この規格 プレビューページの目次
※一部、英文及び仏文を自動翻訳した日本語訳を使用しています。
3 用語と定義
この文書の目的上、次の用語と定義が適用されます。
ISO と IEC は、標準化に使用する用語データベースを次のアドレスで維持しています。
3.1
ミラー指数
結晶内の結晶面と方向の表記法。一連の格子面または方向が 3 つの軸座標で記述されます。
3.2
ミラー・ブラベ指数
六方晶系結晶の結晶面と方向の表記法。一連の格子面または方向が 4 つの軸座標で記述されます。
3.3
( hkl )
特定の結晶面セットの ミラー指数 (3.1)
3.4
{ hkl}
結晶面のファミリーを示す ミラー指数 (3.1)
3.5
[など]
特定の結晶方向またはゾーン軸の ミラー指数 (3.1)
3.6
面間隔
dhkl
結晶面セットの連続する面間の垂直距離 (hkl) (3.3)
3.7
(など)*
逆格子内の一連の平面の表記法
注記 1:逆面の法線(uvw)*は結晶領域軸 [uvw] (3.5) に平行です。
3.8
逆ベクトル
ghkl
逆格子内のベクトル
注1:逆数ベクトルg hklは結晶面 (hkl) (3.3) に垂直であり、その大きさは面間隔に反比例する。
(3.6)
3.9
R ベクトル
Rhcl
回折パターンの中心000 (原点) から回折スポットhklまでのベクトル
注記 1: 図 1 を参照。
3.10
カメラの長さ
L
試料と回折パターンが形成される面とのwhere の有効距離
[出典:ISO 15932:2010, 3.7]
3.11
カメラ定数
Lλ
入射電子波の波長と カメラ長の積 (3.10)
注記 1:ブラッグ角が小さいため、ブラッグ条件は一次近似で与えられます。
(3.9) は、 入射ビームから回折スポットhklまでの距離です。
[出典:ISO 15932:2010, 3.8, 修正済み]
3.12
明視野画像
対物レンズの後焦点面を観察し、対物絞りを使用してすべての回折ビームをカットすることによって選択された非散乱ビームのみを使用して形成される画像
[出典:ISO 15932:2010, 5.6]
3.13
暗視野画像
対物絞りを使用して選択するか、環状暗視野検出器で回折ビームを収集することによってのみ、回折ビームによって形成される画像
[出典:ISO 15932:2010, 5.6]
3.14
エネルギー分散型X線分光法
EDS
電子照射に応じて物質から放出される特性X線を分析することにより、試料の元素分析または化学的特性評価を可能にする分析技術
[出典:ISO 15932:2010, 6.6]
3.15
ユーセントリックな立場
試料の傾斜によって画像が最小の横方向の動きを示す試料の位置
参考文献
| 1 | ISO 15932:2013, マイクロビーム分析 — 分析電子顕微鏡法 — 用語 |
| 2 | ASTM E 3-11, 金属組織学的試験片の作製に関する標準慣行 |
| 3 | Liu DL, ISO-25498 の特徴: 透過型電子顕微鏡における選択領域電子回折分析の方法、Microsc.微肛門。 19, S5, 207-209, 2013 |
| 4 | Williams, DB および Carter, CB 透過型電子顕微鏡: 材料科学の教科書、プレナム プレス、ニューヨーク 2009 |
| 5 | Edington, JW Practical Electron Microscopy in Materials Science, Vol. II, 電子顕微鏡における電子回折、Macmillan & Co Ltd, ロンドン、1975 年 |
| 6 | Guo, KX, Ye, HQ, Wu, YK, 結晶学における電子回折パターンの応用、サイエンス プレス、中国、1983 |
| 7 | Andrews, KW, Dyson, DJ, Keown, SR 電子回折パターンの解釈、第 2 版、1971 年 (出版社 Hilger, ロンドン、ISBN-0-85274-170-7) |
| 8 | Reimer, L.、透過電子顕微鏡法、第 4 版、Springer, 2004 年 |
| 9 | Fultz, B, Howe, J.、透過型電子顕微鏡と材料の回折測定、シュプリンガーフェルラーク、ベルリン ハイデルベルク、2001 |
| 10 | Goodhew, PJ「材料の透過型電子顕微鏡法のための標本調製」、オックスフォード大学出版局、王立顕微鏡協会、1984 年 |
| 11 | 粉末回折ファイル 1997 ~ 2007, JCPDS, 国際回折データセンター (ICDD) |
| 12 | Jiang, L, Georgieva, D.、Zandbergen, HW, および Abrahams, JP (2009) ランダムに配向した電子回折パターンからの単位格子の決定。アクタクリスタル。 D, 625-632 |
| 13 | https://www.iucr.org/resources/other-directories/software/ediff |
| 14 | スワンソン、タッゲ、国立バール。スタンド(米国)、サークル。 539.1.11 (1953) |
3 Terms and definitions
For the purposes of this document, the following terms and definitions apply.
ISO and IEC maintain terminological databases for use in standardization at the following addresses:
3.1
Miller index
notation system for crystallographic planes and directions in crystals, in which a set of lattice planes or directions is described by three axes coordinate
3.2
Miller-Bravais index
notation system for crystallographic planes and directions in hexagonal crystals, in which a set of lattice planes or directions is described by four axes coordinate
3.3
(h k l)
Miller indices (3.1) of a specific set of crystallographic planes
3.4
{hkl}
Miller indices (3.1) which denote a family of crystallographic planes
3.5
[uvw]
Miller indices (3.1) of a specific crystallographic direction or a zone axis
3.6
interplanar spacing
dhkl
perpendicular distance between consecutive planes of the crystallographic plane set (h k l) (3.3)
3.7
(uvw)*
notation for a set of planes in the reciprocal lattice
Note 1 to entry: The normal of the reciprocal plane (uvw)* is parallel to the crystallographic zone axis [uvw] (3.5) .
3.8
reciprocal vector
ghkl
vector in the reciprocal lattice
Note 1 to entry: The reciprocal vector, ghkl, is normal to the crystallographic plane (h k l) (3.3) with its magnitude inversely proportional to interplanar spacing
(3.6).
3.9
R vector
Rhkl
vector from centre, 000 (the origin), to the diffraction spot, hkl, in a diffraction pattern
Note 1 to entry: See Figure 1.
3.10
camera length
L
effective distance between the specimen and the plane where diffraction pattern is formed
[SOURCE:ISO 15932:2010, 3.7]
3.11
camera constant
Lλ
product of the wavelength of the incident electron wave and camera length (3.10)
Note 1 to entry: Because of the small Bragg angle, the Bragg condition can be given in the first-order approximation,
(3.9) is the distance of the diffraction spot, hkl, from the incident beam.
[SOURCE:ISO 15932:2010, 3.8, modified]
3.12
bright field image
image formed using only the non-scattered beam, selected by observation of the back focal plane of the objective lens and using the objective aperture to cut out all diffracted beams
[SOURCE:ISO 15932:2010, 5.6]
3.13
dark field image
image formed by a diffracted beam only by using the objective aperture for selection or by collecting the diffracted beam with an annular dark-field detector
[SOURCE:ISO 15932:2010, 5.6]
3.14
energy-dispersive X-ray spectroscopy
EDS
analytical technique which enables the elemental analysis or chemical characterization of a specimen by analysing characteristic X-ray emitted by the matter in response to electron irradiation
[SOURCE:ISO 15932:2010, 6.6]
3.15
eucentric position
specimen position at which the image exhibits minimal lateral motion resulting from specimen tilting
Bibliography
| 1 | ISO 15932:2013, Microbeam analysis — Analytical electron microscopy — Vocabulary |
| 2 | ASTM E 3-11, Standard practice for preparation of metallographic specimens |
| 3 | Liu D.L.,Features of the ISO-25498: Method of Selected Area Electron Diffraction Analysis in Transmission Electron Microscopy,Microsc. Microanal. 19, S5, 207–209, 2013 |
| 4 | Williams, D.B. and Carter, C.B. Transmission Electron Microscopy: A Textbook for Materials Science, Plenum Press, New York 2009 |
| 5 | Edington, J.W. Practical Electron Microscopy in Materials Science, Vol. II, Electron Diffraction in The Electron Microscope, Macmillan & Co Ltd, London, 1975 |
| 6 | Guo, K.X., Ye, H.Q., Wu, Y.K., Application of electron diffraction patterns in crystallography, Science Press, China, 1983 |
| 7 | Andrews, K.W., Dyson, D.J., Keown, S.R. Interpretation of electron diffraction patterns, Second Edition, 1971. (Publisher Hilger, London, ISBN-0-85274-170-7) |
| 8 | Reimer, L., Transmission Electron Microscopy, 4th Edition, Springer, 2004 |
| 9 | Fultz, B, Howe, J., Transmission Electron Microscopy and Diffractometry of Materials, Springer-Verlag, Berlin Heidelberg 2001 |
| 10 | Goodhew, P.J. Specimen preparation for transmission electron microscopy of materials, Oxford University Press, Royal Microscopical Society, 1984 |
| 11 | The Powder Diffraction File 1997–2007, JCPDS, International Centre for Diffraction Data (ICDD) |
| 12 | Jiang, L, Georgieva, D., Zandbergen, H.W. and Abrahams, J.P. (2009) Unit-cell determination from randomly oriented electron-diffraction patterns. Acta Cryst. D, 625-632 |
| 13 | https://www.iucr.org/resources/other-directories/software/ediff |
| 14 | Swanson, Tatge, Natl. Bur. Stand. (US), Circ. 539,1,11 (1953) |