JIS A 1415:2013 高分子系建築材料の実験室光源による暴露試験方法

                                                                                   A 1415 : 2013

pdf 目 次

ページ

•  序文・・・・[1]
•  1 適用範囲・・・・[1]
•  2 引用規格・・・・[1]
•  3 用語及び定義・・・・[1]
•  4 試験方法の種類・・・・[2]
•  5 試験条件・・・・[2]
•  5.1 一般条件・・・・[2]
•  5.2 試験装置の設置場所・・・・[2]
•  5.3 計測器の校正・・・・[2]
•  5.4 ブラックパネル温度計及びブラックスタンダード温度計・・・・[2]
•  5.5 放射計・・・・[2]
•  5.6 試験片・・・・[2]
•  5.7 暴露ステージ・・・・[3]
•  5.8 水質・・・・[3]
•  5.9 放射照度の均一性・・・・[3]
•  5.10 試験片の取付け・・・・[4]
•  6 試験方法・・・・[4]
•  6.1 キセノンアークランプによる暴露試験方法・・・・[4]
•  6.2 オープンフレームカーボンアークランプによる暴露試験方法・・・・[8]
•  6.3 紫外線カーボンアークランプによる暴露試験方法・・・・[9]
•  7 評価・・・・[10]
•  7.1 一般条件・・・・[10]
•  7.2 評価項目・・・・[11]
•  7.3 評価方法・・・・[11]
•  8 報告事項・・・・[11]
•  附属書A(参考)キセノンアークランプに用いるガラス製フィルタの分光透過率・・・・[12]
•  附属書B(参考)技術上重要な改正に関する新旧対照表・・・・[13]

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――――― [JIS A 1415 pdf 1] ―――――

A 1415 : 2013

まえがき

  この規格は,工業標準化法第14条によって準用する第12条第1項の規定に基づき,一般財団法人建材
試験センター(JTCCM)及び一般財団法人日本規格協会(JSA)から,工業標準原案を具して日本工業規
格を改正すべきとの申出があり,日本工業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が改正した日本工業規
格である。
  これによって,JIS A 1415:1999は改正され,この規格に置き換えられた。
  この規格は,著作権法で保護対象となっている著作物である。
  この規格の一部が,特許権,出願公開後の特許出願又は実用新案権に抵触する可能性があることに注意
を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は,このような特許権,出願公開後の特許出願及び実
用新案権に関わる確認について,責任はもたない。

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――――― [JIS A 1415 pdf 2] ―――――

                                       日本工業規格(日本産業規格)                             JIS
                                                                              A 1415 : 2013

高分子系建築材料の実験室光源による暴露試験方法

Methods of exposure to laboratory light sources for polymeric material of buildings

序文

  この規格は,1970年に制定され,その後4回の改正を経て今日に至っている。前回の改正は1999年に
行われた。今回の改正は,その後の引用規格の改正に伴う試験方法の見直しへ対応するために改正した。
また,技術上重要な改正に関する旧規格との対照を附属書Bに示す。
  なお,対応国際規格は現時点で制定されていない。

1 適用範囲

  この規格は,高分子系建築材料でプラスチック及び/又はエラストマーからなる材料を対象とした実験
室光源(キセノンアークランプ,オープンフレームカーボンアークランプ及び紫外線カーボンアークラン
プ)による暴露試験方法について規定する。

2 引用規格

  次に掲げる規格は,この規格に引用されることによって,この規格の規定の一部を構成する。これらの
引用規格は,その最新版(追補を含む。)を適用する。
    JIS B 7751 紫外線カーボンアーク灯式の耐光性試験機及び耐候性試験機
    JIS K 7100 プラスチック−状態調節及び試験のための標準雰囲気
    JIS K 7350-1 プラスチック−実験室光源による暴露試験方法   第1部 : 通則
    JIS K 7350-2 プラスチック−実験室光源による暴露試験方法−第2部 : キセノンアークランプ
    JIS K 7350-4 プラスチック−実験室光源による暴露試験方法−第4部 : オープンフレームカーボン
        アークランプ
    JIS K 7362 プラスチック−アンダーグラス屋外暴露,直接屋外暴露又は実験室光源による暴露後の
        色変化及び特性変化の測定方法
    JIS Z 8703 試験場所の標準状態

3 用語及び定義

  この規格で用いる主な用語及び定義は,次による。
3.1
暴露ステージ
  試験片の評価試験を行う中間及び最終の暴露段階。試験時間(h)又は放射露光量(J/m2)で表す。

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A 1415 : 2013
3.2
保存試験片
  試験に使用する試験片と同一のロットから採取し,未暴露のままで保存する試験片。
3.3
比較試験片
  暴露後の試験片の傾向と比較する目的で,試験片と同時に暴露する耐候性レベルが既知である試験片。

4 試験方法の種類

  実験室光源による暴露試験方法の種類は,表1による。
                                      表1−試験方法の種類
    試験方法(光源)      記号                         概要                       適用試験箇条
 キセノンアークランプ    WX-A    直接屋外暴露のシミュレーションによる。               6.1
                         WX-B    窓ガラスを透過した太陽光のシミュレーションによる。
 オープンフレームカーボ  WS-A    直接屋外暴露のシミュレーションによる。               6.2
 ンアークランプa)        WS-B    窓ガラスを透過した太陽光のシミュレーションによる。
 紫外線カーボンアークラ  WV-A    照射及び水噴霧のサイクル試験による。                 6.3
 ンプ                    WV-B    水噴霧なしの連続照射試験による。
 注a) サンシャインカーボンアークランプともいう。

5 試験条件

5.1 一般条件

  この規格で規定する試験条件以外の共通事項は,JIS K 7350-1による。

5.2 試験装置の設置場所

  試験装置の設置場所は,JIS Z 8703に規定する常温・常湿の状態とする。
    注記 ランプの点灯によってオゾンが発生するおそれのある装置については,換気装置を設けること
          が望ましい。

5.3 計測器の校正

  使用する計測器は,試験機関などで校正されたものとする。

5.4 ブラックパネル温度計及びブラックスタンダード温度計

  ブラックパネル温度計及びブラックスタンダード温度計は,JIS K 7350-1に規定するものを用いる。た
だし,ブラックスタンダード温度計は,金属板の厚さが0.5 mmのものとする。
    注記 ブラックパネル,ブラックスタンダード温度計は,約3か月に1回の頻度で比較用温度計を基
          準として指示温度の誤差を確認する。光源に向けて並置し,両者の指示温度を読み取ったとき,
          校正用の指示温度に対して測定用の指示は±2 ℃とすることが望ましい。

5.5 放射計

  放射計は,JIS K 7350-1に規定するものを用いる。
    注記 放射計によって,常時放射露光量のモニタを行っていない装置では,放射照度及び放射露光量
          の校正を行う周期として,3か月に1回程度行うことが望ましい。

5.6 試験片

  試験片は,次による。

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                                                                                   A 1415 : 2013
a) 試験片の形状及び寸法 試験片の形状及び寸法は,試験片ホルダに確実に取り付けられる形状・寸法
    とする。試験片を製品から採取するときは,端部及び周辺部からの採取は避ける。
b) 試験片の状態調節 試験片の状態調節は,試験前後においての試験の目的に即するようにJIS K 7100
    によって行う。
c) 試験片の数量 試験片の数量は,暴露ステージごとに3個以上とする。ただし,暴露後に引張強さな
    どの物性を測定する場合は,必要な数量を追加する。
d) 比較試験片の取扱い 比較試験片の取扱いは,受渡当事者間の協定によることとし,必要に応じて比
    較試験片を同時に,同一条件で試験を行う。
e) 保存試験片の取扱い 保存試験片は,JIS K 7100に規定する状態の暗室,又は光の入らない容器内に
    保存し,光線,温度,湿度,ほこり,ごみなどの影響を避ける。

5.7 暴露ステージ

  暴露ステージは,材料が主として使用される地域,部位,暴露を受ける程度,交換補修の難易などを考
慮して,時間(h),又は放射露光量(J/m2)及び/又は分光放射露光量[J/(m2・nm)]の管理によって行う。
  なお,受渡当事者間の協定によって定めてもよい。

5.8 水質

  水噴霧に使用する水は,蒸留水又は脱イオン水(電気伝導率5 一           下)で,全固形分の含有が1 最一
未満であり,試験片に汚れ及び付着物を残さないものとする。
    注記1 シリカのレベルは0.2  最一        満が望ましい。電気伝導率,全固形分及びシリカレベルを測定
            する場合は,JIS K 0101に規定する測定方法を参照する。
    注記2 噴霧圧力0.1 MPaに対してノズル1個当たりで0.53±0.10 L/min(ノズルの総数4個の場合は
            2.1±0.10 L/min)又は0.080±0.011 L/min(ノズルの総数2個の場合は0.16±0.010 L/min)の
            ものを使用するのがよい。ただし,受渡当事者間の協定によってこれを変えてもよい。

5.9 放射照度の均一性

  全ての試験片を均一に照射するため,定期的に試験片を配置替えする。配置替えの例を図1に示す。

――――― [JIS A 1415 pdf 5] ―――――

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