電子技術基本用語集

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ, IGBT

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Glossary of basic terms used in electrotechnology

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規格 JISC5600:2006
JIS C 5600:2006
用語
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ, IGBT
定義
パワーエレクトロニクス用デバイスの一つ。 MOS FETの耐圧を上げるには,ドレインの不純物濃度を下げる必要があるが,一方でオン抵抗は大きくなる。このトレードオフを解消するためにドレインに相当する領域にPN整合を設け,オン状態においてこの接合が順バイアスされると導電率変調が生じオン抵抗が低減できる。
対応英語(参考)
insulated gate bipolar transistor, IGBT

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