一覧

JIS C 6575-3:2016の関連規格と引用規格一覧