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F 0808 : 2009
表48−一般分電ゾーンに設置される機器の伝導性エミッションの制限値
ポート 周波数範囲 制限値 引用規格
電源,信号及び 10 kHz 150 kHz 120 dB CISPR 16-1
制御 150 kHz 500 kHz 79 dB CISPR 16-2
500 kHz 30 MHz 73 dB
表49−試験装置
試験装置 詳細 引用規格
疑似電源回路網 疑似電源V形ネットワーク CISPR 16-1
測定装置 周波数範囲 : 10 kHz 30 MHz
バンド幅 : 10 kHz 150 kHz : 200 Hz
150 kHz 30 MHz : 9 kHz
検波モード : ピーク値,QP値
6.2.18.3 伝導低周波妨害試験
a) 試験方法 試験方法は,次による。
1) 供試品は,標準状態の試験場所の温度と温度平衡がとれていなければならない。
2) 供試品の電源ポートに試験装置を接続し,表50に示す試験信号を電源ポートに重畳し,供試品の動
作状況を観察する。
3) 周波数の掃引速度は,供試品の誤作動を観察できるような十分な速度とする。
b) 試験装置 この試験に用いる試験装置は,表51による。
c) 厳しさ この試験の厳しさは,表50による。
d) 判定 性能基準Aを満足しなければならない。
表50−伝導低周波妨害試験
ポート 試験信号 引用規格
AC電源 50 Hz 900 Hz : AC電源電圧の10 % JIS C 61000-4-16
900 Hz 6 kHz : 10 % 1 % JIS F 8081
6 kHz 10 kHz : 1 %
DC電源 50 Hz 10 kHz : DC電源電圧の10 %
表51−試験装置
試験装置 詳細 引用規格
低周波発信器 周波数範囲 : 50 Hz 10 kHz JIS C 61000-4-16
電力増幅器 JIS F 8081
低周波発信器からの信号を増幅し,分離形ト
ランスへ供給する。
分離形トランス 出力インピーダンス : 1 Ω以下
6.2.18.4 電源変動試験
a) 試験方法 試験方法は,次による。
1) 供試品は,標準状態の試験場所の温度と温度平衡がとれていなければならない。
2) 供試品の電源ポートに試験装置を接続し,表52に示す周波数及び電圧を印加し,供試品の動作状況
を観察する。
供試品の電源がACの場合は,組合せの番号1から6までの条件でそれぞれ行う。
――――― [JIS F 0808 pdf 31] ―――――
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F 0808 : 2009
b) 試験装置 表52に示す電圧及び周波数を発生できなければならない。
c) 厳しさ この試験の厳しさは,表52による。
d) 判定 性能基準Aを満足しなければならない。
表52−電源変動試験
ポート 試験値 引用規格
AC電源 組合せの 電圧変動 周波数変動 JIS C 61000-4-11
番号 (整定時 %) (整定時 %)
1 +6 +5
2 +6 −5
3 −10 −5
4 −10 +5
過渡電圧 過渡周波数
(1.5秒間) (5秒間)
5 +20 +10
6 −20 −10
蓄電池以外の 電圧変動許容値 ±10 % JIS C 61000-4-17
DCポート 電圧周期変動 5% IEC 61000-4-29
電圧リプル 10 %
蓄電池による 充電中に給電されるもの −25,+30 % −
DCポート 充電中に給電されないもの −25,+20 %
6.2.18.5 電源喪失試験
a) 試験方法 試験方法は,次による。
1) 供試品に定格電圧及び定格周波数の電源を接続し,電源スイッチの“入”,“切”を3回加える。
2) 電源“切”の時間は,60秒とする。
b) 判定 性能基準Cを満足しなければならない。
6.2.18.6 ファストトランジェント/バースト試験
a) 試験方法 試験方法は,次による。
1) 供試品は,標準状態の試験場所の温度と温度平衡がとれていなければならない。
2) 表53に示す試験信号を電源ポート及び信号及び制御ポートに印加し,供試品の動作状況を観察す
る。
3) 電源ポートに印加する場合はカップリング/デカップリング装置(CDN)を介して,信号及び制御
ポートに印加する場合は容量性クランプを使用し,正負極性で各5分,計10分間印加する。
b) 試験装置 この試験に用いる試験装置は,表54による。
c) 厳しさ この試験の厳しさは,表53による。
d) 判定 性能基準Bを満足しなければならない。
表53−ファストトランジェント/バースト試験
ポート 試験信号 振幅 引用規格
AC電源 単一パルスの立ち上がり時間 : 5 n秒 2 kV JIS C 61000-4-4
DC電源 パルス幅 : 50 n秒(50 %値)
バースト時間 : 300 m秒
信号及び制御 1 kV JIS C 61000-4-4
バースト長 : 15 m秒
極性当たりの持続時間 : 5分
――――― [JIS F 0808 pdf 32] ―――――
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F 0808 : 2009
表54−試験装置
試験装置 試験ポート 引用規格
試験発生器 − JIS C 61000-4-4の6.1に適合するもの
CDN 電源ポート JIS C 61000-4-4の6.2に適合するもの
容量性クランプ 信号,制御ポート JIS C 61000-4-4の6.3に適合するもの
6.2.18.7 サージ電圧試験
a) 試験方法 試験方法は,次による。
1) 供試品は,標準状態の試験場所の温度と温度平衡がとれていなければならない。
2) 表55に示す試験信号を電源ポートのライン間及び電源ポートのラインとアース間に印加し,供試品
の動作状況を観察する。
3) 試験信号は,正負各5回計10回行う。
b) 試験装置 この試験に用いる試験装置は,表56による。
c) 厳しさ この試験の厳しさは,表55による。
d) 判定 性能基準Bを満足しなければならない。
表55−サージ電圧試験
ポート 試験値 振幅 引用規格
AC電源 浹
立ち上がり時間 : 1.2 ライン対ライン : 0.5 kV JIS C 61000-4-5
DC電源 (10 %と90 %との間) ライン対アース : 1 kV
パルス幅 : 50 浹 (50 %値)
パルス間隔 : 1分
パルス数 : 正負極性で各5回
表56−試験装置
試験装置 試験ポート 引用規格
試験発生器 − JIS C 61000-4-5の6.1に適合するもの
カップリング/デカップリング・ 電源ポート JIS C 61000-4-5の6.3に適合するもの
ネットワーク
6.2.18.8 伝導高周波妨害試験
a) 試験方法 試験方法は,次による。
1) 供試品は,標準状態の試験場所の温度と温度平衡がとれていなければならない。
2) 供試品をアース基準面から0.1 mの高さにある絶縁支持台の上に置き,供試品から0.10.3 mの位
置にカップリング/デカップリング装置(CDN)を取り付け,これに試験信号を印加する。
3) DNを取り付けることができない場合は,EMクランプを使用して試験信号を印加する。
4) 表57に示す試験信号を電源ポートとアース間,及び信号,制御ポートとアースとの間に印加し,供
試品の動作状況を観察する。
b) 試験装置 この試験に用いる試験装置は,表58による。
c) 厳しさ この試験の厳しさは,表57による。
d) 判定 性能基準Aを満足しなければならない。
――――― [JIS F 0808 pdf 33] ―――――
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F 0808 : 2009
表57−伝導高周波妨害試験
ポート 試験値 引用規格
電源,信号及び 周波数範囲 : (10 kHz)150 kHz 80 MHz JIS C 61000-4-6
制御 振幅 : 3 V/rms
変調 : 1 kHzにおいて80 %振幅変調
周波数掃引率 : ≦1.5×10−3 デカード/秒
(又は1 %/3秒)
船橋及び甲板ゾーンに設置される機器に対して
は次の試験を追加する。
スポット周波数2,3,4,6.2,8.2,12.6,16.5,
18.8,22,25 MHzにおいて振幅10 V/rms
表58−試験装置
試験装置 試験ポート 引用規格
試験発生器 − JIS C 61000-4-6の6.1に適合するもの
CDN 電源, JIS C 61000-4-6の6.2.2に適合するもの
信号及び制御
EMクランプ 信号及び制御 JIS C 61000-4-6の6.2.3に適合するもの
6.2.18.9 静電気放電(ESD)試験
a) 試験方法 試験方法は,次による。
1) 供試品は,標準状態の試験場所の温度と温度平衡がとれていなければならない。
2) 表59に示す試験信号を外被ポートに印加し,供試品の動作状況を観察する。
3) 供試品はそれより各面が0.5 m以上大きい金属製アース板の上に,絶縁して設置する。
4) 試験電圧は,通常の使用状態で作業者がアクセス可能な点及び面に印加する。ESD発生器は,毎秒
20回の放電をしながら探索して選択した放電可能な位置に,表面に垂直に持ち,次に各位置で,正
負の放電を10回,供試品の誤作動が観察できるよう,最低1秒の間隔で行う。
5) 接触放電が望ましいが,製造業者が示す絶縁塗装面など,接触放電が不可能な場合には,気中放電
を行う。
6) 機器の近くに配置又は設置された物体への放電を模擬するために,アース板上の供試品の各側面か
ら0.1 mの位置に,単一の接触放電を正負10回印加する。さらに,垂直結合版(VCP)の一つの端
部中央に,10回放電を行う。
b) 試験装置 この試験に用いる試験装置は,表60による。
c) 厳しさ この試験の厳しさは,表59による。
d) 判定 性能基準Bを満足しなければならない。
表59−放電試験
ポート 試験信号 引用規格
外被 接触放電 : 6 kV JIS C 61000-4-2
気中放電 : 8 kV
単一放電の間隔 : 1秒
パルスの数 : 極性当たり10
――――― [JIS F 0808 pdf 34] ―――――
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F 0808 : 2009
表60−試験装置
試験装置 試験ポート 引用規格
試験発生器 エネルギー蓄積コンデンサ : 150 PFJIS C 61000-4-2の6. に適合するもの
放電抵抗 : 330 Ω
水平結合板(HCP) 1.6 m×0.8 m JIS C 61000-4-2の7.1.1に適合するもの
垂直結合板(VCP) 0.5 m×0.5 m JIS C 61000-4-2の7.1.1に適合するもの
6.2.18.10 高周波放射電磁界試験
a) 試験方法 試験方法は,次による。
1) 供試品は,標準状態の試験場所の温度と温度平衡がとれていなければならない。
2) 供試品を,均一電界をもつ,電波暗室内に置かれた高さ0.8 mの非金属製のテーブルに置く。
3) 特に規定がない場合は,供試品の配線は非シールド平行導線を使用し,供試品から1 mの間,電界
にさらす。
4) 電界発生アンテナを供試品の4側面に向けて,表61に示す電界を,水平偏波,垂直偏波でそれぞれ
について加え,供試品の動作を観察する。
b) 試験装置 この試験に用いる試験装置は,表62による。
c) 厳しさ この試験の厳しさは,表61による。
d) 判定 性能基準Aを満足しなければならない。
表61−高周波放射電磁界試験
ポート 試験値 引用規格
外被 周波数範囲 : 80 MHz 2 GHz JIS C 61000-4-3
電界強度 : 10 V/m
変調 : 1 kHzにおいて80 %振幅変調
周波数掃引率 : ≦1.5×10−3 デカード/秒
(又は1 %/3秒)
表62−試験装置
試験装置 詳細 引用規格
電波暗室 均一電界領域 : JIS C 61000-4-3の6. に適合するもの
高さ0.8 m 2.3 m,幅1.5 mの範囲で
16の測定ポイント中,少なくとも12ポイ
ントが公称値の0 dB +6 dBであること
試験発生器 周波数範囲 : 80 MHz2 GHz JIS C 61000-4-3の6. に適合するもの
電界強度 10 V/m
――――― [JIS F 0808 pdf 35] ―――――
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JIS F 0808:2009の国際規格 ICS 分類一覧
- 47 : 造船及び海洋構造物 > 47.020 : 造船及び海洋構造物一般 > 47.020.60 : 船及び海洋構造物の電気設備
JIS F 0808:2009の関連規格と引用規格一覧
- 規格番号
- 規格名称
- JISA1415:2013
- 高分子系建築材料の実験室光源による暴露試験方法
- JISC1302:2018
- 絶縁抵抗計
- JISC61000-4-11:2008
- 電磁両立性―第4-11部:試験及び測定技術―電圧ディップ,短時間停電及び電圧変動に対するイミュニティ試験
- JISC61000-4-16:2017
- 電磁両立性―第4-16部:試験及び測定技術―直流から150kHzまでの伝導コモンモード妨害に対するイミュニティ試験
- JISC61000-4-17:2004
- 電磁両立性―第4部:試験及び測定技術―第17節:直流入力電源端子におけるリプルに対するイミュニティ試験
- JISC61000-4-2:2012
- 電磁両立性―第4-2部:試験及び測定技術―静電気放電イミュニティ試験
- JISC61000-4-3:2012
- 電磁両立性―第4-3部:試験及び測定技術―放射無線周波電磁界イミュニティ試験
- JISC61000-4-4:2015
- 電磁両立性―第4-4部:試験及び測定技術―電気的ファストトランジェント/バーストイミュニティ試験
- JISC61000-4-5:2018
- 電磁両立性―第4-5部:試験及び測定技術―サージイミュニティ試験
- JISC61000-4-6:2017
- 電磁両立性―第4-6部:試験及び測定技術―無線周波電磁界によって誘導する伝導妨害に対するイミュニティ
- JISF8006:1979
- 船用電気器具の振動検査通則
- JISF8007:2004
- 船用電気機器―外被の保護等級及び検査通則
- JISF8009:1998
- 船用防爆電気機器一般通則
- JISF8081:2005
- 船用電気設備及び電子機器―電磁両立性
- JISK6258:2016
- 加硫ゴム及び熱可塑性ゴム―耐液性の求め方
- JISK7362:1999
- プラスチック―アンダーグラス屋外暴露,直接屋外暴露又は実験室光源による暴露後の色変化及び特性変化の測定方法
- JISK8150:2006
- 塩化ナトリウム(試薬)
- JISK8180:2015
- 塩酸(試薬)
- JISK8180:2021
- 塩酸(試薬)
- JISK8576:2019
- 水酸化ナトリウム(試薬)