※一部、英文及び仏文を自動翻訳した日本語訳を使用しています。
2 用語と定義
このドキュメントでは、次の用語と定義が適用されます。
注記この国際規格で使用される用語は、基本的に ASTM E 673–97 [6]に従います。使用されている用語の定義は、ISO/TC 201/SC 1, 用語集によって開発されているものに準拠するように修正されます。
2.1
分析エリア
完全な信号またはその信号の指定されたパーセンテージが検出される表面の平面で測定されたサンプル表面の 2 次元領域。
2.2
入射角
入射ビームと局所または平均表面法線の間の角度
2.3
クレーターエッジ効果
深さプロファイリングで形成された火口の中央領域よりも浅い深さから発生することが多い、火口縁からの信号
2.4
深度解像度
2 つの媒体間の理想的に鋭い界面をプロファイリングするときに、信号強度が指定された量だけ増加または減少する深度範囲。
注記 1:慣例により、深さ分解能の尺度は、信号強度が 2 つの媒体のそれぞれのプラトー値の間の完全な変化の 16% から 84% まで変化する距離であると見なされることがよくあります。 [7]
2.5
ゲートエリア
信号が取得される可能性のある、より広い領域内の定義された領域
2.6
画像深度プロファイル
特定の元素または分子種 (放出された二次イオンまたは電子によって示される) の空間分布を、深さまたはスパッタリングによって除去された材料の関数として表す 3 次元表現
2.7
高原地帯
信号が一定のままであるか、スパッタリング時間によって大きな変動がない領域
2.8
信号強度
分光計の出力または定義されたデータ処理後の信号の強度
注記 1:シグナル強度の例は、バックグラウンドより上のピークの高さ、AES のピーク間の高さ、または XPS のピーク面積です。
2.9
スパッタ深さプロファイル
スパッタリングにより材料を除去しながら表面組成を測定したときに得られる組成深さプロファイル
2.10
スパッタ率
粒子衝撃の結果として除去されたサンプル材料の量の時間による商
注記速度は，速度，単位時間当たりの単位面積当たりの質量，又は単位時間当たりの量のその他の尺度として測定することができる。
参考文献
| [1] | ISO Guide 30:2015, 参考資料 — 選択された用語と定義 |
| [2] | ISO Guide 31:2000, 参考資料 — 証明書およびラベルの内容 |
| [3] | ISO Guide 33:2015, 参考資料 — 参考資料の使用に関するグッド プラクティス |
| [4] | ISO Guide 34:2009, 標準物質生産者の能力に関する一般要件 |
| [5] | ISO Guide 35:2006, 参考資料 — 認証の一般的および統計的原則 |
| [6] | ASTM E 673-97, 表面分析に関する標準用語 |
| [7] | ASTM E 1438-91 (1996) SIMS を使用したスパッタ深さプロファイリングで界面の幅を測定するための標準ガイド |
| [8] | ASTM E 1127-91 (1997)オージェ電子分光法における深度プロファイリングの標準ガイド |
| [9] | ASTM E 684-95, 固体表面のスパッタ深さプロファイリングのための大口径イオンビームの電流密度の近似決定の標準プラクティス |
| [10] | Powell RA, オージェ スパッタ プロファイリング研究中のイオン放出オージェ放出の摂動効果。 Ｊ．Ｖａｃ．理科技術。 1978 年、15 頁 125–127 |
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| [13] | ホフマン S.、多層構造の測定されたスパッタリング プロファイルからの深さ解像度の決定: 方程式と近似。サーフィンインターフェイスアナル。 1986年、8ページ87–89 |
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| [27] | Menyhard M.、Barna A.、Biersack JP, Jarrendahl K.、Sundgren J.-E.、Ge-Si 多層システムのオージェ深度プロファイリング中のイオン混合の研究 II. 低イオン エネルギー (0.2 ～ 2 keV) 範囲。 Ｊ．Ｖａｃ．理科技術。 A. 1995, 13 pp. 1999-2004 |
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| [29] | Hofmann S, Zalar A, サンプル回転による深度プロファイリング: 機能と制限。サーフィンインターフェイスアナル。 1994年、21 pp.304–309 |
| [30] | Kim KJ, Moon DW, 通常の O 2+イオン衝撃下での二次イオン質量分析プロファイリングによる Cr/Ni 界面の深さ分解能の大幅な改善。アプリケーション物理ラトビア1992, 60 pp. 1178–1180 |
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| [32] | Jiang ZX, Alkemade PFA, Algra E, Radelaar S. 低エネルギー グレージング O 2+ビームによる高深度解像度 SIMS 分析。サーフィンインターフェイスアナル。 1997, 25 pp. 285–291 |
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| [34] | Marton D, Fine J イオン スパッタリング中の表面粗さの増加に関する開発。薄い固体フィルム。 1987, 151 pp. 433–439 |
| [35] | Hofmann S.、Zalar A.、Cirlin E.-H.、Vajo JJ, Mathieu HJ, Panjan P. AES, XPS を使用したサンプル回転の有無にかかわらず、Ni/Cr 多層膜のスパッタ深さプロファイリングにおける深さ分解能の研究所間比較そしてSIMサーフィンインターフェイスアナル。 1993年、20 pp.621–626 |
| [36] | Kajiwara K. AES 深度プロファイリングにおける深度解像度への結晶効果。サーフィンインターフェイスアナル。 1994年、22 pp.22–26 |
| [37] | Seah MP, Dench WA, 表面の定量的電子分光法: 固体における電子非弾性平均自由行程の標準データベース。サーフィンインターフェイスアナル。 1979 年、1 pp. 2–11 |
| [38] | Tanuma S, Powell CJ, Penn DR 電子非弾性平均自由行程 (IMFP) の計算。サーフィンインターフェイスアナル。 1993年、20 pp.77–89 |
| [39] | Veisfeld N, Geller JD, サブミクロン薄膜のイオン スパッタリング歩留り測定。 Ｊ．Ｖａｃ．理科技術。 A. 1988, 6 pp. 2077-2081 |
| [40] | Sykes DE, Hall DD, Thurstans RE, Walls JM, 2 つのイオンガンを使用した改善されたスパッタ深さプロファイル。アプリケーションサーフィン理科1980 年、5 頁 103–106 |
| [41] | Fine J, Navinsek B スパッタ深さプロファイル分析のための NBS 標準参照物質 2135 のキャラクタリゼーション。 Ｊ．Ｖａｃ．理科技術。 A. 1985, 3 pp. 1408-1412 |
2 Terms and definitions
For the purposes of this document, the following terms and definitions apply.
NOTE The terms used in this International Standard follow basically ASTM E 673–97 [6] . The definitions of the terms used are to be modified to conform to those being developed by ISO/TC 201/SC 1, Terminology.
2.1
analysis area
two-dimensional region of a sample surface measured in the plane of that surface from which the full signal or a specified percentage of that signal is detected
2.2
angle of incidence
angle between the incident beam and the local or average surface normal
2.3
crater edge effect
signals from the crater edge which often originate from depths shallower than the central region of the crater formed in depth profiling
2.4
depth resolution
depth range over which a signal intensity increases or decreases by a specified amount when profiling an ideally sharp interface between two media
Note 1 to entry: By convention, a measure of the depth resolution is often taken to be the distance over which the signal intensity changes from 16 % to 84 % of the full change between the respective plateau values of the two media.[7]
2.5
gated area
defined area within a larger area from which the signal may be obtained
2.6
image depth profile
three-dimensional representation of the spatial distribution of a particular elemental or molecular species (as indicated by emitted secondary ions or electrons) as a function of depth or material removed by sputtering
2.7
plateau region
region in which the signal remains constant or without significant variation with sputtering time
2.8
signal intensity
strength of a signal at the spectrometer output or after some defined data processing
Note 1 to entry: Examples of signal intensity are the height of the peak above the background or the peak-to-peak heights in AES or the peak areas in XPS.
2.9
sputter depth profile
compositional depth profile obtained when the surface composition is measured as material is removed by sputtering
2.10
sputtering rate
quotient of amount of sample material removed as a result of particle bombardment by time
Note 1 to entry: The rate may be measured as a velocity, a mass per unit area per unit time, or some other measure of quantity per unit time.
Bibliography
| [1] | ISO Guide 30:2015, Reference materials — Selected terms and definitions |
| [2] | ISO Guide 31:2000, Reference materials — Contents of certificates and labels |
| [3] | ISO Guide 33:2015, Reference materials — Good practice in using reference materials |
| [4] | ISO Guide 34:2009, General requirements for the competence of reference material producers |
| [5] | ISO Guide 35:2006, Reference materials — General and statistical principles for certification |
| [6] | ASTM E 673-97, Standard Terminology Relating to Surface Analysis |
| [7] | ASTM E 1438-91 (1996), Standard Guide for Measuring Widths of Interfaces in Sputter Depth Profiling Using SIMS |
| [8] | ASTM E 1127-91 (1997), Standard Guide for Depth Profiling in Auger Electron Spectroscopy |
| [9] | ASTM E 684-95, Standard Practice for Approximate Determination of Current Density of Large-Diameter Ion Beams for Sputter Depth Profiling of Solid Surfaces |
| [10] | Powell R.A., Perturbing Effects of Ion-exited Auger Emission during Auger-Sputter Profiling Studies. J. Vac. Sci. Technol. 1978, 15 pp. 125–127 |
| [11] | Zalar A., Hofmann S., Panjan P., Krasevec V., Auger Electron Spectroscopy Depth Profiling Studies on Stationary and Rotated Samples of a New Model Metal/Semiconductor Multilayer Structure. Thin Solid Films. 1992, 220 pp. 91–196 |
| [12] | Seah M.P., Hunt C.P., The Depth Dependence of the Depth Resolution in Composition-Depth Profiling with Auger Electron Spectroscopy. Surf. Interface Anal. 1983, 5 pp. 33–37 |
| [13] | Hofmann S., Determination of Depth Resolution from Measured Sputtering Profiles of Multilayer Structures: Equations and Approximations. Surf. Interface Anal. 1986, 8 pp. 87–89 |
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| [16] | HOFMANN S. Depth Resolution in Sputter Profiling. Appl. Phys. (Berl.). 1977, 13 pp. 205–207 |
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| [39] | Veisfeld N., Geller J.D., Ion Sputtering Yield Measurements for Submicrometer Thin Films. J. Vac. Sci. Technol. A. 1988, 6 pp. 2077–2081 |
| [40] | Sykes D.E., Hall D.D., Thurstans R.E., Walls J.M., Improved Sputter-Depth Profiles Using Two Ion Guns. Appl. Surf. Sci. 1980, 5 pp. 103–106 |
| [41] | Fine J., Navinsek B., Characterization of NBS Standard Reference Material 2135 for Sputter Depth Profile Analysis. J. Vac. Sci. Technol. A. 1985, 3 pp. 1408–1412 |