ISO 25498:2018 マイクロビーム分析—分析電子顕微鏡法—透過型電子顕微鏡を使用した選択領域電子回折分析 | ページ 6

※一部、英文及び仏文を自動翻訳した日本語訳を使用しています。

3 用語と定義

この文書の目的上、次の用語と定義が適用されます。

ISO と IEC は、標準化に使用する用語データベースを次のアドレスで維持しています。

3.1

ミラー指数

結晶内の結晶面と方向の表記法。一連の格子面または方向が 3 つの軸座標で記述されます。

3.2

ミラー・ブラベ指数

六方晶系結晶の結晶面と方向の表記法。一連の格子面または方向が 4 つの軸座標で記述されます。

3.3

( hkl )

特定の結晶面セットの ミラー指数 (3.1)

3.4

{ hkl}

結晶面のファミリーを示す ミラー指数 (3.1)

3.5

[など]

特定の結晶方向またはゾーン軸の ミラー指数 (3.1)

3.6

面間隔

dhkl

結晶面セットの連続する面間の垂直距離 (hkl) (3.3)

3.7

(など)*

逆格子内の一連の平面の表記法

注記 1:逆面の法線(uvw)*は結晶領域軸 [uvw] (3.5) に平行です。

3.8

逆ベクトル

ghkl

逆格子内のベクトル

注1:​​逆数ベクトルg hklは結晶面 (hkl) (3.3) に垂直であり、その大きさは面間隔に反比例する。 mml_m1 (3.6)

3.9

R ベクトル

Rhcl

回折パターンの中心000 (原点) から回折スポットhklまでのベクトル

注記 1: 図 1 を参照。

3.10

カメラの長さ

L

試料と回折パターンが形成される面とのwhere の有効距離

[出典:ISO 15932:2010, 3.7]

3.11

カメラ定数

入射電子波の波長と カメラ長の積 (3.10)

注記 1:ブラッグ角が小さいため、ブラッグ条件は一次近似で与えられます。 mml_m3 (3.9) は、 入射ビームから回折スポットhklまでの距離です。

[出典:ISO 15932:2010, 3.8, 修正済み]

3.12

明視野画像

対物レンズの後焦点面を観察し、対物絞りを使用してすべての回折ビームをカットすることによって選択された非散乱ビームのみを使用して形成される画像

[出典:ISO 15932:2010, 5.6]

3.13

暗視野画像

対物絞りを使用して選択するか、環状暗視野検出器で回折ビームを収集することによってのみ、回折ビームによって形成される画像

[出典:ISO 15932:2010, 5.6]

3.14

エネルギー分散型X線分光法

EDS

電子照射に応じて物質から放出される特性X線を分析することにより、試料の元素分析または化学的特性評価を可能にする分析技術

[出典:ISO 15932:2010, 6.6]

3.15

ユーセントリックな立場

試料の傾斜によって画像が最小の横方向の動きを示す試料の位置

参考文献

1ISO 15932:2013, マイクロビーム分析 — 分析電子顕微鏡法 — 用語
2ASTM E 3-11, 金属組織学的試験片の作製に関する標準慣行
3Liu DL, ISO-25498 の特徴: 透過型電子顕微鏡における選択領域電子回折分析の方法、Microsc.微肛門。 19, S5, 207-209, 2013
4Williams, DB および Carter, CB 透過型電子顕微鏡: 材料科学の教科書、プレナム プレス、ニューヨーク 2009
5Edington, JW Practical Electron Microscopy in Materials Science, Vol. II, 電子顕微鏡における電子回折、Macmillan & Co Ltd, ロンドン、1975 年
6Guo, KX, Ye, HQ, Wu, YK, 結晶学における電子回折パターンの応用、サイエンス プレス、中国、1983
7Andrews, KW, Dyson, DJ, Keown, SR 電子回折パターンの解釈、第 2 版、1971 年 (出版社 Hilger, ロンドン、ISBN-0-85274-170-7)
8Reimer, L.、透過電子顕微鏡法、第 4 版、Springer, 2004 年
9Fultz, B, Howe, J.、透過型電子顕微鏡と材料の回折測定、シュプリンガーフェルラーク、ベルリン ハイデルベルク、2001
10Goodhew, PJ「材料の透過型電子顕微鏡法のための標本調製」、オックスフォード大学出版局、王立顕微鏡協会、1984 年
11粉末回折ファイル 1997 ~ 2007, JCPDS, 国際回折データセンター (ICDD)
12Jiang, L, Georgieva, D.、Zandbergen, HW, および Abrahams, JP (2009) ランダムに配向した電子回折パターンからの単位格子の決定。アクタクリスタル。 D, 625-632
13https://www.iucr.org/resources/other-directories/software/ediff
14スワンソン、タッゲ、国立バール。スタンド(米国)、サークル。 539.1.11 (1953)

3 Terms and definitions

For the purposes of this document, the following terms and definitions apply.

ISO and IEC maintain terminological databases for use in standardization at the following addresses:

3.1

Miller index

notation system for crystallographic planes and directions in crystals, in which a set of lattice planes or directions is described by three axes coordinate

3.2

Miller-Bravais index

notation system for crystallographic planes and directions in hexagonal crystals, in which a set of lattice planes or directions is described by four axes coordinate

3.3

(h k l)

Miller indices (3.1) of a specific set of crystallographic planes

3.4

{hkl}

Miller indices (3.1) which denote a family of crystallographic planes

3.5

[uvw]

Miller indices (3.1) of a specific crystallographic direction or a zone axis

3.6

interplanar spacing

dhkl

perpendicular distance between consecutive planes of the crystallographic plane set (h k l) (3.3)

3.7

(uvw)*

notation for a set of planes in the reciprocal lattice

Note 1 to entry: The normal of the reciprocal plane (uvw)* is parallel to the crystallographic zone axis [uvw] (3.5) .

3.8

reciprocal vector

ghkl

vector in the reciprocal lattice

Note 1 to entry: The reciprocal vector, ghkl, is normal to the crystallographic plane (h k l) (3.3) with its magnitude inversely proportional to interplanar spacing mml_m1 (3.6).

3.9

R vector

Rhkl

vector from centre, 000 (the origin), to the diffraction spot, hkl, in a diffraction pattern

Note 1 to entry: See Figure 1.

3.10

camera length

L

effective distance between the specimen and the plane where diffraction pattern is formed

[SOURCE:ISO 15932:2010, 3.7]

3.11

camera constant

product of the wavelength of the incident electron wave and camera length (3.10)

Note 1 to entry: Because of the small Bragg angle, the Bragg condition can be given in the first-order approximation, mml_m3 (3.9) is the distance of the diffraction spot, hkl, from the incident beam.

[SOURCE:ISO 15932:2010, 3.8, modified]

3.12

bright field image

image formed using only the non-scattered beam, selected by observation of the back focal plane of the objective lens and using the objective aperture to cut out all diffracted beams

[SOURCE:ISO 15932:2010, 5.6]

3.13

dark field image

image formed by a diffracted beam only by using the objective aperture for selection or by collecting the diffracted beam with an annular dark-field detector

[SOURCE:ISO 15932:2010, 5.6]

3.14

energy-dispersive X-ray spectroscopy

EDS

analytical technique which enables the elemental analysis or chemical characterization of a specimen by analysing characteristic X-ray emitted by the matter in response to electron irradiation

[SOURCE:ISO 15932:2010, 6.6]

3.15

eucentric position

specimen position at which the image exhibits minimal lateral motion resulting from specimen tilting

Bibliography

1ISO 15932:2013, Microbeam analysis — Analytical electron microscopy — Vocabulary
2ASTM E 3-11, Standard practice for preparation of metallographic specimens
3Liu D.L.,Features of the ISO-25498: Method of Selected Area Electron Diffraction Analysis in Transmission Electron Microscopy,Microsc. Microanal. 19, S5, 207–209, 2013
4Williams, D.B. and Carter, C.B. Transmission Electron Microscopy: A Textbook for Materials Science, Plenum Press, New York 2009
5Edington, J.W. Practical Electron Microscopy in Materials Science, Vol. II, Electron Diffraction in The Electron Microscope, Macmillan & Co Ltd, London, 1975
6Guo, K.X., Ye, H.Q., Wu, Y.K., Application of electron diffraction patterns in crystallography, Science Press, China, 1983
7Andrews, K.W., Dyson, D.J., Keown, S.R. Interpretation of electron diffraction patterns, Second Edition, 1971. (Publisher Hilger, London, ISBN-0-85274-170-7)
8Reimer, L., Transmission Electron Microscopy, 4th Edition, Springer, 2004
9Fultz, B, Howe, J., Transmission Electron Microscopy and Diffractometry of Materials, Springer-Verlag, Berlin Heidelberg 2001
10Goodhew, P.J. Specimen preparation for transmission electron microscopy of materials, Oxford University Press, Royal Microscopical Society, 1984
11The Powder Diffraction File 1997–2007, JCPDS, International Centre for Diffraction Data (ICDD)
12Jiang, L, Georgieva, D., Zandbergen, H.W. and Abrahams, J.P. (2009) Unit-cell determination from randomly oriented electron-diffraction patterns. Acta Cryst. D, 625-632
13https://www.iucr.org/resources/other-directories/software/ediff
14Swanson, Tatge, Natl. Bur. Stand. (US), Circ. 539,1,11 (1953)