※一部、英文及び仏文を自動翻訳した日本語訳を使用しています。
序文
ISO (国際標準化機構) は、各国の標準化団体 (ISO メンバー団体) の世界的な連合です。国際規格の作成作業は、通常、ISO 技術委員会を通じて行われます。技術委員会が設立された主題に関心のある各会員団体は、その委員会に代表される権利を有します。 ISOと連携して、政府および非政府の国際機関もこの作業に参加しています。 ISO は、電気技術の標準化に関するすべての問題について、国際電気標準会議 (IEC) と緊密に協力しています。
国際規格は、ISO/IEC 指令のPart 2 部で規定されている規則に従って作成されます。
技術委員会の主な任務は、国際規格を準備することです。技術委員会によって採択されたドラフト国際規格は、投票のためにメンバー団体に配布されます。国際規格として発行するには、投票するメンバー団体の少なくとも 75% による承認が必要です。
このドキュメントの要素の一部が特許権の対象となる可能性があることに注意してください。 ISO は、そのような特許権の一部または全部を特定する責任を負わないものとします。
ISO 14237 は、技術委員会 ISO/TC 201, 表面化学分析、小委員会 SC 6, 二次イオン質量分析によって作成されました。
この第 2 版は、技術的に改訂された第 1 版 (ISO 14237:2000) を取り消して置き換えるものです。この改訂には、特に、ISO 17560 および ISO 18114 への参照による、NIST 標準参照物質 SRM 2137 の深さプロファイリングの手順に関する古い付属書 D の置き換えが含まれます。
序章
この国際規格は、二次イオン質量分析法 (SIMS) による、均一にドープされたシリコン ウェーハ中のホウ素原子濃度の測定のために作成されました。
SIMS では、定量分析を行うための参考資料が必要です。認定された標準物質は、限られたマトリックスと不純物の組み合わせでしか入手できず、高価です。 SIMS では、測定ごとに必然的にこれらの基準物質が消費されます。このように、各試験所で作成し、認証標準物質で校正した二次標準物質は、日々の分析に役立ちます。
この国際規格では、ホウ素を注入した認定標準物質によって校正された二次標準物質を使用した、単結晶シリコン中のホウ素定量分析の標準手順が説明されています。
1 スコープ
この国際規格は、単結晶シリコン中のホウ素原子濃度を決定するための二次イオン質量分析法を規定しています。この方法は、ホウ素を注入した認定基準物質によって較正された、均一にドープされた物質を使用します。この方法は、１×１０ １６原子／ｃｍ ３から１×１０ ２０原子／ｃｍ ３までの濃度範囲で均一にドープされたホウ素に適用可能である。
2 参考文献
本書の適用には、以下の参考文献が不可欠です。日付のある参考文献については、引用された版のみが適用されます。日付のない参照については、参照文書の最新版 (修正を含む) が適用されます。
参考文献
| [1] | SEMI MF1392-0307, 水銀プローブを使用した静電容量-電圧測定によるシリコンウェーハの正味のキャリア密度プロファイルを決定するためのテスト方法 |
| [2] | SEMI MF43-0705, 半導体材料の抵抗率の試験方法 |
| [3] | SEMI MF84-0307, インライン4 点プローブを使用してシリコン ウェーハの抵抗率を測定するためのテスト方法 |
| [4] | SEMI MF723-0307, ホウ素ドープ、リンドープ、ヒ素ドープシリコンの抵抗率とドーパントまたはキャリア密度間の変換の実践 |
| [5] | SEMI MF374-0307, 単一構成手順によるインライン 4 ポイント プローブを使用したシリコン エピタキシャル層、拡散層、ポリシリコン層、およびイオン注入層のシート抵抗のテスト方法 |
| [6] | SEMI MF95-1107, 赤外線分散分光光度計を使用した高濃度ドープ シリコン基板上の低濃度ドープ シリコン エピタキシャル層の厚さのテスト方法 |
| [7] | SEMI MF110-1107, アングル ラッピングおよび染色法によるシリコンのエピタキシャル層または拡散層の厚さのテスト方法 |
| [8] | SEMI MF672-0307, 拡散抵抗プローブを使用してシリコンウェーハの表面に垂直な抵抗率プロファイルを測定するためのテスト方法 |
| [9] | SEMI MF674-0705, 拡散抵抗測定のためのシリコン準備の練習 |
| [10] | N akamura , E.、I shikawa , T.、B irck , J.-L.、および A llegre , CJ, ホウ素-マンニトール複合体を使用した天然岩石サンプルの精密同位体分析、 Chemical Geology (Isotope Geoscience Section)、 9, pp.193-204 |
| [11] | ISO 5725-2, 測定方法と結果の精度 (真度と精度) — Part 2: 標準測定方法の再現性と再現性を決定するための基本的な方法 |
Foreword
ISO (the International Organization for Standardization) is a worldwide federation of national standards bodies (ISO member bodies). The work of preparing International Standards is normally carried out through ISO technical committees. Each member body interested in a subject for which a technical committee has been established has the right to be represented on that committee. International organizations, governmental and non-governmental, in liaison with ISO, also take part in the work. ISO collaborates closely with the International Electrotechnical Commission (IEC) on all matters of electrotechnical standardization.
International Standards are drafted in accordance with the rules given in the ISO/IEC Directives, Part 2.
The main task of technical committees is to prepare International Standards. Draft International Standards adopted by the technical committees are circulated to the member bodies for voting. Publication as an International Standard requires approval by at least 75 % of the member bodies casting a vote.
Attention is drawn to the possibility that some of the elements of this document may be the subject of patent rights. ISO shall not be held responsible for identifying any or all such patent rights.
ISO 14237 was prepared by Technical Committee ISO/TC 201, Surface chemical analysis, Subcommittee SC 6, Secondary ion mass spectrometry.
This second edition cancels and replaces the first edition (ISO 14237:2000), which has been technically revised. The revision includes, in particular, the replacement of old Annex D concerning procedures for the depth profiling of NIST standard reference material SRM 2137 by references to ISO 17560 and ISO 18114.
Introduction
This International Standard was prepared for the determination by secondary ion mass spectrometry (SIMS) of boron atomic concentrations in uniformly doped silicon wafers.
SIMS needs reference materials to perform quantitative analyses. Certified reference materials are only available for limited matrix-impurity combinations, and they are costly. SIMS inevitably consumes these reference materials at every measurement. Thus, secondary reference materials which can be prepared by each laboratory and calibrated using a certified reference material are useful for daily analyses.
In this International Standard, a standard procedure is described for boron quantitative analysis in single-crystalline silicon using secondary reference materials calibrated by a certified reference material implanted with boron.
1 Scope
This International Standard specifies a secondary-ion mass spectrometric method for the determination of boron atomic concentration in single-crystalline silicon using uniformly doped materials calibrated by a certified reference material implanted with boron. This method is applicable to uniformly doped boron in the concentration range from 1 × 1016 atoms/cm3 to 1 × 1020 atoms/cm3.
2 Normative references
The following referenced documents are indispensable for the application of this document. For dated references, only the edition cited applies. For undated references, the latest edition of the referenced document (including any amendments) applies.
- ISO 17560, Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Method for depth profiling of boron in silicon
- ISO 18114, Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Determination of relative sensitivity factors from ion-implanted reference materials
Bibliography
| [1] | SEMI MF1392-0307, Test Method for Determining Net Carrier Density Profiles in Silicon Wafers by Capacitance-Voltage Measurements with a Mercury Probe |
| [2] | SEMI MF43-0705, Test Methods for Resistivity of Semiconductor Materials |
| [3] | SEMI MF84-0307, Test Method for Measuring Resistivity of Silicon Wafers with an In-Line Four-Point Probe |
| [4] | SEMI MF723-0307, Practice for Conversion between Resistivity and Dopant or Carrier Density for Boron-Doped, Phosphorus-Doped, and Arsenic-Doped Silicon |
| [5] | SEMI MF374-0307, Test Method for Sheet Resistance of Silicon Epitaxial, Diffused, Polysilicon, and Ion-implanted Layers Using an In-Line Four-Point Probe with the Single-Configuration Procedure |
| [6] | SEMI MF95-1107, Test Method for Thickness of Lightly Doped Silicon Epitaxial Layers on Heavily Doped Silicon Substrates Using an Infrared Dispersive Spectrophotometer |
| [7] | SEMI MF110-1107, Test Method for Thickness of Epitaxial or Diffused Layers in Silicon by the Angle Lapping and Staining Technique |
| [8] | SEMI MF672-0307, Test Method for Measuring Resistivity Profiles Perpendicular to the Surface of a Silicon Wafer Using a Spreading Resistance Probe |
| [9] | SEMI MF674-0705, Practice for Preparing Silicon for Spreading Resistance Measurements |
| [10] | Nakamura, E., Ishikawa, T., Birck, J.-L., and Allegre, C.J., Precise isotopic analysis of natural rock samples using a boron-mannitol complex, Chemical Geology (Isotope Geoscience Section), 94 (1992), pp. 193-204 |
| [11] | ISO 5725-2, Accuracy (trueness and precision) of measurement methods and results — Part 2: Basic method for the determination of repeatability and reproducibility of a standard measurement method |