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C 8201-4-3 : 2010
求事項に適合することが望ましい。
この規格の目的は,次の事項を規定することにある。
a) 半導体制御器,接触器及びこれらの組合せ装置の特性
b) 半導体制御器及び接触器が適合しなければならない次の条件
− 動作及び挙動
− 耐電圧性能
− 該当する場合,それらのエンクロージャの保護等級
− 構造
c) これらの条件に適合することを確認する,試験項目及び試験方法
d) 装置又は製造業者発行の資料で表示しなければならない情報
注記1 我が国の配電電圧は,関係法規において,低圧は交流600 V以下と規定している。
注記2 この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を,次に示す。
IEC 60947-4-3:2007,Low-voltage switchgear and controlgear−Part 4-3: Contactors and
motor-starters−AC semiconductor controllers and contactors for non-motor loads(MOD)
なお,対応の程度を表す記号“MOD”は,ISO/IEC Guide 21-1に基づき,“修正している”
ことを示す。
2 引用規格
次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成する。これらの
引用規格のうちで,西暦年を付記してあるものは,記載の年の版を適用し,その後の改正版(追補を含む。)
は適用しない。西暦年の付記がない引用規格は,その最新版(追補を含む。)を適用する。
JIS B 3502 プログラマブルコントローラ−装置への要求事項及び試験
注記 対応国際規格 : IEC 61131-2:2003,Programmable controllers−Part 2: Equipment requirements and
tests(MOD)
JIS C 8201-1:2007 低圧開閉装置及び制御装置−第1部 : 通則
注記 対応国際規格 : IEC 60947-1:2004,Low-voltage switchgear and controlgear−Part 1: General rules
(MOD)
JIS C 8201-4-2 低圧開閉装置及び制御装置−第4-2部 : 接触器及びモータスタータ : 交流半導体モー
タ制御器及びスタータ
注記 対応国際規格 : IEC 60947-4-2:2007,Low-voltage switchgear and controlgear−Part 4-2: Contactors
and motor-starters−AC semiconductor motor controllers and starters(MOD)
JIS C 8269-1 低電圧ヒューズ−第1部 : 一般要求事項
注記 対応国際規格 : IEC 60269-1:1986,Low-voltage fuses−Part 1: General requirements並びに
Amendment 1 (1994) 及びAmendment 2 (1995)(IDT)
JIS C 60050-161 EMCに関するIEV用語
注記 対応国際規格 : IEC 60050-161:1990,International Electrotechnical Vocabulary−Chapter 161:
Electromagnetic compatibility(IDT)
JIS C 60664(すべての部) 低圧系統内機器の絶縁協調
注記 対応国際規格 : IEC 60664 (all parts),Insulation coordination for equipment within low-voltage
systems(IDT)
――――― [JIS C 8201-4-3 pdf 6] ―――――
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C 8201-4-3 : 2010
JIS C 61000-3-2 電磁両立性−第3-2部 : 限度値−高調波電流発生限度値(1相当たりの入力電流が
20 A以下の機器)
注記 対応国際規格 : IEC 61000-3-2:2000,Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 3-2: Limits−
Limits for harmonic current emissions (equipment input current 16 A per phase) 並びに
Amendment 1 (2001) 及びAmendment 2 (2004)(MOD)
JIS C 61000-4-2 電磁両立性−第4部 : 試験及び測定技術−第2節 : 静電気放電イミュニティ試験
注記 対応国際規格 : IEC 61000-4-2:1995,Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 4: Testing and
measurement techniques−Section 2:Electrostatic discharge immunity test並びにAmendment 1
(1998) 及びAmendment 2 (2000)(IDT)
JIS C 61000-4-3 電磁両立性−第4-3部 : 試験及び測定技術−放射無線周波電磁界イミュニティ試験
注記 対応国際規格 : IEC 61000-4-3:2002,Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 4-3: Testing and
measurement techniques−Radiated, radio-frequency, electromagnetic field immunity test及び
Amendment 1 (2002)(IDT)
JIS C 61000-4-4 電磁両立性−第4-4部 : 試験及び測定技術−電気的ファストトランジェント/バー
ストイミュニティ試験
注記 対応国際規格 : IEC 61000-4-4:2004,Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 4-4: Testing and
measurement techniques−Electrical fast transient/burst immunity test(IDT)
JIS C 61000-4-5 電磁両立性−第4-5部 : 試験及び測定技術−サージイミュニティ試験
注記 対応国際規格 : IEC 61000-4-5:2005,Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 4-5: Testing and
measurement techniques−Surge immunity test(IDT)
JIS C 61000-4-6 電磁両立性−第4-6部 : 試験及び測定技術−無線周波電磁界によって誘導する伝導
妨害に対するイミュニティ
注記 対応国際規格 : IEC 61000-4-6:2003,Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 4-6: Testing and
measurement techniques−Immunity to conducted disturbances, induced by radio-frequency fields
(MOD)
JIS C 61000-4-11 電磁両立性−第4-11部 : 試験及び測定技術−電圧ディップ,短時間停電及び電圧
変動に対するイミュニティ試験
注記 対応国際規格 : IEC 61000-4-11,Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 4-11: Testing and
measurement techniques−Voltage dips, short interruptions and voltage variations immunity tests
(IDT)
IEC 60146 (all parts),Semiconductor converters−General requirements and line commutated converters
IEC 60410,Sampling plans and procedures for inspection by attributes
IEC 60417,Graphical symbols for use on equipment
IEC/TR 61000-2-1,Electromagnetic compatibility (EMC)−Part 2: Environment−Section 1: Description of
the environment−Electromagnetic environment for low-frequency conducted disturbances and signalling
in public power supply systems
CISPR 11,Industrial, scientific and medical equipment−Radio-frequency disturbance characteristics−Limits
and methods of measurement
CISPR 14-1,Electromagnetic compatibility−Requirements for household appliances, electric tools and similar
apparatus−Part 1: Emission
――――― [JIS C 8201-4-3 pdf 7] ―――――
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C 8201-4-3 : 2010
3 用語及び定義
この規格で用いる主な用語及び定義は,JIS C 8201-1の箇条2(用語及び定義)によるほか,次による。
定義の五十音順の索引
イミュニティ(妨害に対する)[Immunity (to a disturbance)] 3.2.9
運転制御(Controlled operation) 3.1.7
OCPM(Overcurrent protective means OCPM) 3.1.21
オフ時間(OFF-time) 3.1.23
オフ状態(OFF-state) 3.1.12
オフ状態漏れ電流(OFF-state leakage current) 3.1.13
オン時間(ON-time) 3.1.22
オン状態(ON-state) 3.1.9
開閉位相(Switching point) 3.1.14.4
開閉機能(Switching function) 3.1.14.1
開路位置(Open position) 3.1.2.3
過渡(トランジェント)[Transient (adjective and noun)] 3.2.6
過負荷電流波形(Overload current profile) 3.1.17
完全オン状態[Full-on (state of controllers)] 3.1.10
交流半導体制御器(AC semiconductor controller) 3.1.1.1
最小負荷電流(Minimum load current) 3.1.11
最小負荷電流検出(Minimum load current detection) 3.1.11.1
瞬時開閉機能(Instantaneous switching function) 3.1.14.3
徐降(Ramp-down) 3.1.6
徐昇(Ramp-up) 3.1.5
徐昇開閉機能及び徐降開閉機能(Ramp switching function) 3.1.14.2
(制御器の)動作[Operation (of a controller)] 3.1.14
(制御器の)動作サイクル[Operating cycle (of a controller)] 3.1.15
(制御器の)引外し動作[Tripping operation (of a controller)] 3.1.19
定格インデックス(Rating index) 3.1.18
電圧サージ(Voltage surge) 3.2.8
電磁エミッション[(Electromagnetic) mission] 3.2.2
電磁妨害(Electromagnetic disturbance) 3.2.3
電磁両立性(EMC)(Electromagnetic compatibility) 3.2.1
電流制限機能(Current-limit function) 3.1.3
動作能力(Operating capability) 3.1.16
トリップフリーの制御器(Trip-free controller) 3.1.20
バイパス制御器(Bypassed controller) 3.1.24
ハイブリッド制御器又はハイブリッド接触器,フォームHxA(ここに,x=4又は5)
[Hybrid controllers or contactors, form HxA (where x = 4 or 5)] 3.1.2.1
ハイブリッド制御器又はハイブリッド接触器,フォームHxB(ここに,x=4又は5)
(Hybrid motor controllers or starters, form HxB) 3.1.2.2
――――― [JIS C 8201-4-3 pdf 8] ―――――
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C 8201-4-3 : 2010
バースト(パルス又は振動の)[Burst (of pulses or oscillations)] 3.2.7
半導体じか入れ(DOL)制御器(非モータ負荷用)(フォーム5)
[Semiconductor direct-on-line (DOL) ontroller (form 5)] 3.1.1.1.3
半導体制御器のゼロ位相開閉[Zero-point switching (of a semiconductor controller)] 3.1.14.4.2
3.1.14.4.1
半導体制御器の特定位相開閉[Defined-point switching (of a semiconductor controller)]
3.1.14.4.3
半導体制御器のランダム位相開閉[Random point switching (of a semiconductor controller)]
半導体制御器(非モータ負荷用)(フォーム4)[Semiconductor controller (form 4)] 3.1.1.1.1
負荷制御(Load control) 3.1.4
無線周波障害(RFI)[Radio frequency interference, RFI (abbreviation)] 3.2.5
無線(周波)妨害[Radio (frequency) isturbance] 3.2.4
3.1 交流半導体制御器(非モータ負荷用)に関する定義
3.1.1 交流半導体制御器及び接触器(ソリッドステートコンタクタ)(図1参照)
3.1.1.1
交流半導体制御器(AC semiconductor controller)
交流電気負荷(非モータ負荷)の開閉機能及びオフ状態を保つ機能を備えた半導体開閉機器(JIS C 8201-1
の2.2.3参照)。
注記1 オフ状態の半導体制御器は,危険なレベルの漏れ電流(3.1.13参照)が流れているため,負
荷端子は,常に充電状態にあると考えることが望ましい。
注記2 電流がゼロ点を通過する回路において,そのゼロ点に続く電流を閉路しなければ,遮断して
いることと等しい。
3.1.1.1.1
半導体制御器(非モータ負荷用)(フォーム4)[Semiconductor controller (form 4)]
製造業者が指定したすべての開閉機能をもつ交流半導体開閉器。徐昇,負荷制御又は徐降のすべての組
合せをもち,完全オン状態があってもよい。
3.1.1.1.2 空欄
3.1.1.1.3
半導体じか入れ(DOL)制御器(非モータ負荷用)(フォーム5)[Semiconductor direct-on-line (DOL) ontroller
(form 5)]
全電圧を印加する開閉機能だけに限定し,負荷制御は完全オン状態になることに限定した交流半導体制
御器(半導体接触器又はソリッドステートコンタクタとしても知られている。)。
半導体開閉機器(JIS C 8201-1の2.2.3参照)によって,接触器の機能をもつ機器(JIS C 8201-1の2.2.13
参照)。ただ一つの停止の位置(オフ状態又はHxBハイブリッド制御器における開路状態)をもち,制御
信号の適用によって動作する。動作過負荷条件を含み,通常の回路状態の下,完全オンとオフ状態(開路)
との間の前記負荷(電気回路)の状態を変えるだけでなく,負荷電流の通電も可能である。
3.1.1.2 空欄
――――― [JIS C 8201-4-3 pdf 9] ―――――
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C 8201-4-3 : 2010
機器 回路構成例
制御器(すべてのフォーム)
ハイブリッド制御器フォームHxA a)
(x=4又は5)
ハイブリッド制御器フォームHxB b)
(x=4又は5)
バイパス制御器
バイパスハイブリッド
制御器c)
注a) 制御器及び直列機械式開閉機器に対する二つの独立した制御。
b) 直列機械式開閉機器に対するただ一つの制御。
c) ほかの構成では,試験は,製造業者と使用者との合意によって行ってもよい。
図1−制御器の構成
――――― [JIS C 8201-4-3 pdf 10] ―――――
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JIS C 8201-4-3:2010の引用国際規格 ISO 一覧
- IEC 60947-4-3:2007(MOD)
JIS C 8201-4-3:2010の国際規格 ICS 分類一覧
- 29 : 電気工学 > 29.130 : 開閉装置及び制御装置 > 29.130.20 : 低電圧開閉用及び制御装置
JIS C 8201-4-3:2010の関連規格と引用規格一覧
- 規格番号
- 規格名称
- JISB3502:2011
- プログラマブルコントローラ―装置への要求事項及び試験
- JISB3502:2021
- 工業プロセス測定及び制御プログラマブルコントローラ―装置への要求事項及び試験
- JISC60050-161:1997
- EMCに関するIEV用語
- JISC61000-3-2:2019
- 電磁両立性―第3-2部:限度値―高調波電流発生限度値(1相当たりの入力電流が20A以下の機器)
- JISC61000-4-11:2008
- 電磁両立性―第4-11部:試験及び測定技術―電圧ディップ,短時間停電及び電圧変動に対するイミュニティ試験
- JISC61000-4-2:2012
- 電磁両立性―第4-2部:試験及び測定技術―静電気放電イミュニティ試験
- JISC61000-4-3:2012
- 電磁両立性―第4-3部:試験及び測定技術―放射無線周波電磁界イミュニティ試験
- JISC61000-4-4:2015
- 電磁両立性―第4-4部:試験及び測定技術―電気的ファストトランジェント/バーストイミュニティ試験
- JISC61000-4-5:2018
- 電磁両立性―第4-5部:試験及び測定技術―サージイミュニティ試験
- JISC61000-4-6:2017
- 電磁両立性―第4-6部:試験及び測定技術―無線周波電磁界によって誘導する伝導妨害に対するイミュニティ
- JISC8201-4-2:2010
- 低圧開閉装置及び制御装置―第4-2部:接触器及びモータスタータ:交流半導体モータ制御器及びスタータ
- JISC8269-1:2016
- 低電圧ヒューズ―第1部:通則