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b) 目盛付き共栓試験管 1020 ml,透明すり合わせのもの。1 mlに目盛のあるもの。
c) マイクロシリンジ 10200 又は自動導入装置
d) 共栓三角フラスコ 100500 mlのもの。
e) なす形フラスコ 100500 mlの共通すり合わせで濃縮器(ロータリーエバポレーター)に接続でき
るもの。
f) カラムクロマトグラフ管 カラムクロマトグラフ管は,次による。一例を図 1に示す。
1) カラム用管 内径約1 cm,長さ約30 cmのコック付きガラス管
2) カラム充てん剤 カラムクロマトグラフ用のシリカゲル(10)(粒径150250 を約130 ℃で約
15 時間加熱した後,デシケーター中で放冷する。その95 gを共栓三角フラスコにとり,かき混ぜ
ながら,水5 mlを滴加する。密栓し,発熱が終了するまで静かに混合する。さらに,振とう器で約
30 分間振り混ぜる。3)でカラムクロマトグラフ管として調製したものについて,対象物質の保持時
間にピークの生じないもの(11)。
3) カラムクロマトグラフ管の作り方 カラム用管の底部にJIS K 8251に規定するガラスウール(あら
かじめ,ヘキサンで洗浄したもの。)を詰め,少量のヘキサンを加えてガラスウール間の気泡を除去
する。続いて,カラム充てん剤約5 gをビーカーにとり,ヘキサンを加えてスラリー状にし,これ
を気泡が入らないようにカラム用管に流し込み(12),その上部に硫酸ナトリウムを約2 cmになるよ
うに積層した後,コックを操作し,ヘキサンが硫酸ナトリウム層よりわずかに上部になるようにヘ
キサンを流し出す(13)。
注(10) 活性けい酸マグネシウムを用いてもよい。その場合の操作は,附属書1による。
参考 活性けい酸マグネシウムは,フロリジルPRなどが市販されている。
(11) 調製したシリカゲルの5 gを,3)によってカラムクロマトグラフ管とし,5.3 f) k)に準じた操
作[ただし,フルオランテン-d10内標準液(10最 d10/ml)の添加は行わない。]を行い,
6.4 a)によってその濃縮液1 イクロシリンジでとり,ガスクロマトグラフ質量分析計に
導入し,アジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)の保持時間に相当する位置にピークのないこと
を確認する。
(12) カラム用管に充てん剤を均一に充てんするために,流し込んだ後,カラム用管に縦横の振動を
与えるとよい。
(13) 市販のシリカゲルカートリッジを用いてもよい。ただし,使用前に回収率などをあらかじめ確
認しておく。
単位 cm
図 1 カラムクロマトグラフ管の一例
――――― [JIS K 0450-40-10 pdf 6] ―――――
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g) 振とう器
h) 濃縮器 ロータリーエバポレーター又はクデルナ-ダニッシュ濃縮器
5.3 操作
操作は,次による。
a) 4.1.2で採取した試料(14)の適量(例えば,1 L)を分液漏斗にとり,アジピン酸ビス(2-エチルヘキシ
ル)-d8内標準液(10 最 d8/ml-アセトン)10 マイクロシリンジでとる。)及び液量
つき塩化ナトリウム50 gとヘキサン100 mlとを加え,振とう器を用いて約10 分間振り混ぜ,放置す
る。
注(14) 試料中に懸濁物が多い場合は,アセトン15 mlを加えるとよい。
b) 水層を別の分液漏斗に移し入れる。ヘキサン層を共栓三角フラスコに移し入れ,分液漏斗を少量のヘ
キサンで洗い,洗液は先の共栓三角フラスコに合わせる。分液漏斗の水層に液量1 Lにつきヘキサン
100 mlを加え,再び振とう器を用いて約10 分間振り混ぜ,放置する。水層を捨て,ヘキサン層を先
の共栓三角フラスコに合わせる。
c) 共栓三角フラスコ中のヘキサン溶液に硫酸ナトリウム2030 g(15)を加え,軽く振り混ぜて脱水し(16),
約10分間放置した後,ろ紙5 種A(又は5 種B)(17)を用いてろ過し,ろ液をなす形フラスコ(又は
クデルナ-ダニッシュ濃縮器)に受ける。共栓三角フラスコをヘキサン1020 mlで洗浄し,更にその
洗液で先のろ紙上の硫酸ナトリウムも洗浄する。この洗浄操作を数回行い,洗液も先のなす形フラス
コに合わせる。
注(15) ヘキサン溶液にエマルションがある場合には,更に過剰に加える。
(16) このほかの脱水には,ヘキサン抽出液を約−20 ℃の暗所に保存し,水分を凍結させる方法もあ
る。濃縮操作を当日行わない場合に用いるとよい。
(17) ろ紙は,抽出に用いる溶媒で使用時に洗浄する。
d) 濃縮器を用いて,ヘキサン溶液が約10 mlになるまで濃縮する(18)(19)(20)。
注(18) 40 ℃以下の水浴中で減圧濃縮する。クデルナ-ダニッシュ濃縮器を用いる場合は,濃縮器を大
気圧で75 ℃以下に加熱して濃縮する。スニーダーカラムを少量のヘキサンで洗い,スニーダ
ーカラムを付けたまま放冷する。
(19) 乾固近くまで濃縮すると,対象物質が揮散することもあるので注意する。
(20) 妨害物質が存在しない試料で,e) h)のカラムクロマトグラフ分離操作を省略する場合は,この
操作に引き続いてj)以降の操作を行う。
e) この濃縮液の全量をカラムクロマトグラフ管の上部から流し込み,コックを操作し,液面が硫酸ナト
リウム層よりわずかに上部になるようにする。なす形フラスコの内壁をヘキサン約2 mlで洗い,これ
もカラムクロマトグラフ管に流し込む。
f) カラムクロマトグラフ管の上部から,ヘキサン50 mlを約1 ml/minで流下させ,流出液は捨てる。
g) 受器になす形フラスコを用い,先のヘキサンが硫酸ナトリウム層のわずかに上にあるうちにアセトン-
ヘキサン溶離液(1+19)を加え,その50 ml(21)(22)を約1 ml/minで流下させ,溶出液を受器に受ける。
注(21) 活性けい酸マグネシウムを用いた場合の操作は,附属書1による。
(22) ヘキサン約10 mlを目盛付き共栓試験管にとり,6.1 d)のアジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)
標準液(1 最 一 100 6.1 e)のアジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)-d8内標準
最 d8/ml-ヘキサン)100 最
びフルオランテン-d10内標準液(10 d1
をそれぞれマイクロシリンジで加え,振り混ぜた後,全量をカラムクロマトグラフ管の上部か
ら流し込み,コックを操作し,液面が硫酸ナトリウム層よりわずかに上部になるようにする。
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続いてf)の操作を行い,流出する溶液約10 mlを1画分として目盛付き共栓試験管にとる。さ
らに,g)の操作を行い,溶出する溶液約10 ml(最初から)を1画分として目盛付き共栓試験管
にとる。分取したそれぞれの目盛付き共栓試験管を約40 ℃の水浴中で加熱しながら,窒素を
緩やかに吹き付け約1 mlまで濃縮する。各濃縮液について6.4 a)及びb),e)によって溶出パタ
ーン及び回収率を確認しておく。この操作によってカラムクロマトグラフ操作に必要なヘキサ
ン及びアセトン-ヘキサン溶離液(1+19)の量を確認しておくとよい。
h) 溶出液に適切な量の硫酸ナトリウムを加え,脱水する。
i) 濃縮器を用いて,溶出液が約10 mlになるまで濃縮する(18)(19)。
j) 濃縮液を目盛付き共栓試験管に移し,なす形フラスコをヘキサン約2 mlで洗浄し,その洗液も目盛付
き共栓試験管に合わせる。
k) この濃縮液にフルオランテン-d10内標準液(10 最 d10/ml)10 マイクロシリンジでとる。
加え,窒素を緩やかに吹き付け,1 mlまで濃縮して測定用試料溶液とする(23)。
注(23) 乾固近くまで濃縮すると,対象物質が揮散することもあるので注意する。
直ちに測定できない場合には,この濃縮液を約−20 ℃の暗所に保管する。
l) 空試験用として水1 Lを分液漏斗にとり,アジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)-d8内標準液(10
最 d8/ml-アセトン)10 マイクロシリンジでとる。)及び液量1 Lにつき塩化ナトリウ
gとヘキサン100 mlとを加え,振とう器を用いて約10 分間振り混ぜ,放置する。続いてb) k)の操
作を行って空試験用溶液とする。
6. ガスクロマトグラフ質量分析法
5.の前処理で得た測定用試料溶液の一定量をガスクロマトグラフ質
量分析計に導入し,アジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)-d8を内標準物質として,選択イオン検出法(SIM
法)又はマスクロマトグラフ法(MC法)によってアジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)を定量する。
定量範囲 : C22H42O4 10300 pg 分析精度 : 1020 %(いずれも装置,測定条件によって異なる。)
参考 定量範囲の下限値を確認する場合は,附属書2によるとよい。
6.1 試薬
試薬は,次による。
a) ヘキサン 5.1 d)による。
b) アジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)標準液(1 mgC22H42O4/ml) アジピン酸ビス(2-エチルヘキシ
ル)の標準品0.100 gを,全量フラスコ100 mlにとり,ヘキサンを標線まで加える(8)。
c) アジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)標準液(10 最 一 アジピン酸ビス(2-エチルヘ
ル)標準液(1 mgC22H42O4/ml)1 mlを,全量フラスコ100 mlにとり,ヘキサンを標線まで加える(8)。
d) アジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)標準液(1 最 一 アジピン酸ビス(2-エチルヘキ
標準液(10 最 一 1 mlを,全量フラスコ10 mlにとり,ヘキサンを標線まで加える(8)。
e) アジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)-d8内標準液(10最 d8/ml-ヘキサン) 5.1 f)及びg)と同
じ操作によって溶媒にはヘキサンを用いて調製する(8)。
f) フルオランテン-d10内標準液(10 最 d10/ml) 5.1 i)による。
g) 窒素 5.1 j)による。
6.2 器具及び装置
器具及び装置は,次による。
a) 目盛付き共栓試験管 5.2 b)による。
b) マイクロシリンジ 5.2 c)による。
c) ガスクロマトグラフ質量分析計(GC/MS) 次に掲げる条件を満たすもの(24)。
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1) キャピラリーカラム用管 内径0.10.53 mm,長さ5100 mのステンレス鋼,石英ガラス又はほ
うけい酸ガラス製のもの。
2) キャピラリーカラム キャピラリーカラム用管の内壁に,5 %フェニルシリコーン化学結合形又は
メチルシリコーン系固定相液体を厚さ0.055 蘰地 は同等の性能をもつもの。
参考 この試験に用いるキャピラリーカラムには,DB-5,TC-5,HP-5+,SPB-5などのほか,メ
チルシリコーン系固定相液体として100 %メチルシリコーンを用いたものが,DB-1,
CBP-1,CBJ-1DB-1,CP-SIL-5CB,NB-1,SPB-1,Ultra-1などの名称で市販されている。
3) 検出器 選択イオン検出法(SIM法)又はマスクロマトグラフ法(MC法)が行えるもの。
4) キャリヤーガス ヘリウム[体積分率99.999 9 %以上]で,線速度2040 cm/sに調節して用いる。
5) 試料導入方法及び試料導入部温度 試料導入方法は,スプリットレス注入法(非分割導入方式)又
はコールドオンカラム注入法(全量導入方式)による。試料導入部温度は,スプリットレス注入法
の場合は220280 ℃,コールドオンカラム注入法の場合は50100 ℃。
6) C/MS接続部温度 220280 ℃
7) イオン源温度 200250 ℃
8) 電子加速電圧 2070 V
9) 昇温プログラム 50240 ℃(230 ℃/min)
注(24) これらの条件は装置,測定条件によって異なる。
6.3 準備操作
準備操作は,次による。
a) アジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)標準液(1最 一 100 びアジピン酸ビス(
ヘキシル)-d8内標準液(10 最 d8/ml-ヘキサン)100 イクロシリンジでとり,目盛
共栓試験管に移し入れ,更にフルオランテン-d10内標準液(10最 d10/ml)100 イクロシ
ンジで加える。窒素を緩やかに吹き付け,1 ml以下とし,ヘキサンを1 mlの標線まで加える。
6.4 操作
操作は,次による。
a) 6.3 a)の溶液の1 イクロシリンジ(25)でとり,スプリットレス注入法又はコールドオンカラム注
入法によってガスクロマトグラフ質量分析計に導入し,あらかじめアジピン酸ビス(2-エチルヘキシ
ル),アジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)-d8及びフルオランテン-d10の選択イオン(m/z)を設定し
(26)たガスクロマトグラフ質量分析計に,選択イオン検出法又はマスクロマトグラフ法によって測定し
てそのマスフラグメントグラムを記録し,アジピン酸ビス(2-エチルヘキシル),アジピン酸ビス(2-
エチルヘキシル)-d8及びフルオランテン-d10の保持時間に相当するピークの位置を確認しておく。
注(25) 検量線作成時と同じものを用いる。
(26) 選択イオンの一例を表1に示す。
表 1 選択イオンの一例
選択イオン(m/z)
物質
定量用 確認用
129
アジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)(C22H42O4)[DEHA] 147
137
アジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)-d8(C22H42O4-d8) −
フルオランテン-d10(C16H10-d10) 212 −
b) 5.3 k)で得た溶液1 イクロシリンジ(25)でとり,a)と同じ操作を行ってマスフラグメントグラム
を記録し,a)の保持時間と一致していることを確認(27)し,保持時間に相当する位置のピークについて,
指示値(28)を読み取る。アジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)の指示値とアジピン酸ビス(2-エチルヘ
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キシル)-d8の指示値との比及びアジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)-d8の指示値とフルオランテン-d10
の指示値との比(29)を求める。
注(27) 対象物質のフラグメントイオンのピークが予想保持時間の±5 秒間に出現し,フラグメントイ
オンのピーク強度比が標準物質のピークの±20 %にあれば,同じ物質が存在しているものとみ
なす。
(28) ピーク高さ又はピーク面積。
(29) アジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)-d8の指示値とフルオランテン-d10の指示値との比は,前
者の回収率を求めるのに用いる[注(30)参照。]。
c) 空試験として,5.3 l)で得た空試験用溶液について,a)及びb)の操作を行う。
d) 検量線からアジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)の濃度とアジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)-d8の
濃度との比(試料中の比a及び空試験の比b)を求め,次の式によって試料中のアジピン酸ビス(2-
エチルヘキシル)の濃度( 最一 を算出する。
1 000
X (a b) n
V
ここに, X : 試料中のアジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)の濃度( 最一
a : 検量線から求めたアジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)とア
ジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)-d8との濃度比
b : 空試験から求めたアジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)とア
ジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)-d8との濃度比
n : 試料に添加したアジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)-d8の質
量( 柿
V : 試料(ml)
1 000 : 試料1 Lに換算する係数
検量線 アジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)標準液(1 最 一 0.13 mlを全量フラ
10 mlに段階的にとり,それぞれにアジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)-d8内標準液(10
最 d8/ml-ヘキサン)100 マイクロシリンジでとる)及びフルオランテン-d10内標準液
最 d10/ml)100 マイクロシリンジでとる)とを加え,ヘキサンを標線まで加える。
らを検量線作成用標準液とする。それぞれの一定量[試料と同量(例えば,1 ]をマイクロシリ
ンジでとり,a)及びb)の操作を行う。
検量線作成用標準液中のアジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)の濃度(Ms)とアジピン酸ビス(2-
Ms
エチルヘキシル)-d8の濃度(Mi)との比M を横軸にとり,アジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)
i
の選択イオン(26)による指示値(As)とアジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)-d8の選択イオン(26)に
As
よる指示値(Ai)との比 Aを縦軸にとって,関係線を作成する。
i
別に,段階的にとった検量線用標準液中の,アジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)-d8の選択イオ
ン(26)による指示値とフルオランテン-d10の選択イオン(26)による指示値とのそれぞれの比を求め,
その平均値を算出する(30)。
検量線の作成は,試料測定時に行う。
注(30) 試料に添加したアジピン酸ビス(2-エチルヘキシル)-d8とフルオランテン-d10とについて,
b)で求めた指示値の比,及び検量線で求めた両物質の指示値の平均値の比から回収率を求
める。回収率が70130 %にあることを確認する。この範囲を超過した場合は再度試験を
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JIS K 0450-40-10:2004の国際規格 ICS 分類一覧
- 83 : ゴム及びプラスチック工業 > 83.040 : ゴム及びプラスチックの原材料 > 83.040.30 : プラスチック用補助剤および添加剤
- 13 : 環境.健康予防.安全 > 13.060 : 水質 > 13.060.50 : 水に含まれる化学物質の検査
JIS K 0450-40-10:2004の関連規格と引用規格一覧
- 規格番号
- 規格名称
- JISK0050:2019
- 化学分析方法通則
- JISK0094:1994
- 工業用水・工場排水の試料採取方法
- JISK0101:1998
- 工業用水試験方法
- JISK0102:2016
- 工場排水試験方法
- JISK0123:2018
- ガスクロマトグラフィー質量分析通則
- JISK0211:2013
- 分析化学用語(基礎部門)
- JISK0215:2016
- 分析化学用語(分析機器部門)
- JISK0557:1998
- 用水・排水の試験に用いる水
- JISK1107:2005
- 窒素
- JISK8039:2012
- アセトニトリル(残留農薬・PCB試験用)(試薬)
- JISK8040:2020
- アセトン(残留農薬・PCB試験用)(試薬)
- JISK8150:2006
- 塩化ナトリウム(試薬)
- JISK8251:2020
- ガラスウール(試薬)
- JISK8825:2020
- ヘキサン(残留農薬・PCB試験用)(試薬)
- JISK8987:2006
- 硫酸ナトリウム(試薬)
- JISR3503:1994
- 化学分析用ガラス器具
- JISR3505:1994
- ガラス製体積計
- JISZ0701:1977
- 包装用シリカゲル乾燥剤