JIS C 2141:1992 電気絶縁用セラミック材料試験方法 | ページ 5

                                                                                             21
                                                                                   C 2141 - 1992
                                          図15 電極
15.1.3 マイクロメータ マイクロメータは,JIS B 7502に規定する外側マイクロメータとする。
15.1.4 恒温槽 120℃に調節できるもの。
15.2 試験片 試験片は,次による。
(1) 形状及び大きさ 一辺が50mm以上の長方形板又は直径が50mm以上の円板とする。
(2) 厚さ 厚さは,0.55.0mmとし,同一試験片の厚さの平行度は平均厚さの5%以下とする。
15.3 試験方法 法試験方法は,次の順で行う。
(1) 試験片の厚さをマイクロメータで測定する。
(2) 試験片を温度120℃で2時間以上乾燥した後,デシケータ内で冷却する。
(3) 試験片をJIS C 2320に規定する2号絶縁油中の電極間に装着する。
(4) 商用周波電圧を0から平均1020秒で絶縁破壊が起こるような一定の速さで上昇させる。又は破壊電
    圧の21まで急速に上昇させ,その後は平均1020秒で破壊が起こるような一定の速さで上昇させるか
    のいずれかとする。
(5) 絶縁破壊が生じたときの電圧を測定する。
15.4 計算 絶縁破壊の強さEsは,次の式によって計算する。試験回数は,特に規定がない限り,10回行
うこととし,その平均値をとる。
  なお,計算結果には,試験片の厚さを明記する。
                                  U
                         Es V/m
                                  d
                      ここに, U :  絶縁破壊電圧 (V)

――――― [JIS C 2141 pdf 21] ―――――

22
C 2141 - 1992
                                 d :  試験片の厚さ (m)
16. 比誘電率試験及び誘電正接試験
16.1 装置及び器具 装置及び器具は,次による。
(1) 測定器 測定器は,表4に規定する条件を満足するものとする。
      なお,静電容量の確度は測定値の2%,誘電正接の確度は1×10−4であることが望ましい。
                                          表4 測定器
                          測定周波数       4862Hz,0.82kHz又は1MHz
                          測定周波数許容差           ±20%
                          測定電圧                 5Vrms以下
(2) マイクロメータ JIS B 7502に規定する外側マイクロメータ又はこれと同等以上の精度をもつもの。
(3) ノギス JIS B 7507に規定する1級で,最小読取長さ0.02mmのノギス又はこれと同等以上の精度を
    もつもの。
(4) 恒温槽 120℃に調節できるもの。
16.2 試験片
16.2.1 試験片の形状及び寸法
(1) 形状及び寸法 一辺が50mm以上の長方形板又は直径が50mm以上の円板とする。
(2) 厚さ 厚さは,0.55.0mmとし,同一試験片の厚さの平行度は平均厚さの1%以下とする。
16.2.2 電極形状及び寸法 電極の形状及び寸法は,図16に示すとおりとする。主電極及びガード電極は,
それぞれ円板状及び環状であって主電極とガード電極の間の輪状のすきまは1.0±0.1mmとする。
                           図16 比誘電率及び誘電正接試験の電極構造
16.2.3 電極の付与方法 導電性ペイントの塗布,焼付け,蒸着,スプレーなどの成膜方法を用いる。

――――― [JIS C 2141 pdf 22] ―――――

                                                                                             23
                                                                                   C 2141 - 1992
16.3 試験方法 試験方法は,次の順で行う。
(1) 電極を付与する前の試験片の厚さを,マイクロメータを用いて3か所を0.01mmの精度で測定し平均
    値を求める。
(2) 試験片に電極を付与し,主電極の直径D1及びガード電極の直径D2をノギスを用いて0.05mmの精度
    で測定する。
(3) 試験片を温度120℃で2時間以上乾燥した後,デシケータ内で冷却する。
(4) 試験片をデシケータから取り出し,温度20±2℃,相対湿度 (65±5) %で16時間以上放置した後,試
    験片の主電極の静電容量Cx及び誘電正接を測定する。
      なお,測定の際には装置全体に浮遊容量などによる測定誤差が極力少なくなるようにする。
16.4 計算 比誘電率    攀爰     次の式によって計算する。
                            Cx
                          r
                            C0
                                     2
                              D1  g
                                 2
                        C0              100
                                6.3d
                            D2  D1
                         g
                               2
                      ここに,   Cx :  試験片の主電極の静電容量値 (pF)
                                 C0 :  主電極の面積及び試験片の厚さから算出した比誘電率      1
                                       のときの静電容量値 (pF)
                                 D1 :  主電極の直径 (m)
                                  g :  主電極とガード電極のすきま (m)
                                  d :  試験片の厚さ (m)
                                 D2 :  ガード電極の直径 (m)
関連規格 JIS C 2110 固体電気絶縁材料の絶縁耐力の試験方法
          JIS C 5102 電子機器用固定コンデンサの試験方法
          JIS K 7123 プラスチックの比熱容量測定方法
          JIS R 1601 ファインセラミックスの曲げ強さ試験方法
          JIS R 1602 ファインセラミックスの弾性率試験方法
          JIS R 1610 ファインセラミックスのビッカース硬さ試験方法
          IEC 250 Recommended methods for the determination of the permittivity and dielectric dissipation
              factor of electrical insulating materials at power, audio and radio frequencies including metre
              wavelengths
          IEC 345 Method of test for electrical resistance and resistivity of insulating materials at elevated
              temperatures

――――― [JIS C 2141 pdf 23] ―――――

24
C 2141 - 1992
                             JIS C 2141 改正原案作成委員会 構成表
                                     氏名                         所属
        (委員長)              一ノ瀬    昇      早稲田大学
                                吹 譯 正 憲       通商産業省機械情報産業局
                                稲 葉 裕 俊       工業技術院標準部
                                山 本     孝      防衛大学校
                                菱 田 俊 一       無機材質研究所
                                黒 木 勝 也       財団法人日本規格協会
                                山 岡 信 立       太陽誘電株式会社
                                高 橋     孝      株式会社東芝
                                石 森 太 郎       日本電気株式会社
                                小 林     喬      株式会社日立製作所
                                村 瀬 嘩 生       富士通株式会社
                                入 江 義 郎       松下電子部品株式会社
                                濱 野 文 雄       京セラ株式会社
                                岡 本     明      TDK株式会社
                                加 藤 正 利       株式会社住友金属セラミックス
                                小 池 保 夫       日本ガイシ株式会社
                                神 戸 六 郎       日本特殊陶業株式会社
        (関係者)              角 田 悦 啓       工業技術院標準部
        (事務局)              松 本     悌      日本電子材料工業会
                                佐 藤 秀 樹       日本電子材料工業会
                        JTS C 2141 改正原案作成委員会WG委員会 構成表
                                     氏名                         所属
        (主査)               神 戸 六 郎       日本特殊陶業株式会社
                               小 梶     彰      京セラ株式会社
                               岡 本     明      TDK株式会社
                               山 口 輝 雄       鳴海製陶株式会社
                               小 池 保 夫       日本ガイシ株式会社
                               入 江 義 郎       松下電子部品株式会社
        (事務局)             松 本     悌      日本電子材料工業会
                               佐 藤 秀 樹       日本電子材料工業会