※一部、英文及び仏文を自動翻訳した日本語訳を使用しています。
序章
参照材料は、シリコン ウェーハ、多層デバイス (AlGaAs ダブル ヘテロ レーザー、高電子移動度トランジスタなど)、および耐腐食性車体用の合金亜鉛めっき鋼などの材料のスパッタ プロファイリング方法の深さ分解能を最適化するのに役立ちます。
この国際規格の具体的な適用は次のとおりです。
- a)参照材料としての基板上の単層および多層システムは、オージェ電子分光法、X 線光電子分光法、および二次イオン質量分析法における機器設定の関数としての深さ分解能の最適化に役立ちます。
- b)これらのシステムは、スパッタ クレーターの均一性、クレーター底の傾斜、サンプル ドリフト、スパッタ条件のドリフト (イオン ビーム電流密度など) が深さ分解能に及ぼす影響を説明するのに役立ちます。
- c)これらのシステムは、スパッタによる表面粗さの影響と、スパッタによる原子混合が深さ分解能に与える影響を説明するのに役立ちます。
- d)これらのシステムは、機器の供給者とユーザーが機器の性能を評価するのに役立ちます。
- e)この国際規格は時宜を得た話題のものであり、スパッタ深さプロファイリングの将来の開発の基礎として使用することができます。
この国際規格に関連する ISO ガイドのリストは、参考文献に記載されています。 [1][2][3][4][5]
Introduction
Reference materials are useful in optimizing the depth resolution of sputter profiling methods in materials such as silicon wafers, multilayered devices (for example AlGaAs double-hetero lasers, high electron mobility transistors) and alloy-galvanized steel for corrosion-resistant car bodies.
The specific applications of this International Standard are as follows:
- a) Single-layered and multilayered systems on a substrate as reference materials are useful for the optimization of depth resolution as a function of instrument settings in Auger electron spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy and secondary ion mass spectrometry.
- b) These systems are useful for illustrating the effects of the evenness of the sputter crater, the inclination of the crater bottom, the sample drift, the drift of sputter conditions (for example ion beam current density) on depth resolution.
- c) These systems are useful for illustrating the effects of sputter-induced surface roughening and sputter-induced atomic mixing on depth resolution.
- d) These systems are useful for the evaluation of instrument performance for instrument suppliers and users.
- e) This International Standard is timely and topical, and can be used for a basis of future development of sputter depth profiling.
A list of ISO Guides related to this International Standard is given in the Bibliography.[1][2][3][4][5]