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※一部、英文及び仏文を自動翻訳した日本語訳を使用しています。
導入
電子回折技術は、透過型電子顕微鏡 (TEM) の研究で広く使用されています。アプリケーションには、相の同定、結晶学的格子タイプと格子パラメータの決定、結晶方位と 2 つの相の間の方位関係、相変態、癖面と欠陥、双晶と界面、および優先結晶方位 (組織) の研究が含まれます。マイクロ回折、収束ビーム回折、反射回折など、いくつかの補完的な技術が開発されていますが、制限視野電子回折 (SAED) 技術が最も頻繁に使用されています。
この技術により、さまざまな結晶物質の薄い試料上の小さな領域を直接分析できます。世界中のほとんどの TEM で日常的に実行されています。 SAED は、高解像度画像の取得、微小回折または収束ビーム回折研究のための補助技術でもあります。生成された情報は、検査や品質管理の目的だけでなく、新材料の開発、さまざまな材料の構造や特性の改善のための研究に広く適用されます。
SAED 法の基本原理はこの文書で説明されています。 SAED パターンの取得、回折パターンのインデックス付け、回折定数の決定のための実験手順が指定されています。 ISO 25498 は、透過型電子顕微鏡の技術規制として使用または参照することを目的としています。
Introduction
Electron diffraction techniques are widely used in transmission electron microscopy (TEM) studies. Applications include phase identification, determination of the crystallographic lattice type and lattice parameters, crystal orientation and the orientation relationship between two phases, phase transformations, habit planes and defects, twins and interfaces, as well as studies of preferred crystal orientations (texture). While several complementary techniques have been developed, for example microdiffraction, convergent beam diffraction and reflected diffraction, the selected area electron diffraction (SAED) technique is the most frequently employed.
This technique allows direct analysis of small areas on thin specimens from a variety of crystalline substances. It is routinely performed on most of TEM in the world. The SAED is also a supplementary technique for acquisition of high resolution images, microdiffraction or convergent beam diffraction studies. The information generated is widely applied in the studies for the development of new materials, improving structure and/or properties of various materials as well as for inspection and quality control purpose.
The basic principle of the SAED method is described in this document. The experimental procedure for the acquirement of SAED patterns, indexing of the diffraction patterns and determination of the diffraction constant are specified. ISO 25498 is intended for use or reference as technical regulation for transmission electron microscopy.