JIS C 1010-2-201:2021 測定用，制御用及び試験室用電気機器の安全性―第２－２０１部：制御装置の個別要求事項 | ページ 7

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ければならない。
  制御装置内の二重絶縁又は強化絶縁を橋絡するコンデンサは,JIS C 5101-14のサブクラスY1又はY2
に適合しなければならない。
  コンデンサは,常にその定格に従って使用しなければならない。
  これらの要求事項は,基礎絶縁だけが必要な,危険電圧二次回路と保護接地との間に接続されているコ
ンデンサには適用しない。
  JIS C 5101-14に適合し,認定試験機関が承認したコンデンサは,高圧試験用に回路から取り外してもよ
い。
    注記 回路からの取外しは,必要な電圧試験の値がコンデンサの定格値よりも高い場合に可能である。
  適合性は,検査によって確認する。
14.101.2 サージサプレッサ
  二次回路では,電圧依存抵抗器(VDR,別名MOV)を含む,あらゆる種類のサージサプレッサを使用
することがある。
    注記1 二次回路で使用するサージサプレッサの特定の部品規格に適合することは,この規格の要求
            事項ではない。しかし,特にJIS C 5381規格群の次の規格に注意する必要がある。
            − JIS C 5381-21[通信及び信号回線に接続するサージ防護デバイス(SPD)の要求性能及
                び試験方法]
            − JIS C 5381-311[ガス入り放電管(GDT)の要求事項及び試験回路]
            − JIS C 5381-321[低圧サージ防護デバイス用アバランシブレークダウンダイオード
                (ABD)の試験方法]
            − JIS C 5381-331[低圧サージ防護デバイス用金属酸化物バリスタ(MOV)の試験方法]
  主電源回路で使用するサージサプレッサは,VDRでなければならず,かつ,IEC 61051-2に適合しなけ
ればならない。
    注記2 VDRは,バリスタ又は酸化金属バリスタ(MOV)と呼ばれる場合がある。非線形の電圧特
            性及び電流特性をもつガス放電管,カーボンブロック,半導体素子などは,この規格ではVDR
            とみなさない。
  適合性は,検査によって確認する。
14.102 スイッチング機器
  この細分箇条は,火災又は感電の危険があるスイッチング機器にだけ適用する。
  出力を制御するスイッチング機器は,JIS C 8201-5-1に従い定格内で用いるか,又はスイッチング機器
を用いている装置に,それぞれ4.4.2.101.1及び4.4.2.101.2に規定した過負荷試験及び耐久試験を実施しな
ければならない。同一のサンプルを最初に過負荷試験で用い,その後,耐久試験で用いる。耐久試験又は
過負荷試験だけを単独で実施する場合には,6.7.2.2.1に規定する絶縁耐力試験を,直後に実施しなければ
ならない。
  耐久試験は,一般負荷又は抵抗負荷用途の半導体出力機器に対して実施する必要はない。

15 インタロックによる保護

――――― [JIS C 1010-2-201 pdf 31] ―――――

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16 用途に起因するハザード

17 リスクアセスメント

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                                           附属書
  

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C 1010-2-201 : 2021
                                          附属書E
                                          (参考)
                          汚損度(PD)の軽減に対する指針
  
  装置内のミクロ環境は,動作,設置,保守時に装置がさらされる環境条件,及び装置に適用された封止
手段の有効性と同様に装置自体から発生する汚損によって決定される。
  装置は,表E.1に示す環境区分に分けられる可能性がある。
                                        表E.1−環境区分
          環境区分   機器の動作環境                機器の設置又は保守環境
             A     管理された環境a) 管理された環境
             B     管理されない環境 管理された環境又は設置若しくは保守中に機器を開かない
            C      管理されない環境 管理されない環境
        注a) 管理された環境とは,JIS C 1010-1の1.4.1 c)及び1.4.1 d)の条件に当てはまる周囲環境であ
             る。
    注記1 表E.1の環境区分は,どのような環境下に機器がさらされるか,並びに機器の設置及び保守
            のために機器を開く可能性があるかについて,体系的な分類を提供する。
  ミクロ環境の汚損度は表E.2の方法で低減する可能性がある。装置が結露するか,又は汚損物質を装置
自体が発生する場合は,汚損度を低減できない場合がある。
                                   表E.2−汚損度(PD)の軽減
                                                                  元の汚損度
                                                         2               3           4
                                                               環境区分(表E.1)
                                                  A     B    C     B     C     B     C
 追加保護                                                    追加保護による汚損度
 きょう(筐)体 IPX4                             −   −    −    −    −   −    −
 きょう(筐)体 IPX5,IPX6                       1    −    −    −    −    −   −
 きょう(筐)体 IPX7,IPX8                       1     1    −   2 a),b) −   2 a),b)−
 IPX4以上のきょう(筐)体を備えた装置内に一定加熱
                                                  1    −    −    −    −   −    −
 部分をもつ場合
 封止したきょう(筐)体                          1     1     1    1     1     1   1
   − 軽減なし
 注記1 最大で汚損度1への軽減
 注記2 汚損度3及び汚損度4は管理された環境とみなさない。
 注記3 軽減対策はいずれか一つを選択する。
 注記4 IPコードは,JIS C 0920を参照。
 注a) 絶縁保護コーティングを行うことで,更に汚損度1軽減
    b) ポッティング又はカプセル化を行うことで,更に汚損度1軽減

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    注記2 表の使用例
          1) 外部環境の汚損度2及びきょう(筐)体IPX7又はIPX8で保護する環境区分Bの装置は,
              汚損度1に軽減する。
          2) 外部環境の汚損度3及びきょう(筐)体IPX7又はIPX8で保護する環境区分Bの装置は,
              汚損度2に軽減し,絶縁保護コーティングで更に保護すると,汚損度1に軽減する。

――――― [JIS C 1010-2-201 pdf 35] ―――――

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