JIS C 8201-4-3:2010 低圧開閉装置及び制御装置―第4-3部:接触器及びモータスタータ:非モータ負荷用交流半導体制御器及び接触器 | ページ 13

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C 8201-4-3 : 2010
a) 操作電圧Uc特性
b) モータ電圧特性
図F.3−阻止及び転流能力試験波形

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C 8201-4-3 : 2010
附属書G
(参考)
制御回路構成の例
G.1 外部制御装置(ECD)
G.1.1 ECDの定義
制御器の制御に影響を与える外部素子。
G.1.2 ECDの図示
G.1.3 ECDのパラメータ
Ri : 内部抵抗
Zi : 内部漏れインピーダンス
注記 ECDが機械式押しボタンの場合は,Riを無視し,Ziは無限大とみなす。
G.2 制御回路構成
G.2.1 外部制御電源をもつ制御器
G.2.1.1 共通の電源及び制御入力

――――― [JIS C 8201-4-3 pdf 62] ―――――

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C 8201-4-3 : 2010
G.2.1.2 別個の電源及び制御入力
注a) 回路電圧
G.2.2 内部の制御電源を備え制御入力だけをもつ制御器
注a) 回路電圧

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C 8201-4-3 : 2010
附属書H
(参考)
製造業者と使用者との間で協定を必要とする項目
注記 この附属書では,“協定”は,非常に幅広い意味に用いる。また,“使用者”には,試験所を含
む。
この規格の箇条及び細分箇条に含まれる範囲において,JIS C 8201-1の附属書J(受渡当事者間で協定を
必要とする項目)に,次の表H.1の事項を追加して適用する。
表H.1
本体の箇条番号 項目
5.3.4.6 注記 F及び/又はSのほかの値(製造業者が指定してもよい。)
5.4 表2に規定する使用負荷種別以外の使用負荷種別
5.6 補助機能又は補助回路が通常でない動作特性
7.1.1 注記 40 ℃を超える周囲温度環境で用いる装置
7.1.2 注記 1 000 mを超える標高で用いる装置
8.2.4.1 1 000 Aを超えるX・Ieをもつ制御器の過負荷能力の検証
表9 阻止及び転流能力の検証結果
製造業者が指定した機能の喪失
8.3.1 EMC要求事項 :
a) システムがそのシステムレベルに適用する規則及び法規に適合するというシステ
ム設置者(使用者)の責任
b) 機器に多大なる影響を及ぼす項目
8.3.3.1 イミュニティ : 厳しい外部影響をもつ場所(製造業者の意見を聞くことが望ましい。)
8.3.3.3 80 MHz1 000 MHzの周波数範囲のイミュニティの検証
9.3.1 注記1及び注記2 試験シーケンスのための供試器数(製造業者との協定が必要)
9.3.3.6.3 EUTに電圧測定に適する特別の機能をもたせるための指示
9.3.5 EMC試験 :
a) 試験用負荷種別
b) 合格基準のための規格限界の機能的説明及び定義(製造業者が提供)
c) 最小伝導条件(製造業者が選定)
9.3.5.2 EMCイミュニティ試験 : (製造業者の指定による)1台の代表供試器の試験
9.3.5.2.2 EMC対策用の金属製エンクロージャを開くときに常に講じなければならない予防手段
を示す

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C 8201-4-3 : 2010
附属書I
(規定)
半導体接触器及び制御器の短絡試験用に変更した試験回路
D : 供試機器(接続導体を含む)
注記 外郭は,金属遮へい又はエンクロージャを含む。
図I.1−半導体機器の短絡試験用に変更した試験回路
標準の短絡試験用の回路は,JIS C 8201-1の図9(単相交流又は直流の単極装置の短絡投入容量及び短絡
遮断容量検証回路図)図12(4極装置の短絡投入容量及び短絡遮断容量検証試験回路)参照。
図I.1に半導体機器の短絡試験用に変更した試験回路を示す。ここには,半導体制御器用標準短絡試験
回路の一つの相だけの変更を記載するが,多相機器用試験回路では各相の変更部分は同一である。
変更は,図I.1に示した部分だけである。
図I.2に,9.3.4.1.6の短絡試験のタイムチャートを示す。

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JIS C 8201-4-3:2010の引用国際規格 ISO 一覧

  • IEC 60947-4-3:2007(MOD)

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