この規格 プレビューページの目次
※一部、英文及び仏文を自動翻訳した日本語訳を使用しています。
3 用語と定義
この文書の目的には、ISO 18115-1 に示されている用語と定義が適用されます。
ISO と IEC は、標準化に使用する用語データベースを次のアドレスで維持しています。
参考文献
| 1 | ISO 18116, 表面化学分析 — 分析用の試料の準備と取り付けに関するガイドライン |
| 2 | ISO 18117, 表面化学分析 - 分析前の試料の取り扱い |
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| 8 | ISO 15470, 表面化学分析 - X 線光電子分光法 - 選択された機器性能パラメーターの説明 |
| 9 | ISO 24237, 表面化学分析 – X 線光電子分光法 – 強度スケールの再現性と不変性 |
| 10 | シーア議員 |
| 11 | Seah MP, Spencer SJ, Ultrathin SiO 2 on Si, VII: XPS の角度精度と正確な減衰長、表面および界面解析、2005 年、Vol. 37, pp. 731-736 |
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| 13 | Seah MP, X 線光電子分光法における表面法線の決定のための 2 つの方法の精度の比較、 Metrologia 、2007 年 6 月、Vol.44, No. 3, 242-245ページ |
| 14 | ISO 15472, 表面化学分析 — X 線光電子分光計 — エネルギースケールの校正 |
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| 16 | Seah MP, VAMAS Study of Intensity Stability of Cylindrical Mirror Analyzer Based Auger Electron Spectrometers, Journal of Electron Spectroscopy and Relationship Phenomena 、1992 年、58 巻、345-357 ページ。 |
| 17 | Seah MP, Smith GC, 定量的 AES および XPS: AES および XPS での真の電子放出スペクトル生成のための電子分光計透過関数と検出器感度エネルギー依存性の決定、表面および界面分析、1990 年、Vol 15, No. 12, 751-766ページ |
| 18 | ISO 21270, 表面化学分析 — X 線光電子およびオージェ電子分光計 — 強度スケールの直線性 |
| 19 | Seah MP, Gilmore IS, Spencer SJ, XPS 計数システムの信号直線性、電子分光法と関連現象のジャーナル、1999 年、104 巻、73-89 ページ。 |
| 20 | ISO 18516, 表面化学分析 - ナノメートルからマイクロメートルの範囲のビームベースの方法における横方向の解像度と鮮鋭度の決定 |
| 21 | ISO/TR 15969:2001, 表面化学分析 — 深さプロファイリング — スパッタリングされた深さの測定 |
| 22 | ISO/TR 22335, 表面化学分析 — 深さプロファイリング — スパッタリング率の測定: 機械式スタイラス形状計を使用したメッシュレプリカ法 |
| 23 | SRM 2135 の詳細については、 https://www-s.nist.gov/srmors/view_detail.cfm?srm= 2135C を参照してください。 |
| 24 | Fine J.、Navinsek B.、スパッタ深さプロファイル分析のための NBS 標準基準物質 2135 の特性評価、 J. Vac.科学。テクノロジー。 A 、1985 年、第 3 巻、p. 1408 |
| 25 | Fine J.、Lindfors PA, Gorman ME, Gerlach RL, Navinsek B.、Mitchell DF, Chambers GP, オージェ スパッタ プロファイル Ni/Cr 界面の界面深さ分解能: イオン衝撃パラメータへの依存、 J. Vac.科学。テクノロジー。 A 、1985 年、第 3 巻、p. 1413 |
| 26 | Seah MP, Mathieu HJ, Hunt CP, 超高解像度深さプロファイリング参考資料、表面科学、1984 年 4 月、Vol. 139, No. 2-3, 549-557ページ |
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| 28 | ISO 19318, 表面化学分析 – X 線光電子分光法 – 電荷制御および電荷補正に使用される方法の報告 |
| 29 | Castle JE, Powell CJ, 第 34 回 IUVSTA ワークショップに関する報告書:「XPS: スペクトルから結果へ — エキスパート システムに向けて」、 Surface and Interface Analysis 、2004 年、 Vol.36 、p. 225 |
| 30 | Tougaard S.、 QUASES ユーザーズ Guide (電子分光法による表面の定量分析)、バージョン 4.4 、Quases-Tougaard, Odense 2000 |
| 31 | ISO 16243, 表面化学分析 - X 線光電子分光法 (XPS) でのデータの記録と報告 |
| 32 | 古川裕也、池尾直樹、長塚裕司、吉武正樹、XPSスペクトルのピーク検出アルゴリズムの性能解析、 J. Surface Analysis 2008 Vol. 14 pp 365-369 |
| 33 | Herrera-Gomez A, Aguirre-Tostado FS, Sun Y, Pianetta P, Yu Z, Marshall D, Droopad R, Spicer WE, Sr/Si(001) 界面からの光電子放出。 Journal of Applied Physics 2001 Vol 90, p. 6070 |
| 34 | Castle JE, 腐食科学者による X 線光電子分光法の専門的使用をガイドするモジュール、 J. Va科学。テクノロジー。 A 、第 25 巻、2007 年 1 月、1-27 ページ |
| 35 | Greczynski G.、Hultman L.、外来炭素の C 1s ピークは真空準位に整列: 光電子分光法による材料の結合割り当ての悲惨な結果、 ChemPhysChem 2017 Vol. 18, p. 1507 |
| 36 | Greczynski G.、Hultman L.、外来性炭素を参照するサンプル仕事関数に基づく X 線光電子分光法における化学状態の信頼性の高い測定: C 1s ピークの見かけ上の一定の結合エネルギーの神話の解決、 Applied Surface Science 2018, 451巻、p. 99 |
| 37 | Shirley DA, 金の価電子帯の高解像度 X 線光電子放出スペクトル、 Physical Review B 、1972 年、第 5 巻、p. 4709 |
| 38 | ISO 20903, 表面化学分析 – オージェ電子分光法および X 線光電子分光法 – ピーク強度の決定に使用される方法と、結果を報告する際に必要な情報 |
| 39 | ISO/TR 18392, 表面化学分析 - X 線光電子分光法 - バックグラウンドを決定する手順 |
| 40 | Koenig MF, Grant JT, X 線光電子分光法における信号対雑音測定、表面および界面分析、1985 年、第 7 巻、p. 217 |
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| 42 | 池尾直也、飯島康介、新村直也、シンメラツ正樹、田沢哲也、松本晋三、小島和也、長澤裕也、 X線光電子分光ハンドブック、日本電子、昭島市、1991年 |
| 43 | モルダー JF, スティックル WF, ソボル PE, ボンベイ KD, X 線光電子分光法のハンドブック、パーキンエルマー、エデン プレーリー、1992 年 |
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| 47 | NIST XPS データベース、 http://srdata.nist.gov/xps |
| 48 | ISO/TR 18394, 表面化学分析 — オージェ電子分光法 — 化学情報の導出 |
| 49 | Beamson G.、Briggs D.、有機ポリマーの高解像度 XPS — Scienta ESCA300 データベース、John Wiley and Sons, ニューヨーク、1992 |
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| 55 | Conny JM, Powell CJ, Currie LA, X 線光電子分光法におけるピークパラメータ誤差を推定するための標準テスト データ、I. ピーク結合エネルギー、表面および界面分析、1998 年、Vol. 26, p. 939 |
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| 57 | Seah MP, Gilmore IS, 定量 X 線光電子分光法: 真の X 線光電子スペクトルのデータベースからの四重極効果、シェイクアップ、シャーリー バックグラウンドおよび相対感度係数、 Phys. Rev. B 、2006 年、第 73 巻、記事番号174113 |
| 58 | ISO 18118, 表面化学分析 — オージェ電子分光法および X 線光電子分光法 — 均質材料の定量分析のための実験的に決定された相対感度係数の使用に関するガイド |
| 59 | Seah MP, Gilmore IS, Spencer SJ, 定量的 XPS: I. デジタル光電子データベースの元素データからの X 線光電子強度の分析、 Journal of Electron Spectroscopy and Associated Phenomena 、2001 年、Vol. 120, p. 93 |
| 60 | Powell CJ, Jablonski A.、オージェ電子分光法および X 線光電子分光法における応用のための電子有効減衰長、表面および界面分析、2002 年 3 月、Vol. 33, No. 3, 211-229ページ |
| 61 | Jablonski A.、Powell CJ, 「The Electron Attenuation Length Revisited」、 Surface Science Reports 、2002 年 6 月、Vol. 47, Nos. 2-3, 33-92ページ |
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| 63 | 電子有効減衰長データベース、NIST 国立標準技術研究所、米国メリーランド州ゲイサーズバーグ、バージョン 1.2, https://www.nist.gov/srd/nist-standard-reference-database-82 |
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| 65 | Seah MP, CCQM-K32 主要比較および P84 パイロット研究: Si 上の SiO 2の厚さとしての酸化ケイ素の量、 Metrologia 、2008 年、Vol 45 、Technical Supplement, Article No. 08013 |
| 66 | Tougaard S.、XPS または AES ピーク形状の分析に基づく非破壊的表面ナノ構造定量化技術の精度、表面および界面分析、1998 年、26 巻、p. 249 |
| 67 | Werner WSM, Kover L.、Toth J.、Varga D.、Cu および Ni 薄膜の高エネルギー X 線誘起オージェおよび光電子スペクトルの線形状解析、 J. Electron Spectrosc.関連。フェノム。 、２００２年、１２２巻、ｐ． 103 |
| 68 | Merzlikin SV, Tolkachev NN, Strunskus T.、Witte G.、Glogowski T.、Wöll C.、Grünert W.、光電子分光法における深さ座標の分解 — 光電子分光法における励起エネルギー変化と角度分解 XPS の比較自己組織化単層モデル システム、 Surface Science 、2008 年、Vol.602, pp. 755-767 |
| 69 | Zemek J.、Merzlikin SV, Tolkachev NN, Strunskus T.、Witte G.、Glogowski T.、Wöll C.、Grünert W.、「光電子分光法における深さ座標の解決 — 励起エネルギー変動の比較」へのコメントとコメントへの返信自己組織化単層モデル システムの解析のための角度分解 XPS との比較」、 Surface Science 、2008 年、Vol. 602, 3632-3636ページ |
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| 72 | Seah MP, Clifford CA, Green FM, Gilmore IS, An Accurate Semi-Empirical Equation for Sputtering Yields, I: for Argon Ions, Surface and Interface Analysis 、2005 年、Vol. 37, pp. 444-458 |
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| 77 | Artyushkova K.、Fulghum JE, XPS イメージング データ セットに適用される多変量画像解析手法、 Surface and Interface Analysis 、2002 年、Vol. 33, p. 185 |
| 78 | Baer DR, Engelhard MH, 小領域 XPS 分析における領域選択性を決定するアプローチ、表面および界面解析、2000 年、Vol. 29, p. 766 |
| 79 | ISO/IEC 17025, 試験および校正機関の能力に関する一般要件 |
| 80 | ISO 18554, 表面化学分析 – 電子分光法 – X 線光電子分光法による分析中の材料における X 線による意図しない劣化を特定、推定、および補正するための手順 |
| 81 | ISO 16129, 表面化学分析 – X 線光電子分光法 – X 線光電子分光計の日常的なパフォーマンスを評価する手順 |
| 82 | ISO 19668, 表面化学分析 - X 線光電子分光法 - 均質材料中の元素の検出限界の推定と報告 |
3 Terms and definitions
For the purposes of this document, the terms and definitions given in ISO 18115-1 apply.
ISO and IEC maintain terminological databases for use in standardization at the following addresses:
Bibliography
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| 2 | ISO 18117, Surface chemical analysis — Handling of specimens prior to analysis |
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| 8 | ISO 15470, Surface chemical analysis — X-ray photoelectron spectroscopy — Description of selected instrumental performance parameters |
| 9 | ISO 24237, Surface chemical analysis — X-ray photoelectron spectroscopy — Repeatability and constancy of intensity scale |
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| 11 | Seah M.P., Spencer S.J., Ultrathin SiO2 on Si, VII: Angular Accuracy in XPS and an Accurate Attenuation Length, Surface and Interface Analysis, 2005, Vol. 37, pp. 731-736 |
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| 14 | ISO 15472, Surface chemical analysis — X-ray photoelectron spectrometers — Calibration of energy scales |
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| 16 | Seah M.P., VAMAS Study of Intensity Stability of Cylindrical Mirror Analyser Based Auger Electron Spectrometers, Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 1992, Vol. 58, pp. 345-357 |
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| 18 | ISO 21270, Surface chemical analysis — X-ray photoelectron and Auger electron spectrometers — Linearity of intensity scale |
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| 22 | ISO/TR 22335, Surface chemical analysis — Depth profiling — Measurement of sputtering rate: mesh-replica method using a mechanical stylus profilometer |
| 23 | For information on SRM 2135, see https://www-s.nist.gov/srmors/view_detail.cfm?srm=2135C |
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