ISO 18115-1:2023 表面化学分析 — 用語集 — Part 1: 一般用語と分光法で使用される用語 | ページ 11

8.1

入射角

入射角

入射ビームと局所的または平均的な表面法線との間の角度

注記 1:粗 面 (3.2) の基本部分に対する面法線や平均的な表面平面に対する法線など、特定の面法線を指定するものとする。

8.2

輝く角度

かすめ角

入射ビームと平均表面との間の角度

注記 1: 入射角 (8.1) と視射角は相補的です。

8.3

放牧発生率

光る入射

入射粒子または光子の角度がサンプル 表面の法線から 90° に近い幾何学的配置 (3.2)

注記 1: この構成により、表面感度が向上する可能性があります。

8.4

散乱角

散乱角

入射粒子または光子の方向と散乱後に粒子または光子が進む方向との間の角度

8.5

放射角度

放射角度

粒子または光子が 表面 (3.2) から離れるときの軌道と 、 局所的または平均的な表面法線との間の角度。

注記 1: 通常、特定の表面を指定するものとします。

注記 2: 放出角は 離陸角 (8.7) の補数です。

8.6

放牧出口

輝く出口

散乱 (または放出) 粒子または光子の角度がサンプル 表面の法線から 90° に近い幾何学的配置 (3.2)

注記 1: この構成により、一般に表面感度が向上し、 深さ解像度 (10.18) も向上します。

8.7

離陸角度

粒子が 表面 (3.2) から離れるときの軌道と、局所的または平均的な表面平面との間の角度

注記 1: 特定の表面平面を指定するものとする。

注記 2:離陸角は 放射角 (8.5) の補数です。

注記 3: 過去には、離陸角度が放出角度を意味するものとして誤って使用されることがありました。

8.8

イオンビーム

荷電した原子または分子の指向性 フラックス (8.18)

8.9

ビーム粒子

入射ビームに含まれる電子、陽電子、イオン、原子、分子、またはクラスター種

8.10

一次ビーム

サンプルに入射する粒子または光子の指向性 フラックス (8.18)

8.11

ビーム電流

I

注記 1: パルスビーム電流 (8.15) および 平均ビーム電流 (8.12) を参照。

注記 2:電流が時間とともに変化するビームの場合、瞬間的なビーム電流と時間平均されたビーム電流は一般に異なります。パルスビームの場合、ビームがオンのときの電流は、DC または非パルスビーム電流と等しい場合もあれば、等しくない場合もあります。

8.12

平均ビーム電流

Q をt ここで, Q 時間間隔t 内に通過するビーム内の特定の極性の電荷の量です。

注記 1:瞬間電流が時間とともに周期的に変化するビームの場合、時間間隔t は周期の整数です。

8.13

ビーム電流密度

J

注記 1: フルエンス (8.16) 、 フラックス (8.18) 、および 線量 (8.20) を参照。

注記 2:収束ビームまたは発散ビームの場合、面積 d A 、断面積 d A の小さな球に置き換えられます。

8.14

統合ビーム電流

指定された時間内にビーム内で輸送された総電荷

8.15

パルスビーム電流

Q をt _p で割った商。 where Q 、パルスがオンの期間t _p 中に通過するビーム内の特定の極性の電荷の量です。

8.16

フルエンス

F

注記 1:走査平行ビームの場合、フルエンスは実験室座標系または走査ビーム自体の移動座標系を参照することができ、一般に後者の方が高い値が得られます。このような状況でフルエンスを使用するには、使用されている座標系を明確に記述する必要があります。

注記 2:一部の文書では、フルエンスという用語が アレリック線量 (8.20) に使用されています。これは誤りであり、混乱を引き起こしています。 8.20 のエントリの注 2 を参照してください。

注記 3:磁束 密度 (8.19) も参照。

8.17

フルエンス

F

<多方向に移動する粒子の場合> d N を d A ここで, d N は断面積 d A の球に入射する指定された種類の粒子の数です。

8.18

フラックス

Φ

注記 1:磁束 密度 (8.19) も参照。

8.19

磁束密度

フルエンス率

<粒子ビームの場合> d N を d t と d A ここで, N は、時間間隔 d t 内を通過する断面積 d A の球に入射する指定されたタイプの粒子の数です。

8.20

アレック缶

できる

D

注記 1: 高エネルギー粒子は原子または原子クラスターであり、帯電または中性の場合があり、表面積 d A は幾何学的表面積です。

注記 2: 静止した平行ビームの場合、アレリック線量は フルエンス (8.16) と cos θここで, は表面法線に対するビームの 入射角 (8.1) です。

注記 3:一部の文書では線量密度という用語が使用されていますが、より正確には線量という用語の方が広く普及しています。線量という用語は、放射線と医学の分野では非常に異なって定義されています。 表面に影響を与える粒子放射線の総量 (3.2) は、線量を受ける人によって計算され、その量を線量を受ける表面の面積で商した人もいます。ここで、線量は後者とみなします。線量密度と線量ここで, それらは、アレリック線量として理解されるべきです。

注記 4:イオン注入された 標準物質 (5.1) に関連したアレア線量の議論については、参考文献 [10] を参照。

8.21

アレック線量率

G

注記 1: 静止した平行ビームの場合、アレリック線量率は 光束 (8.18) と cos θここで, はビームの 入射角 (8.1) です。

8.22

埋め込まれた面積線量

D _{_}

注記 1:固体内で停止していない粒子は後方散乱されるか、透過します。

8.23

名目アレリック線量

D _公称値

線量 (8.20) 、近似手順で測定

注1:​​通常、荷電粒子ビームのD _{nom は}、時間の経過に伴う電流積分とビームが横方向に均一に走査される表面積に相当する粒子の商を形成することによって導出されます。したがって、 D _{nom は}一般にD の近似平均尺度です。

8.24

非移植アレリック線量

受け取ったアレリック 線量 (8.25) のうち、 サンプルに捕捉されなかった割合を表すアレリック線量 (8.20)

注記 1: 注入 されたアレリック線量 (8.22) と非注入アレリック線量の合計は、受け取ったアレリック線量に等しい。

8.25

アレリック線量を受けた

D _レック

8.26

保持されたアレリック缶

D _レット

注記 1:固体内で停止しているが固体内に残らない粒子は、熱蒸発するか、固体のスパッタ侵食によって再放出される可能性があります。

注記 2: 保持されるアレリック線量は 、注入されたアレリック線量 (8.22) の一部の量です。

8.27

スパッタリングされたアレック缶

イオン注入量 (8.20) は、 スパッタリング (9.3) によってサンプルから失われた イオン注入量 (8.22 ) の割合を表します。

注記 1: スパッタリングされたエリア線量は、注入されたエリア線量の一部の量です。

8.28

ダメージ限界

粒子 線量 (8.20) この線量を超えると、損傷プロセスから生じるスペクトルまたは指定されたピークの顕著な変化が観察されます。

注記 1: 静的制限 (20.57) を参照。

8.29

ビームプロファイル

ビーム軸に垂直な平面内のビーム 束 (8.18) の空間分布

8.30

ビーム径

<円形断面の粒子ビームの場合> 最大 磁束密度の半分におけるビームの全幅 (8.19)

注記 1:ビーム直径は通常、サンプルの位置など、空間内の特定の点で指定されます。

8.31

ビーム発散角

焦点面後の空間内のビームのすべてまたは指定された部分を含む角度間隔

注記 1: ビーム収束角 (8.32) を参照。

注記 2:ビームが対称である場合は、全角または半角を使用できます。角度の具体的な尺度を記載しなければならない。

8.32

ビーム収束角

焦点面の前または焦点面の空間内のビームのすべてまたは指定された部分を含む角度間隔

注記 1: ビーム発散角 (8.31) を参照。

注記 2:ビームが対称である場合は、全角または半角を使用できます。角度の具体的な尺度を記載しなければならない。

8.33

ビームエネルギー

ビーム粒子 (8.9) の 運動エネルギー (3.35)

注記 1: 衝突エネルギー (8.35) および 入射粒子エネルギー (8.34) を参照。

注記 2:エネルギーは通常、電子ボルトで与えられます。

注記 3:ビームエネルギーは、サンプル 表面に衝突したときの粒子エネルギーであるとみなされることがよくあります (3.2) 。ただしここで, サンプルが接地以外の電位にあるため、粒子の衝突エネルギーは、電子銃またはイオン銃によってサンプル環境に送られるビームのエネルギーとは異なる可能性があります。この場合、衝撃エネルギーという用語を使用することで混乱を避けることができます。

8.34

入射粒子エネルギー

サンプル 表面 (3.2) に入射する粒子の 運動エネルギー (3.35)

注記 1: ビームエネルギー (8.33) および 衝撃エネルギー (8.35) を参照。

注記 2: 入射エネルギーは、入射原子クラスターの原子ごとに表すこともできます。ただし、混乱を避けるために、「原子ごと」という表現を使用する必要があります。

8.35

衝撃エネルギー

サンプル 表面 (3.2) に衝突したときの粒子の 運動エネルギー (3.35)

注記 1: ビームエネルギー (8.33) および 入射粒子エネルギー (8.34) を参照。

注記 2: SIMS (19.1) における 一次イオンビーム (8.10) の場合、イオン衝突エネルギーは、イオン源とサンプル表面の間の電位差にイオンの電荷を乗じたものによって与えられます。

注記 3: 修飾語「衝撃」の使用は、これが表面に衝突する粒子のエネルギーであることを示します。

8.36

イオンあたりの衝撃エネルギー

衝突時の ビーム粒子 (8.9) の 運動エネルギー (3.35)

注記 1: 衝撃エネルギー (8.35) を参照。

8.37

イオン注入

サンプルへのイオンの注入

8.38

グリッド

一 次ビームの偏向によって生成される二次元パターン (8.10)

注記 1: 一般的に使用されるラスターは、正方形または長方形の領域をカバーします。

8.39

ランダムグリッド

フレームを満たす連続イオンパルスの座標がランダムであるデジタル ラスター (8.38) 配列

注記 1: 座標は、各フレーム内で同じ「ランダムな」シーケンスでアドレス指定できます。

注記 2:従来のラスターまたは鋸歯状ラスターとは対照的に、ランダム ラスターは、局所領域での瞬間的な電荷の蓄積を減らすために絶縁サンプルの分析に使用できます。

8.40

チャンネルあたりのエネルギー

連続するスペクトルチャネル間のエネルギー差

8.41

サンプルバイアス

サンプルホルダーの電位を基準として、サンプルの全体または一部に適用される電位。

注記 1: サンプル電圧 (8.43) を参照。

8.42

サンプル充電

粒子または光子の衝撃によって引き起こされるサンプル内またはサンプル 表面上の電位の変化 (3.2)

8.43

サンプル電圧

グランドを基準としたサンプルの電圧

注記 1: サンプルバイアス (8.41) を参照。

注記 2:サンプル電圧は、機器のタイプに応じて、パルス状または一定の場合があります。

注記 3:絶縁体の場合、有効 電荷中和 (8.45) デバイスが使用されている場合、サンプル電圧はサンプルホルダーの電圧と同じであると想定されます。

8.44

充電可能性

放射線照射によって引き起こされる、絶縁サンプルの表面領域の電位

注記 1: サンプルの不均一性や入射放射線 束 (8.18) の強度の不均一性に起因して、サンプル内の異なる領域または異なる深さで異なる帯電電位が発生する可能性があります。

注記 2:表面ポテンシャルとバルクポテンシャルは、例えばバンドの曲がり、 界面 (3.1) 双極子、電荷中心の結果として異なる場合があります。

8.45

電荷の中和

一次粒子または光子の衝突下で、非導電性または低導電性のサンプル材料の 表面 (3.2) を 、通常は中性付近の固定電位に維持すること

注記 1: 電荷の中和は、表面に電子、またはまれにイオンや光子を衝突させることによって達成できます。

8.46

電子フラッディング

帯電電位を変更または安定させるために、低エネルギー電子をサンプルに照射すること (8.44)

8.47

分析ボリューム

<spectrometer> 分析信号全体またはその信号の指定された割合を検出できる分光計内の 3 次元領域

8.48

分析ボリューム

<sample> 分析シグナル全体またはそのシグナルの指定された割合が検出されるサンプルの 3 次元領域

8.49

分析領域

<分光計> 分析点におけるサンプル 表面 (3.2) の 2 次元領域ですが、分析信号全体またはその信号の指定された割合が検出される分光計の軸に直角な平面内に設定されます。

8.50

インフォメーションエリア

有用な情報が得られる 表面 (3.2) の平面内の領域の面積

注記 1:情報領域は、検出された信号の指定された割合 (95% または 99% など) が発生する最小表面積で識別できます。

注記 2:情報領域は、サンプル表面上の位置の関数としての 信号強度 (3.17) の測定、計算、または推定された尺度から決定できます。

8.51

情報半径

有用な情報が得られる、 表面 (3.2) の平面内の円形領域の最大半径

注記 1:この定義は、均質なサンプルの表面分析、および 一次ビームの法線入射 (8.10) または信号粒子の法線検出のいずれかにのみ役立ちます。この場合、 信号強度 (3.17) は次のようになります。表面上の位置の関数は、対称軸からの半径方向の距離のみに依存します。これらの条件が満たされない場合は、 情報エリア (8.50) を使用する方が適切です。

注記 2:情報半径は、検出された信号の指定された割合 (95% または 99% など) が発生する半径で識別できます。

注記 3:情報半径は、信号強度の測定、計算、または推定された尺度から半径の関数として決定できます。

8.52

分析装置が観察したサンプル領域

サンプル 表面 (3.2) の 2 次元領域。その表面の平面内で測定され、分析装置はそこからサンプルからの分析シグナルまたはそのシグナルの指定された割合を収集できます。

8.53

ゲートエリア

信号を取得できるより大きなエリア内の定義されたエリア

注記 1: 定義された領域は、多くの場合、クレーターの中央領域にあり、 光学的開口 (7.5) 、 電子ゲート (8.55) または デジタル ゲート (8.54) によって定義できます。

8.54

デジタルゲート

選択した マップ (8.57) ピクセルのグループに関連付けられたデータを合計して、任意の領域からの累積データを生成できるシステム

8.55

電子ゲート

一次ビーム (8.10) が マッピングされた領域の選択された部分に入射したときにのみ カウント (3.18) が蓄積されるように、ビーム走査システムからの信号によって有効または無効になるカウンターまたは検出器で構成されるシステム。

8.56

ラインスキャン

分光計からの出力 信号強度 (3.17) 、別の検出器からの信号強度、またはサンプル 表面上の線 (3.2) に対応する線に沿った利用可能なソフトウェアからの処理された強度情報のプロット

注記 1:ラインは、ほとんどの場合、長方形 ラスター (8.38) からのx ラインまたはy ラインのスキャンですが、より高度なシステムでは、任意の方向を向いている場合があります。

8.57

地図

サンプル 表面の 2 次元または 3 次元表現 (3.2) where さ、色、または 3 次元の長さによって与えられる、表現内の各点の情報が、検出器からの出力信号または処理された信号に関連しています。利用可能なソフトウェアからの強度情報

注記 1: 慣例により、画像という用語は通常、情報が主に光学的なwhere に適用されます。例外は、質量分析で使用される イオン画像 (20.63) という用語です。

注記 2:マップは通常、 一次ビーム (8.10) の長方形 ラスター (8.38) を使用するか、画像検出システムを使用することによって形成されます。

注記 3:マップ強度は、最大信号強度と最小信号強度がそれぞれ完全な白と完全な黒、またはカラー スケールに設定されるように正規化された方法で表示できます。コントラストスケールを定義する必要があります。

8.58

化学マップ

サンプル中の特定の 化学状態 (12.23) にある元素の量に比例する信号を使用した マップ (8.57)

8.59

元素マップ

サンプル中に存在する元素の量に比例する信号を使用した マップ (8.57)

8.60

地形のコントラスト

サンプル 表面のトポグラフィー (3.2) から生じる マップ (8.57) or イオン画像 (20.63) のコントラスト

注記 1: 地形効果により、 一次ビーム (8.10) とサンプル間の相互作用が変化する可能性があり、電子またはイオン収量データの解釈が他の場合よりも複雑になります。

注記 2:イオン スパッタリング後にトポグラフィーのコントラストが変化する可能性があります (9.3) 。

8.1

angle of incidence

incidence angle

angle between the incident beam and the local or average surface normal

Note 1 to entry: The particular surface normal, such as the surface normal to an elementary portion of a rough surface (3.2) or the normal to the average surface plane, shall be specified.

8.2

glancing angle

grazing angle

angle between the incident beam and the average surface plane

Note 1 to entry: The angle of incidence (8.1) and the glancing angle are complementary.

8.3

grazing incidence

glancing incidence

geometrical arrangement in which the angle of the incident particles or photons is near 90° from the normal to the sample surface (3.2)

Note 1 to entry: This configuration can result in improved surface sensitivity.

8.4

angle of scattering

scattering angle

angle between the direction of the incident particle or photon and the direction that the particle or photon is travelling after scattering

8.5

angle of emission

emission angle

angle between the trajectory of a particle or photon as it leaves a surface (3.2) , and the local or average surface normal

Note 1 to entry: The particular surface normal shall be specified.

Note 2 to entry: The angle of emission is the complement of the take-off angle (8.7) .

8.6

grazing exit

glancing exit

geometrical arrangement in which the angle of the scattered (or emitted) particles or photons is near 90° from the normal to the sample surface (3.2)

Note 1 to entry: This configuration generally results in improved surface sensitivity and can also improve depth resolution (10.18) .

8.7

take-off angle

angle between the trajectory of a particle as it leaves a surface (3.2) and the local or average surface plane

Note 1 to entry: The particular surface plane shall be specified.

Note 2 to entry: The take-off angle is the complement of the angle of emission (8.5) .

Note 3 to entry: In the past, take-off angle has sometimes been used erroneously to mean angle of emission.

8.8

ion beam

directed flux (8.18) of charged atoms or molecules

8.9

beam particle

electron, positron, ion, atomic, molecular, or cluster species contained in the incident beam

8.10

primary beam

directed flux (8.18) of particles or photons incident on a sample

8.11

beam current

I

Note 1 to entry: See pulse beam current (8.15) and average beam current (8.12) .

Note 2 to entry: For beams in which the current varies with time, the instantaneous and time-averaged beam currents generally differ. For a pulsed beam, the current when the beam is on can be equal or not equal to the DC, or unpulsed, beam current.

8.12

average beam current

quotient of Q by tここで,Q is the quantity of electric charge of a specified polarity in the beam passing in the time interval t

Note 1 to entry: For beams in which the instantaneous current varies periodically with time, the time interval t is an integral number of periods.

8.13

beam current density

J

Note 1 to entry: See fluence (8.16) , flux (8.18) , and dose (8.20) .

Note 2 to entry: For a convergent or divergent beam, the area dA is replaced by a small sphere of cross-sectional area dA.

8.14

integrated beam current

total electric charge transported in the beam over a specified time

8.15

pulse beam current

quotient of Q by t_pwhereQ is the quantity of electric charge of a specified polarity in the beam passing during the period t_p in which the pulse is on

8.16

fluence

F

Note 1 to entry: For a scanned parallel beam, the fluence can be referred to the laboratory coordinate system or to the scanned beam's own moving coordinate system. The latter generally gives the higher value. The usage of fluence in these situations requires a clear statement of the coordinate system being used.

Note 2 to entry: In some texts, the term fluence is used for areic dose (8.20) . This is incorrect and has led to confusion. See Note 2 to entry in 8.20.

Note 3 to entry: See also flux density (8.19) .

8.17

fluence

F

<for particles moving in many directions> quotient of dN by dAここで, dN is the number of particles of a specified type incident on a sphere of cross-sectional area dA

8.18

flux

Φ

Note 1 to entry: See also flux density (8.19) .

8.19

flux density

fluence rate

<for a beam of particles> quotient of dN by dt and dAここで, dN is the number of particles of a specified type incident on a sphere of cross-sectional area dA passing in the time interval dt

8.20

areic dose

dose

D

Note 1 to entry: The energetic particles are atoms or atom clusters, which can be electrically charged or neutral, and the surface area dA is the geometric surface area.

Note 2 to entry: For a stationary parallel beam, the areic dose equals the fluence (8.16) times cosθここで,θ is the angle of incidence (8.1) of the beam to the surface normal.

Note 3 to entry: In some texts, the term dose density is used, but the term dose more correctly areic dose) is more widespread. The term dose has been defined very differently in the fields of radiation and the medical sciences. The total quantity of particle radiation impacting the surface (3.2) has been taken by some to be dose, and the quotient of the quantity by the area of the surface to be dose by others. Here, dose is taken to be the latter. Dose density and dose ここで, they occur, are to be understood as the areic dose.

Note 4 to entry: For a discussion of areic dose in relation to ion-implanted reference materials (5.1) , see Reference [10].

8.21

areic dose rate

G

Note 1 to entry: For a stationary parallel beam, the areic dose rate equals the flux (8.18) times cosθここで,θ is the angle of incidence (8.1) of the beam.

8.22

implanted areic dose

D_imp

Note 1 to entry: Particles which are not stopped within the solid are either backscattered or transmitted.

8.23

nominal areic dose

D_nom

areic dose (8.20) , as measured by an approximating procedure

Note 1 to entry: Typically, D_nom for a beam of charged particles is derived by forming the quotient of the particle equivalent of the current integral over time and the surface area over which the beam is scanned with lateral uniformity. Hence, D_nom is generally an approximate average measure of D.

8.24

non-implanted areic dose

areic dose (8.20) representing the fraction of the received areic dose (8.25) not trapped in the sample

Note 1 to entry: The sum of the implanted areic dose (8.22) and the non-implanted areic dose equals the received areic dose.

8.25

received areic dose

D_rec

8.26

retained areic dose

D_ret

Note 1 to entry: Particles which are stopped within the solid but do not remain therein can be either thermally evaporated or re-emitted by sputter erosion of the solid.

Note 2 to entry: The retained areic dose is a fractional quantity of the implanted areic dose (8.22) .

8.27

sputtered areic dose

areic dose (8.20) representing the fraction of the implanted areic dose (8.22) lost from the sample by sputtering (9.3)

Note 1 to entry: The sputtered areic dose is a fractional quantity of the implanted areic dose.

8.28

damage limit

particle areic dose (8.20) above which significant changes in the spectrum or in a stated peak, arising from damage processes, are observed

Note 1 to entry: See static limit (20.57) .

8.29

beam profile

spatial distribution of the beam flux (8.18) in a plane normal to the beam axis

8.30

beam diameter

<for a particle beam of circular cross section> full width of the beam at half maximum flux density (8.19)

Note 1 to entry: The beam diameter is usually specified at a given point in space, such as the position of the sample.

8.31

beam divergence angle

angular interval containing all or a specified fraction of the beam in the space after the focal plane

Note 1 to entry: See beam convergence angle (8.32) .

Note 2 to entry: Where the beam is symmetrical, the full or semi-angle can be used. The particular measure of angle shall be stated.

8.32

beam convergence angle

angular interval containing all or a specified fraction of the beam in the space prior to or at the focal plane

Note 1 to entry: See beam divergence angle (8.31) .

Note 2 to entry: Where the beam is symmetrical, the full or semi-angle can be used. The particular measure of angle shall be stated.

8.33

beam energy

kinetic energy (3.35) of the beam particles (8.9)

Note 1 to entry: See impact energy (8.35) and incident particle energy (8.34) .

Note 2 to entry: The energy is usually given in electron volts.

Note 3 to entry: The beam energy is often taken to be the particle energy on impact at the sample surface (3.2) . However ここで, a sample is at a potential other than ground, the impact energy of the particles can differ from the beam energy as delivered by an electron or ion gun to the sample environment. In this case, use of the term impact energy avoids confusion.

8.34

incident particle energy

kinetic energy (3.35) of a particle incident on the sample surface (3.2)

Note 1 to entry: See beam energy (8.33) and impact energy (8.35) .

Note 2 to entry: The incident energy can also be expressed per atom for an incident atomic cluster; however, to avoid confusion, the phrase “per atom” should then be used.

8.35

impact energy

kinetic energy (3.35) of the particles on impact with the sample surface (3.2)

Note 1 to entry: See beam energy (8.33) and incident particle energy (8.34) .

Note 2 to entry: For primary-ion beams (8.10) in SIMS (19.1) , the ion impact energy is given by the difference in electric potential between the ion source and the sample surface multiplied by the charge on the ion.

Note 3 to entry: Use of the qualifier “impact” indicates that this is the energy of the particles striking the surface.

8.36

impact energy per ion

kinetic energy (3.35) of the beam particles (8.9) on impact

Note 1 to entry: See impact energy (8.35) .

8.37

ion implantation

injection of ions into a sample

8.38

raster

two-dimensional pattern generated by the deflection of a primary beam (8.10)

Note 1 to entry: Commonly used rasters cover square or rectangular areas.

8.39

random raster

digital raster (8.38) array in which the coordinates of sequential ion pulses filling a frame are random

Note 1 to entry: The coordinates can be addressed in the same “random” sequence in each frame.

Note 2 to entry: A random raster, as opposed to a traditional or saw-tooth raster, can be used for analysing insulating samples to reduce the instantaneous accumulation of charge in any local region.

8.40

energy per channel

energy difference between successive spectral channels

8.41

sample bias

potential applied to the whole or part of the sample, referenced to the potential of the sample holder

Note 1 to entry: See sample voltage (8.43) .

8.42

sample charging

change in the electrical potential in the sample or on the sample surface (3.2) caused by particle or photon bombardment

8.43

sample voltage

voltage of the sample referenced to ground

Note 1 to entry: See sample bias (8.41) .

Note 2 to entry: The sample voltage can be pulsed or constant, depending on the type of instrument.

Note 3 to entry: For insulators, the sample voltage is assumed to be the same as that of the sample holder if an effective charge neutralizing (8.45) device is used.

8.44

charging potential

electrical potential of the surface region of an insulating sample, caused by irradiation

Note 1 to entry: Different charging potentials can occur on different areas or at different depths in a sample, arising from sample inhomogeneities or non-uniform intensity of the incident flux (8.18) of radiation.

Note 2 to entry: The surface and bulk potentials can differ, for example as a result of band bending, interface (3.1) dipoles and charge centres.

8.45

charge neutralization

maintenance at a fixed potential, usually near neutrality, of the surface (3.2) of a non-conducting or poorly conducting sample material under bombardment by primary particles or photons

Note 1 to entry: Charge neutralization can be accomplished by bombarding the surface with electrons or, more rarely, ions or photons.

8.46

electron flooding

irradiation of a sample with low-energy electrons in order to change or stabilize the charging potential (8.44)

8.47

analysis volume

<spectrometer> three-dimensional region within the spectrometer from which the entire analytical signal or a specified percentage of that signal can be detected

8.48

analysis volume

<sample> three-dimensional region of a sample from which the entire analysis signal or a specified percentage of that signal is detected

8.49

analysis area

<spectrometer> two-dimensional region of a sample surface (3.2) at the analytical point but set in the plane at right angles to the spectrometer axis from which the entire analytical signal or a specified percentage of that signal is detected

8.50

information area

area of a region in the plane of the surface (3.2) from which useful information is obtained

Note 1 to entry: The information area can be identified with the minimum surface area from which a specified percentage (e.g. 95 % or 99 %) of the detected signal originates.

Note 2 to entry: The information area can be determined from a measured, calculated, or estimated measure of the signal intensity (3.17) as a function of position on the sample surface.

8.51

information radius

maximum radius of a circular region, in the plane of the surface (3.2) , from which useful information is obtained

Note 1 to entry: This definition is useful only for surface analyses of a homogeneous sample and for either normal incidence of the primary beam (8.10) or normal detection of the signal particles, in which it is expected that the signal intensity (3.17) as a function of position on the surface depends only on the radial distance from the axis of symmetry. If these conditions are not met, it is more appropriate to make use of the information area (8.50) .

Note 2 to entry: The information radius can be identified with the radius within which a specified percentage (e.g. 95 % or 99 %) of the detected signal originates.

Note 3 to entry: The information radius can be determined from a measured, calculated, or estimated measure of the signal intensity as a function of radius.

8.52

sample area viewed by the analyser

two-dimensional region of a sample surface (3.2) , measured in the plane of that surface, from which the analyser can collect an analytical signal from the sample or a specified percentage of that signal

8.53

gated area

defined area within a larger area from which the signal can be obtained

Note 1 to entry: The defined area is often in the central region of a crater and can be defined by an optical aperture (7.5) , an electronic gate (8.55) or a digital gate (8.54) .

8.54

digital gate

system allowing the data associated with any selected group of map (8.57) pixels to be summed to produce cumulative data from any desired area

8.55

electronic gate

system consisting of a counter or detector which is enabled or disabled by signals from the beam scanning system so that counts (3.18) only accumulate when the primary beam (8.10) is incident on a selected part of the mapped area

8.56

line scan

plot of the output signal intensity (3.17) from the spectrometer, the signal intensity from another detector, or processed intensity information from the available software along a line corresponding to a line on the sample surface (3.2)

Note 1 to entry: The line is most often an x- or y-linescan from a rectangular raster (8.38) but, in more sophisticated systems, may be in any arbitrary direction.

8.57

map

two- or three-dimensional representation of the sample surface (3.2) where the information at each point in the representation, given by a brightness or colour or as a length in a third dimension, is related to the output signal from a detector or processed intensity information from the available software

Note 1 to entry: By convention, the term image is usually applied to cases where the information is primarily optical. An exception is the term ion image (20.63) used in mass spectrometry.

Note 2 to entry: Maps are usually formed either by using a rectangular raster (8.38) of the primary beam (8.10) or by using an imaging detection system.

Note 3 to entry: Map intensities can be presented in a normalized fashion to have the maximum and minimum signal intensities set at, for example, full white and full black, respectively, or on a colour scale. The contrast scale should be defined.

8.58

chemical map

map (8.57) using signals proportional to the quantity of an element in a particular chemical state (12.23) in the sample

8.59

elemental map

map (8.57) using signals proportional to the quantity of an element present in the sample

8.60

topographic contrast

contrast in a map (8.57) or ion image (20.63) arising from the topography of the sample surface (3.2)

Note 1 to entry: Topographic effects can modify the interaction between the primary beam (8.10) and the sample, making the interpretation of electron or ion yield data more complex than otherwise.

Note 2 to entry: Topographic contrast can change after ion sputtering (9.3) .