JIS C 5910-3:2015 波長選択性のない光ブランチングデバイス―第３部：シングルモード光ファイバピッグテール形１×Ｎ及び２×Ｎ光ブランチングデバイス | ページ 3

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  表2−シングルモード光ファイバピッグテール形1×N及び2×N光ブランチングデバイスの環境及び
                                      耐久性特性(続き)
   項目      試験方法              試験条件                            要求性能
 耐振性    正弦波振動試 振動範囲 : 10 Hz55 Hz            等分岐及び不等分岐光ブランチングデバイス
           験           変化率 : 1オクターブ/min         の試験前後の挿入損失は,表1に規定する最大
          (JIS C       振動軸 : 直交3軸                 値以下とする。
           61300-2-1)  掃引サイクル数(10 Hz−55 Hz−10さらに,等分岐光ブランチングデバイスの試験
                        Hz) : 15                        中の挿入損失の変化は,初期値の±0.3 dB以内
                        振動振幅 : 0.75 mm              (N≦4の場合),又は初期値の±0.5 dB以内(N
                                                        >4の場合)とする。
                                                        不等分岐光ブランチングデバイスの試験中の
                        取付方法 : 供試品は,アセンブリング
                        カセット又はオーガナイザで取付具挿入損失の変化は,初期値の±0.3 dB以内(P %
                        と強固に固定する。              >2 %の場合),又は初期値の±0.5 dB以内(P %
                                                        ≦2 %の場合)とする。
                                                        試験中及び試験後の反射減衰量は,表1に規定
                        挿入損失及び反射減衰量は,表1に示
                                                        する最小値以上とする。
                        す条件で,試験中及び試験前後に測定
                        する。試験中の挿入損失の変化は,波
                        長1 550 nm±20 nmでJIS C
                        61300-3-28に従い測定する。
 光ファイ  光ファイバク 引張力 : 光ファイバコードに対して5
                                                        等分岐及び不等分岐光ブランチングデバイス
 バクラン  ランプ強度試 N/sの変化率で10 N±1 N          の試験前後の挿入損失は,表1に規定する最大
 プ強度    験(軸方向引                                 値以下とする。
                        光ファイバ心線に対して0.5 N/sの変
(軸方向   張り)       化率で5 N±0.5 N                さらに,等分岐光ブランチングデバイスの試験
 引張り) (JIS C                                       後の挿入損失の変化は,初期値の±0.3 dB以内
                        光ファイバ素線に対して0.5 N/sの変
           61300-2-4)  化率で2 N±0.2 N               (N≦4の場合),又は初期値の±0.5 dB以内(N
                                                        >4の場合)とする。
                        引張力を加える位置 : 供試品の端から
                        0.3 m                           不等分岐光ブランチングデバイスの試験後の
                                                        挿入損失の変化は,初期値の±0.3 dB以内(P %
                        引張力持続時間 : 10 Nの場合120 s,5
                        N及び2 Nの場合60 s              >2 %の場合),又は初期値の±0.5 dB以内(P %
                                                        ≦2 %の場合)とする。
                                                        試験後の反射減衰量は,表1に規定する最小値
                        挿入損失及び反射減衰量は,表1に示
                        す条件で,試験前後に測定する。  以上とする。
 耐衝撃性 衝撃試験      ピーク加速度 :                   等分岐及び不等分岐光ブランチングデバイス
         (JIS C         5 000 m/s2 : 質量≦0.125 kg     の試験前後の挿入損失は,表1に規定する最大
          61300-2-9)    2 000 m/s2 : 0.125 kg<質量≦0.225 kg
                                                        値以下とする。
                         500 m/s2 : 0.225 kg<質量≦1 kg a)
                                                        さらに,等分岐光ブランチングデバイスの試験
                                                        後の挿入損失の変化は,初期値の±0.3 dB以内
                        パルス作用時間 : 1 ms,正弦半波 (N≦4の場合),又は初期値の±0.5 dB以内(N
                        軸数 : 3軸各2方向                >4の場合)とする。
                        衝撃回数 : 2衝撃/軸,総数12     不等分岐光ブランチングデバイスの試験後の
                                                        挿入損失の変化は,初期値の±0.3 dB以内(P %
                                                        >2 %の場合),又は初期値の±0.5 dB以内(P %
                        挿入損失及び反射減衰量は,表1に示
                        す条件で,試験前後に測定する。  ≦2 %の場合)とする。
                                                        試験後の反射減衰量は,表1に規定する最小値
                                                        以上とする。

――――― [JIS C 5910-3 pdf 11] ―――――

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C 5910-3 : 2015
  表2−シングルモード光ファイバピッグテール形1×N及び2×N光ブランチングデバイスの環境及び
                                      耐久性特性(続き)
   項目      試験方法              試験条件                            要求性能
 光ファイ  光ファイバク                                 等分岐及び不等分岐光ブランチングデバイス
                        荷重力及び保持時間 : 光ファイバコー
 バクラン  ランプ強度試                                 の試験前後の挿入損失は,表1に規定する最大
                        ドに対して1 Nで1 h。光ファイバ心線
 プ強度    験(横方向引                                 値以下とする。
                        に対して0.2 Nで5 min。光ファイバ素
(横方向   張り)       線に対してはこの試験は省略できる。
                                                        さらに,等分岐光ブランチングデバイスの試験
 引張り) (IEC         荷重方向 : 互いに直交する2方向。 後の挿入損失の変化は,初期値の±0.3 dB以内
           61300-2-42)                                (N≦4の場合),又は初期値の±0.5 dB以内(N
                                                        >4の場合)とする。
                        挿入損失及び反射減衰量は,試験前後
                        に測定する。                    不等分岐光ブランチングデバイスの試験後の
                                                        挿入損失の変化は,初期値の±0.3 dB以内(P %
                                                        >2 %の場合),又は初期値の±0.5 dB以内(P %
                                                        ≦2 %の場合)とする。
                                                        試験後の反射減衰量は,表1に規定する最小値
                                                        以上とする。
 光ファイ  光ファイバク 荷重力 : 光ファイバコードに対して2
                                                        等分岐及び不等分岐光ブランチングデバイス
 バクラン  ランプ強度試 N                               の試験前後の挿入損失は,表1に規定する最大
 プ強度    験(繰返し曲                                 値以下とする。
                        光ファイバ心線,及び光ファイバ素線
(繰返し   げ)         に対しては,この試験は省略できる。
                                                        さらに,等分岐光ブランチングデバイスの試験
 曲げ)   (IEC         曲げ角度 : ±90°                後の挿入損失の変化は,初期値の±0.3 dB以内
           61300-2-44) サイクル数 : 30                 (N≦4の場合),又は初期値の±0.5 dB以内(N
                                                        >4の場合)とする。
                                                        不等分岐光ブランチングデバイスの試験後の
                       挿入損失及び反射減衰量は,試験前後
                       に測定する。                     挿入損失の変化は,初期値の±0.3 dB以内(P %
                                                        >2 %の場合),又は初期値の±0.5 dB以内(P %
                                                        ≦2 %の場合)とする。
                                                        試験後の反射減衰量は,表1に規定する最小値
                                                        以上とする。
 注a) 質量が1 kgを超えるものの試験方法は,受渡当事者間の協定による。

7 試料

  試料の入出力端子は,JIS C 6835のSSMA形,SSMAU形,SSMFA形若しくはSSMFB形シングルモ
ード光ファイバ素線又はそれらを用いた光ファイバ心線若しくは光ファイバコードとする。
    注記 表1中での光ファイバとの記載は,光ファイバ素線,光ファイバ心線又は光ファイバコードの
          意味である。

8 試験報告書

  製造業者又は販売業者は,試験を実施し合格した証拠として使用者又は購入業者が受入検査に利用する
ことができるように,試験報告書及びそれを裏付けるデータを使用者又は購入業者に提供する。
  試験報告書には,光学特性については試験条件及び性能値を,環境及び耐久性特性については試験条件,
試料数及び合格判定数を記載する。

9 表示

  シングルモード光ファイバピッグテール形1×N及び2×N光ブランチングデバイスには,次の事項を表
示する。ただし,個々のデバイスに表示することが困難な場合は,包装に表示してもよい。

――――― [JIS C 5910-3 pdf 12] ―――――

                                                                                             11
                                                                                 C 5910-3 : 2015
a) 形名(製造業者の指定による。)
b) 製造業者名又はその略号
c) 製造年月若しくは製造ロット番号又はそれらの略号

10 包装

  包装は,輸送中及び保管中に,振動,衝撃などによる製品の破損又は品質の低下のおそれがないように
行う。また,短期間に劣化するおそれがある材料を含む場合には,安全管理及び保管環境条件に関する注
意及び要求事項とともに,有効期限を包装に表示する。

11 安全

  光伝送システム又は光伝送装置に用いる場合,人体へ影響を及ぼす出力端子からの光の放射があり得る。
そのため,製造業者は,システム設計者及び使用者に対して,安全性に関する十分な情報及び確実な使用
方法を明示しなければならない。

――――― [JIS C 5910-3 pdf 13] ―――――

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C 5910-3 : 2015
                                          附属書A
                                          (参考)
 1×N及び2×N光ブランチングデバイスの挿入損失及び均一性の要求性能
                                          の計算値
A.1 1×N及び2×N光ブランチングデバイスの挿入損失及び均一性の要求性能の計算値
  表1で規定した式に基づく1×N及び2×N等分岐両方向光ブランチングデバイスの挿入損失及び均一性
の要求性能(クラスA及びクラスB)の計算値は,表A.1及び表A.2による。
  表A.1−等分岐両方向光ブランチングデバイスの挿入損失及び均一性の要求性能の計算値(クラスA)
     N                   端子構成 : 1×N                            端子構成 : 2×N
              スペクトルバンド1   スペクトルバンド2    スペクトルバンド1    スペクトルバンド2
             挿入損失  均一性の  挿入損失  均一性の   挿入損失  均一性の   挿入損失  均一性の
             の最大値   最大値   の最大値   最大値    の最大値   最大値    の最大値   最大値
                dB        dB        dB        dB         dB        dB         dB        dB
      2        3.8        0.4       3.9        0.5       4.1       0.8        4.2       0.9
      3        5.7        0.6       5.9        0.7       6.1       1.0        6.2       1.2
      4        7.1        0.7       7.3        0.9       7.5       1.2        7.7       1.4
      6        9.0        0.9       9.3        1.1       9.5       1.4        9.7       1.7
      8       10.4        1.0      10.7        1.3      10.9       1.6       11.2       1.9
     12       12.3        1.2      12.7        1.5      12.9       1.8       13.2       2.2
     16       13.7        1.3      14.1        1.7      14.3       2.0       14.7       2.4
     24       15.6        1.5      16.1        1.9      16.3       2.2       16.7       2.7
     32       17.0        1.6      17.5        2.1      17.7       2.4       18.2       2.9
     64       20.3        1.9      20.9        2.5      21.1       2.8       21.7       3.4
    128       23.6        2.2      24.3        2.9      24.5       3.2       25.2       3.9
 注記 Nは,端子構成1×N又は2×Nの片側の端子群の端子数Nである。
  表A.2−等分岐両方向光ブランチングデバイスの挿入損失及び均一性の要求性能の計算値(クラスB)
     N                   端子構成 : 1×N                            端子構成 : 2×N
              スペクトルバンド1   スペクトルバンド2    スペクトルバンド1    スペクトルバンド2
             挿入損失  均一性の  挿入損失  均一性の   挿入損失  均一性の   挿入損失  均一性の
             の最大値   最大値   の最大値   最大値    の最大値   最大値    の最大値   最大値
                dB        dB        dB        dB         dB        dB         dB        dB
      2        3.9        0.5       4.0        0.6       4.2        0.9       4.3       1.0
      3        5.9        0.7       6.0        0.8       6.2        1.1       6.4       1.3
      4        7.3        0.8       7.5        1.0       7.7        1.3       7.9       1.5
      6        9.3        1.0       9.5        1.2       9.7        1.5      10.0       1.8
      8       10.7        1.1      11.0        1.4      11.2        1.7      11.5       2.0
     12       12.7        1.3      13.0        1.6      13.2        1.9      13.6       2.3
     16       14.1        1.4      14.5        1.8      14.7        2.1      15.1       2.5
     24       16.1        1.6      16.5        2.0      16.7        2.3      17.2       2.8
     32       17.5        1.7      18.0        2.2      18.2        2.5      18.7       3.0
     64       20.9        2.0      21.5        2.6      21.7        2.9      22.3       3.5
    128       24.3        2.3      25.0        3.0      25.2        3.3      25.9       4.0
 注記 Nは,端子構成1×N又は2×Nの片側の端子群の端子数Nである。

――――― [JIS C 5910-3 pdf 14] ―――――

                                                                                             13
                                                                                 C 5910-3 : 2015
  表1で規定した式に基づく1×2及び2×2不等分岐光ブランチングデバイスの挿入損失の要求性能の計
算値は,表A.3による。
                   表A.3−不等分岐光ブランチングデバイス(1×2及び2×2)の
                                   挿入損失の要求性能の計算値
                      結合率P1/P2    (挿入損失1の最大値)/(挿入損失2の最大値)
                          %                             dB
                         40/60                        5.2/3.3
                         30/70                        6.5/2.6
                         20/80                        8.3/2.0
                         10/90                        11.5/1.5
                         5/95                         14.7/1.2
                         2/98                         18.8/1.1
                         1/99                         22.0/1.0

――――― [JIS C 5910-3 pdf 15] ―――――

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